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首页 > 热门关键词 > 全桥驱动芯片
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三相高低侧功率驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
  • 1+

    ¥2.5
  • 10+

    ¥1.95
  • 30+

    ¥1.71
  • 100+

    ¥1.42
  • 有货
  • 是一款用于IGBT和SiC功率器件的单通道栅极驱动器。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。电流和温度感应可在故障期间将IGBT/SiC的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定(UVLO)可提供保护,同时确保足够的栅极驱动电压裕量。能够自主管理严重故障,并通过INTB和/或INTA引脚以及SPI接口报告故障和状态。能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。包含自测试、控制和保护功能,适用于高可靠性系统(ASIC C/D)的设计。符合汽车应用的严格要求,并完全符合AEC-Q100 1级标准。
    数据手册
    • 2+

      ¥38.28
    • 20+

      ¥33.66
    • 60+

      ¥30.85
    • 200+

      ¥28.49
  • 有货
  • 采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥47.17
    • 10+

      ¥40.86
    • 30+

      ¥33.04
    • 100+

      ¥29.81
  • 有货
  • 汽车级全集成H桥电机驱动
    • 1+

      ¥53.62
    • 10+

      ¥45.89
    • 30+

      ¥41.17
    • 100+

      ¥37.23
  • 有货
  • MP6540H和MP6540HA是三相无刷直流电机驱动器。这些器件集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H的每个半桥都有使能(EN)和PWM输入,而MP6540HA则有独立的高端和低端输入。除此之外,这两款器件完全相同。除非另有说明,本文档中对MP6540H的引用同样适用于MP6540HA。根据散热和PCB条件,MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。MP6540H使用内部电荷泵为高端MOSFET产生栅极驱动电源电压,并采用涓流充电电路,以维持足够的栅极驱动电压,实现100%占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定(UVLO)和过流保护(OCP)。MP6540H采用QFN - 26(5mmx5mm)封装。
    • 1+

      ¥60.0148
    • 50+

      ¥52.6661
    • 100+

      ¥47.7896
  • 有货
  • 步进电机驱动 玩具汽车电机驱动 电源电压范围:2.5V 至 12V,广泛应用于玩具汽车电机驱动、脉冲电磁阀门驱动、步进电机驱动和开关功率管等电路上
    数据手册
    • 5+

      ¥0.751
    • 50+

      ¥0.607
    • 150+

      ¥0.535
    • 500+

      ¥0.481
  • 有货
  • XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8253
    • 50+

      ¥0.6381
    • 150+

      ¥0.5445
    • 500+

      ¥0.4743
    • 2500+

      ¥0.4181
    • 4000+

      ¥0.39
  • 有货
  • UMW UCC27517ADBVR 器件是一款用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁 CMOS 技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。UMW UCC27517ADBVR 的逻辑输入电平与低至 3V 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容
    • 5+

      ¥0.93
    • 50+

      ¥0.7275
    • 150+

      ¥0.6408
    • 500+

      ¥0.5325
    • 3000+

      ¥0.4788
    • 6000+

      ¥0.4499
  • 有货
  • 1. 低静态待机电流:<1uA 2. 宽电源电压范围:3.0V-12V 3. 输出电流能力:1A 4. 具有前进、后退、停止及刹车功能 5. 内置过温保护功能 峰值最高2A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0722
    • 50+

      ¥0.859
    • 150+

      ¥0.7676
    • 500+

      ¥0.6536
    • 2500+

      ¥0.5458
    • 4000+

      ¥0.5153
  • 有货
  • 该器件是一款有刷直流电机驱动器。此器件集成了四个 N 沟道 MOSFET,可在 40V 电压下提供高达 3.6A 的峰值电流。
    • 1+

      ¥1.7955 ¥1.89
    • 10+

      ¥1.558 ¥1.64
    • 30+

      ¥1.4535 ¥1.53
    • 100+

      ¥1.33 ¥1.4
    • 500+

      ¥1.273 ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.235 ¥1.3
  • 有货
  • 高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥1.805 ¥1.9
    • 10+

      ¥1.5675 ¥1.65
    • 30+

      ¥1.463 ¥1.54
    • 100+

      ¥1.3395 ¥1.41
    • 500+

      ¥1.311 ¥1.38
    • 1000+

      ¥1.2825 ¥1.35
  • 有货
  • 250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片
    • 1+

