全桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

1+
￥9.14
10+
￥7.48
30+
￥6.57

有货

立即购买

型号：A3966SLBTR-T 编号：C459266

封装：SOIC-16

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3966 旨在驱动两相双极步进电机的两个绕组。该器件包含两个全桥，能够提供 ±650 mA 的连续输出电流，工作电压可达 30 V。电机绕组电流可通过内部固定频率的脉宽调制（PWM）电流控制电路进行控制

1+
￥17.67
10+
￥14.0906 ￥14.99
30+
￥11.2476 ￥13.39
100+
￥9.8952 ￥11.78
500+
￥9.2736 ￥11.04
1000+
￥8.988 ￥10.7

有货

立即购买

型号：UC3770BN 编号：C1556090

封装：PDIP-16

品牌：TI(德州仪器)

是高性能全桥驱动器，提供比其他产品更高的电流和更低的饱和电压。包含LS-TTL兼容逻辑输入、电流检测、单稳态、热关断和功率H桥输出级。两个该产品和几个外部组件可形成一个完整的微处理器可控步进电机电源系统。需要外部高端钳位二极管。两款产品除电流检测阈值外完全相同，其中一款的阈值允许在不需要高端二极管的应用中直接替换，另一款的阈值适用于需要50%、71%和100%电流水平的半步应用。指定在0℃至70℃的环境温度下工作。

数据手册

1+
￥95.67
10+
￥90.99
30+
￥82.87

有货

立即购买

型号：CC6402SS 编号：C2832985

封装：SOT-335

品牌：CrossChip(成都芯进)

单线圈，堵转保护 CC6402是一款高性能单线圈直流无刷马达（风扇）驱动IC。该IC采用创新的先进高压BiCMOS工艺设计制造，该制程对霍尔传感器和电机驱动进行了优化。芯片包含高灵敏度霍尔传感器，斩波失调消除模块，霍尔温度补偿单元，电压调节器和低RDSON全桥驱动器等等。

数据手册

1+
￥1.0505
10+
￥1.0246
30+
￥1.0073
100+
￥0.99

有货

立即购买

型号：L298N (LX) 编号：C45384877

封装：ZIP-15

品牌：LX(灵星芯微)

L298N是一款工作电压高达46V，输出电流高达4A的双全桥驱动器。

1+
￥6.19
10+
￥4.99
25+
￥4.39
100+
￥3.8

有货

立即购买

型号：NCV5183DR2G 编号：C603958

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

数据手册

1+
￥10.2
10+
￥8.48
30+
￥7.53

有货

立即购买

型号：MP6507GR-Z 编号：C3681136

封装：QFN-16(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6507是一款双极步进电机驱动器，内置两个由N沟道功率MOSFET组成的全桥电路。其工作电源电压范围为2.7V至15V，每通道可提供高达700mA的电机电流。内部安全特性包括通过外部传感器实现的灌电流和拉电流限制、欠压锁定和热关断功能

1+
￥10.896
50+
￥9.9313
100+
￥8.6841

有货

立即购买

型号：BTM9020EPXUMA1 编号：C43044815

封装：SO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是用于汽车电机驱动应用的集成全桥。该单片器件采用 BCD 技术实现，并封装在 PG-TSDSO-14 中，该封装有一个外露焊盘，以确保更好的热性能。该器件提供针对过热、欠压、过流、短路和交叉电流的智能保护功能。此外，该器件还提供电流检测和开路负载诊断功能。输出电流和错误标志的信息在 IS 引脚显示。

1+
￥21.21
10+
￥18.26
30+
￥16.51

有货

立即购买

型号：DRV8242HQRHLRQ1 编号：C28719583

封装：VQFN-20-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV824x-Q1 器件系列是完全集成式 H 桥驱动器，适用于各种汽车应用。该器件是一款具有 PWM 或相位使能控制的双向全桥驱动器。该单片功率封装器件系列采用 BiCMOS 大功率工艺技术节点设计，提供了出色的电源处理能力和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流检测和诊断功能，稳健性较高。该系列提供相同的引脚功能和可扩展的 RON（电流能力），可支持不同的负载。这些器件集成了 N 沟道 H 桥、电荷泵稳压器、高侧电流检测和调节、电流比例输出以及保护电路。还提供了一种低功耗睡眠模式，以实现较低静态电流。这些器件提供电压监测和负载诊断以及过流和过热保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。这些器件提供三种型号-硬接线接口：HW (H) 和两种 SPI 接口型号：SPI(P) 和 SPI(S)，其中 SPI(P) 用于外部提供的逻辑电源，SPI(S) 用于内部生成的逻辑电源。SPI 接口型号可实现更加灵活的器件配置和故障监测。

数据手册

1+
￥32.2
10+
￥27.38
30+
￥24.52

有货

立即购买

型号：MP6507GQ-Z 编号：C114141

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：MPS(芯源)

是一款双内置全桥双极步进电机驱动器，由N沟道功率MOSFET组成。它的电源电压范围为2.7V至15V，每通道可提供高达700mA的电机电流。内部安全功能包括通过外部传感器实现的灌电流和拉电流限制、欠压锁定和热关断。有一个过温输出标志，用于指示热关断。采用16引脚、5.0mm×6.4mm TSSOP-EP和TSSOP、3mm×3mm和4mm×4mm QFN封装，背面带有外露散热焊盘。

