全桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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型号：AH5772-P-B 编号：C151386

封装：SIP-4

品牌：DIODES(美台)

AH5772 是一款用于驱动单线圈无刷直流（BLDC）风扇和电机的单芯片解决方案。集成的全桥驱动器输出级采用软开关技术，以最大限度降低可听开关噪声和电磁干扰（EMI），提供低噪声解决方案。为简化系统电路并减少外部元件数量，该器件集成了稳定的高灵敏度霍尔效应传感器、经过电压和温度补偿的内部参考源、放大器以及具有低导通电阻（RDoN）的输出 H 桥功率开关

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型号：TB6641FTG,8,EL 编号：C2150520

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6641FG/FTG是一款采用MOS输出晶体管的全桥直流电机驱动器。低导通电阻MOS工艺和PWM控制可高效驱动直流电机。可通过IN1和IN2选择四种运行模式：顺时针（CW）、逆时针（CCW）、短路制动和停止

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型号：A5988GJPTR-T 编号：C2150768

封装：LQFP-48-EP(7x7)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款能够驱动多达两个步进电机或四个直流电机的四通道 DMOS 全桥驱动器。每个全桥输出的额定电流高达 1.6 A，额定电压为 40 V。包含固定关断时间的脉冲宽度调制 (PWM) 电流调节器，以及 2 位非线性 DAC（数模转换器），允许对步进电机进行全步、半步和四分之一步控制，对直流电机进行正向、反向和滑行模式控制。PWM 电流调节器采用混合衰减模式，可降低电机噪音、提高步进精度并降低功耗

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型号：L6207D 编号：C221507

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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型号：NCV7710DQBR2G 编号：C5826160

封装：SSOP-36-EP

品牌：onsemi(安森美)

是一款用于汽车车身控制系统的驱动IC，设计用于控制车辆车门中的锁止电机。借助单片全桥驱动级，该IC能够控制锁止电机，并通过带有帧内响应的24位SPI接口进行控制。

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型号：L6226PDTR 编号：C2150466

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：L6225PDTR 编号：C2150646

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：L6207D013TR 编号：C221482

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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型号：AOD607-MS 编号：C3647110

封装：TO-252-4

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：快速开关。提供绿色环保器件。适用于4.5V栅极驱动应用。应用：DC风扇。电机驱动应用

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型号：ZXMHC6A07N8TC 编号：C460274

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥，具有低栅极驱动下可实现低导通电阻的特点。

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型号：FAN73932MX 编号：C457776

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73932 是一款半桥门极驱动器集成电路，带有关断和死区时间功能，可驱动最高在 +600V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于各种半桥和全桥逆变器；如电机驱动逆变器、开关模式电源、直感加热和大功率 DC-DC 转换器应用。

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型号：TB6569FTG,8,EL 编号：C2150806

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6569FG/FTG是一款采用MOS输出晶体管的全桥直流电机驱动器。低导通电阻MOS工艺和PWM控制可实现高热效率的直流电机驱动。可通过IN1和IN2选择四种运行模式：顺时针（CW）、逆时针（CCW）、短路制动和停止

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型号：BD6232FP-E2 编号：C3681104

封装：HSOP-25

品牌：ROHM(罗姆)

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个IC可在宽范围的电源电压（6V至32V）下工作，输出电流高达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM速度控制。集成的VREF电压控制功能可直接替代停产的电机驱动IC。这些高效的H桥驱动IC有助于低功耗设计。

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型号：BD6212HFP-TR 编号：C2653561

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个IC可以在3.0V至5.5V的电源电压范围内工作，输出电流高达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM速度控制。集成的VREF电压控制功能允许直接替换停产的电机驱动器IC。这些高效的H桥驱动器IC有助于低功耗设计。

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型号：6EDL04I06NT 编号：C3655021

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌6ED系列第二代产品是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电压低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流水平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况（欠压和过流）都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内置一个2.8 μA的电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为上拉165 mA和下拉375 mA。出于系统安全考虑，实现了310 ns的互锁时间。输入引脚EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高端电源供电。

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型号：BD6237FM-E2 编号：C2150633

封装：HSOP-28-300mil

品牌：ROHM(罗姆)

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个集成电路可在较宽的电源电压范围（6V至32V）内工作，输出电流最高可达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM调速

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型号：TMC246B-PA 编号：C1523903

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：TRINAMIC

特性：双全桥驱动IC，适用于双极步进电机控制应用。集成独特的无传感器失速检测（专利申请中）stallGuard™。能够预测过载，适用于对可靠性要求高的驱动器。采用HVCMOS技术与低RDS-ON高效MOSFET（专利申请中）相结合。即使在高温环境下也能驱动高达1500mA的线圈电流。低电流消耗和高效率，搭配微型封装，适用于嵌入式运动控制和电池供电设备

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