      ¥1.81
    • 10+

      ¥1.58
    • 30+

      ¥1.47
    • 100+

      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.29
    • 1000+

      ¥1.26
  • 有货
  • UCC27710 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.62
    • 30+

      ¥1.52
    • 100+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.3
  • 有货
  • EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0084
    • 50+

      ¥1.5548
    • 150+

      ¥1.3604
    • 500+

      ¥1.1179
    • 2500+

      ¥1.0999
    • 4000+

      ¥1.035
  • 有货
  • SL27517是单通道4A的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑的SOT-23封装等特点,使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动,在这种场合中同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.334
    • 10+

      ¥1.311
    • 15+

      ¥1.288
    EG2103是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2103高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3/0.6A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1216
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      ¥1.6317
    • 150+

      ¥1.4217
    • 500+

      ¥1.1598
    • 2500+

      ¥1.1421
  • 有货
  • 三相高低侧功率驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥2.159 ¥2.54
    • 10+

      ¥1.8955 ¥2.23
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      ¥1.768 ¥2.08
    • 100+

      ¥1.6405 ¥1.93
    • 500+

      ¥1.564 ¥1.84
    • 1000+

      ¥1.5215 ¥1.79
  • 有货
  • EG27322 是一款高性价比高速单路驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路,用于电机控制器、太阳能逆变电源、开关电源、变压器中的驱动电路。
    • 5+

      ¥2.1656
    • 50+

      ¥1.712
    • 150+

      ¥1.5176
    • 500+

      ¥1.275
    • 2500+

      ¥1.167
  • 有货
  • 双通道2A 超高速功率开关驱动器,工作范围:4.5V~25V最大输入电压可达5V,在1nF 负载时,开关时间< 25ns
    • 5+

      ¥2.1656
    • 50+

      ¥1.712
    • 150+

      ¥1.5176
    • 500+

      ¥1.275
    • 2500+

      ¥1.167
    • 5000+

      ¥1.1022
  • 有货
  • FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片,设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET,可在高达 +250V 电压下工作。内置欠压(UVLO)保护功能防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。内置输入信号滤波,防止输入噪声干扰。内置直通防止和死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2722
    • 50+

      ¥1.7139
    • 150+

      ¥1.4746
    • 500+

      ¥1.1761
  • 有货
  • NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压(1/6th VCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)D 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。
    • 1+

      ¥2.56
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      ¥2.25
    • 30+

      ¥2.12
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      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.87
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • TPM2752x 系列是一系列用于 MOSFET、IGBT 和 GaN 功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5 A 的高源电流和灌电流能力可通过缩短转换时间和降低开关损耗来提高开关效率。该器件支持最高 25 V 的电源电压和 -5 V 的直流输入电压能力,这提高了系统的稳健性,尤其适用于嘈杂的工业应用
    • 5+

      ¥2.62
    • 50+

      ¥2.02
    • 150+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.44
  • 有货
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.03
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.47
  • 有货
  • 2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器,适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET,支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和GaN功率器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.02
    • 10+

      ¥2.4
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥1.8
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.47
  • 有货
  • DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备接口
    数据手册
    • 1+

      ¥3.13
    • 10+

      ¥2.4
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.35
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥3.13
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.43
    • 500+

      ¥2.32
    • 1000+

      ¥2.27
  • 有货
  • DC双向马达驱动芯片,采用SOP8封装,具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻,静态电流1UA,具有过热保护,短路保护,过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能,被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。
    • 1+

      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.67
    • 30+

      ¥2.34
    • 100+

      ¥2.02
    • 500+

      ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.73
  • 有货
  • EG1168是一款高性价比的多功能半桥及推挽电源专用驱动芯片,内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、两路对称半桥及推挽PWM输出、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,非常适合数字半桥电源、数字推挽电源等场合使用。 EG1168高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V,VCC静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道PWMIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/- 2A/2.5A,采用SOP16封装。
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.39
  • 有货
  • EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
    • 1+

      ¥3.47
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.43
    • 100+

      ¥2.04
    • 500+

      ¥1.87
    • 1000+

      ¥1.77
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥3.504 ¥4.38
    • 10+

      ¥2.824 ¥3.53
    • 30+

      ¥2.48 ¥3.1
    • 100+

      ¥2.144 ¥2.68
    • 500+

      ¥1.944 ¥2.43
    • 1000+

      ¥1.832 ¥2.29
  • 有货
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