1+
￥10.896
50+
￥10.3226
100+
￥8.6841

有货

立即购买

型号：EG2126 编号：C480659

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+2.0A/-2.0A，采用SOP28L封装。

数据手册

1+
￥12.72
10+
￥10.82
25+
￥9.26

有货

立即购买

型号：A3909GLYTR-T 编号：C2649425

封装：MSOP-10-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3909是一款双全桥电机驱动器，专为12 V中功率应用而设计。输出额定工作电源范围为4至18 V，每相电流可达1 A。对于更高电流的单直流电机应用，可将输出并联。四个输入（IN1至IN4）可控制直流电机的正转、反转、制动和滑行模式，或控制双极步进电机的全步和半步模式。 A3909采用带外露散热焊盘的10引脚MSOP封装（后缀LY）和适用于波峰焊应用的10引脚SSOP封装（后缀LN）。两种封装均为无铅（Pb）封装，引脚框架采用100%雾锡电镀。

数据手册

1+
￥14.1984 ￥14.79
10+
￥10.8532 ￥12.62
30+
￥8.5576 ￥11.26
100+
￥7.5012 ￥9.87
500+
￥7.03 ￥9.25
1000+
￥6.8172 ￥8.97

有货

立即购买

型号：A3921KLPTR-T 编号：C459251

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是全桥控制器，与外部N沟道功率MOSFET配合使用，专为具有高功率感性负载的汽车应用（如有刷直流电机）而设计。独特的电荷泵稳压器可为低至7V的电池电压提供全（>10V）栅极驱动，并允许以低至5.5V的降低栅极驱动运行。使用自举电容为N沟道MOSFET提供高于电池的电源电压，高端驱动的内部电荷泵允许直流（100%占空比）操作。全桥可以使用二极管或同步整流在快速或慢速衰减模式下驱动，在慢速衰减模式下，电流可以通过高端或低端FET进行再循环

数据手册

1+
￥23.58
10+
￥20.1
30+
￥18.03

有货

立即购买

型号：MAX14871EUE+ 编号：C1556924

封装：TSSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

4.5V至36V全桥式直流电机驱动器、业界最简单，最灵活的4.5至36V DC-有刷电机驱动器

数据手册

1+
￥39.18
10+
￥38.23
30+
￥37.6

有货

立即购买

型号：MS8838 编号：C1509052

封装：TDFN-8L-EP(2x2)

品牌：杭州瑞盟

单通道12V全桥驱动，低至1.8V工作电压，sleep管脚控制

数据手册

5+
￥1.6426
50+
￥1.2898
150+
￥1.1386

有货

立即购买

型号：XZ298N 编号：C707119

封装：ZIP-15

品牌：XINLUDA(信路达)

驱动配置：全桥是否隔离：非隔离电源电压：2.5V~46V 特性：过热保护(OPT)

数据手册

1+
￥7.79
10+
￥6.48
25+
￥5.56
100+
￥4.74

有货

立即购买

型号：ZXMHC3A01N8TC 编号：C264179

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

H桥MOSFET

数据手册

1+
￥8.4
10+
￥6.92
30+
￥6.11
100+
￥5.19

有货

立即购买

型号：A4987SLPTR-T 编号：C2653562

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4987是一款双DMOS全桥步进电机驱动器，具备并行输入通信和过流保护功能。每个全桥输出的额定电压高达35 V，额定电流为±1 A。A4987包含固定关断时间脉冲宽度调制（PWM）电流调节器，以及2位非线性DAC（数模转换器），可实现对步进电机的整步、半步和四分之一步控制。PWM电流调节器采用专利混合衰减模式，可降低电机可听噪声、提高步进精度并减少功耗。内部提供同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。输出端具备负载短路和接地短路保护功能，可防止驱动器及相关电路因过热损坏或产生闪络。其他保护功能包括带迟滞的热关断、欠压锁定（UVLO）和交越电流保护。无需特殊的上电时序。A4987有两种封装形式，分别为24引脚QFN（ES）和24引脚TSSOP（LP）。两种封装均带有外露散热焊盘，以提高散热性能。24引脚ES封装尺寸为4 mm×4 mm，封装总高度标称值为0.75 mm。24引脚LP封装为TSSOP，引脚间距为0.65，封装总高度≤1.2 mm。两种封装均为无铅（Pb）封装，采用100%雾锡引脚框架电镀工艺。

数据手册

1+
￥11.1072 ￥12.48
10+
￥9.638 ￥12.2
30+
￥8.2938 ￥12.02
100+
￥8.1696 ￥11.84

有货

立即购买

型号：TB6569FG(O,8,EL) 编号：C840440

封装：HSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款带有MOS输出晶体管的全桥直流电机驱动器。低导通电阻MOS工艺和PWM控制可实现高热效率驱动直流电机。可通过IN1和IN2选择四种运行模式：顺时针（CW）、逆时针（CCW）、短制动和停止。

数据手册

1+
￥11.81
10+
￥10.22
30+
￥9.22

有货

立即购买

型号：ZXMHC10A07T8TA 编号：C17342650

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代互补式 MOSFET H 桥的特点是在低栅极驱动下可实现低导通电阻。

1+
￥12.99
10+
￥12.74
30+
￥12.58

有货

立即购买

型号：A3908EEETR-T 编号：C459250

封装：TDFN-8-EP(2x2)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3908是一款低压双向直流电机驱动器，典型输入电压范围为3至5.5 V，输出电流高达500 mA。独特的输出全桥采用源极侧线性操作，可使电机线圈两端保持恒定电压。这种经过调节的输出能最大程度减少因I×RDS（导通）变化和电池电压容差导致的电机电压变化

数据手册

1+
￥14.19
10+
￥11.91
30+
￥10.47

有货

立即购买

型号：L293B 编号：C2688689

封装：DIP-16

品牌：ST(意法半导体)

L293B和L293E是四通道推挽式驱动器，每个通道的输出电流可达1A。每个通道由一个与TTL兼容的逻辑输入控制，每对驱动器（一个全桥）都配备一个禁止输入，用于关闭所有四个晶体管。逻辑电路有单独的电源输入，因此可以使用较低电压供电以降低功耗

数据手册

1+
￥33.89
10+
￥29.19
30+
￥26.39

有货

立即购买

型号：A3922KLPTR-T 编号：C3681470

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3922是一款N沟道功率MOSFET驱动器，能够控制以全桥（H桥）形式连接的MOSFET，专为驱动高功率感性负载的汽车应用而设计，如有刷直流电机、螺线管和执行器。其独特的电荷泵稳压器可为低至7V的电池电压提供可编程栅极驱动电压，使A3922在低至5.5V的栅极驱动电压下仍可工作。自举电容用于为N沟道MOSFET提供高于电池的电源电压

1+
￥13.25
10+
￥12.92
30+
￥12.7

有货

立即购买

型号：UCC27200D 编号：C181386

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

数据手册

1+
￥18.25
10+
￥15.55
30+
￥13.95

有货

立即购买

型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965

封装：TSSOP-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

数据手册

1+
￥26.18
10+
￥22.25
30+
￥19.92

有货

立即购买

型号：UCC27201ADRMR 编号：C2876552

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

1+
￥27.61
10+
￥23.54
30+
￥21.11

有货

立即购买

型号：DRV8242SQRHLRQ1 编号：C22428026

封装：VQFN-20-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV824x-Q1 器件系列是完全集成式 H 桥驱动器，适用于各种汽车应用。该器件是一款具有 PWM 或相位使能控制的双向全桥驱动器。该单片功率封装器件系列采用 BiCMOS 大功率工艺技术节点设计，提供了出色的电源处理能力和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流检测和诊断功能，稳健性较高。该系列提供相同的引脚功能和可扩展的 RON（电流能力），可支持不同的负载。这些器件集成了 N 沟道 H 桥、电荷泵稳压器、高侧电流检测和调节、电流比例输出以及保护电路。还提供了一种低功耗睡眠模式，以实现较低静态电流。这些器件提供电压监测和负载诊断以及过流和过热保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。这些器件提供三种型号-硬接线接口：HW (H) 和两种 SPI 接口型号：SPI(P) 和 SPI(S)，其中 SPI(P) 用于外部提供的逻辑电源，SPI(S) 用于内部生成的逻辑电源。SPI 接口型号可实现更加灵活的器件配置和故障监测。

数据手册

1+
￥34.16
10+
￥29.17
30+
￥26.21

有货

立即购买

型号：DMHC4035LSDQ-13 编号：C3279753

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代互补 MOSFET H 桥在 SO-8 封装中集成了 2N 和 2P 通道。该 H 桥符合 AEC-Q101 标准，非常适合驱动：螺线管、直流电机、音频输出。

1+
￥7.16
10+
￥5.79
30+
￥5.11

有货

立即购买

型号：UCC27201D 编号：C544969

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器系列包括一个120V自举二极管以及高端和低端驱动器，具有独立输入，可实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

数据手册

1+
￥7.95
10+
￥6.51
30+
￥5.72

有货

立即购买

型号：MS35631N 编号：C5372125

封装：QFN-36-EP(6x6)

品牌：杭州瑞盟

MS35631是一款四通道DMOS全桥驱动器，可以驱动两个步进电机或者四个直流电机。每个全桥的驱动电流在24V电源下可以工作到1A。集成了固定关断时间的PWM电流校正器，以及一个2bit的非线性DAC（数模转换器），可以工作在全步进，半步进，四分之一步进，正转，反转以及待机模式。PWM电流校正器使用混合衰减模式，可以减小音频电机噪声，提高步进精度以及降低功耗。芯片还内置内部同步整流控制电路以降低PWM工作时的功耗。芯片集成的保护电路有热关断迟滞，低压关断保护(UVLO)以及翻转电流保护，因此可以不需要特定的电源启动次序。

1+
￥9.61
10+
￥7.99
30+
￥7.1
100+
￥6.09

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示