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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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TLP2303(TPL,E(T
型号：TLP2303(TPL,E 编号：C4153842
封装：SO-5-4.6mm
品牌：TOSHIBA(东芝)
由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合组成，采用 SO6 封装。使用高速、高增益检测元件，电流传输比在 -40 至 125℃ 范围内最小为 900%（IF = 0.5 mA），适用于需要低输入电流和高速数据传输的应用。传输速率为 100 kbps，填补了通用晶体管耦合器和对应 1 Mbps 的 IC 耦合器之间的空白。

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    ￥3.59

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    ￥2.94

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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：TLP265J(T7-TPL,E 编号：C3008591
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。
    数据手册

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      ￥4.19

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLPN137(TP1,F) 编号：C99492
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册

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      ￥3.36
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216
    封装：SOP-6-6.8mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册

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      ￥7.16

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    TLP2710光耦合器
    型号：TLP2710(TP4,E 编号：C5346752
    封装：SOIC-6-300mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款5-Mbps低功耗光电耦合器，采用小型SO6L封装，厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.3mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。
    数据手册

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      ￥8.85

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP719(TP,F) 编号：C393902
    封装：SDIP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP719由GaAℓAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该单元是6引脚SDIP。TLP719比8引脚DIP小50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册

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      ￥12.28

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    TLP2270(TP4,E
    型号：TLP2270(TP4,E 编号：C5943071
    封装：SMD-8P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP2270由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。它采用厚度最大为2.35 mm的薄型SO8L封装。

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      ￥13.79

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    AC,DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP5214(TP,E 编号：C695256
    封装：SO-16-300mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是高度集成的4.0A输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。这款智能栅极驱动器光电耦合器具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 等功能。适用于驱动逆变器应用中的IGBT和功率MOSFET，由两个红外LED和两个高增益、高速IC组成，可实现高电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。
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      ￥16.3784 ￥27.76

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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLX9291A 编号：C911122
    封装：SOP-4-1.27mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
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    DC 3.75kV
    型号：TLP3905(TPL,E 编号：C5985865
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用SO6封装的光耦合器，由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP117(TPL,F 编号：C99473
    封装：SOP-5-3.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压100V
    型号：TLP3320(TP15,F 编号：C2152123
    封装：USOP-4-2.1mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用4引脚USOP封装的光电继电器，由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。
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      ￥31.4

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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V
    型号：TLP3407S(TP,E 编号：C2152160
    封装：VSON-4(1.5x2)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    光MOSFET与红外发光二极管光耦合，采用S-VSON4封装。具有极低的导通电阻，能够实现高达1.0A电流的导通和关断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。
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      ￥38.58

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    光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管
    型号：TLP785(D4-BLL,F 编号：C5381901
    封装：SO-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。
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      ￥0.8683

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    光电耦合器，红外LED和光电晶体管
    型号：TLP293(GB-TPL,E 编号：C5331602
    封装：SOIC-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0258

    • 50+

      ￥0.7952

    • 150+

      ￥0.6963
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    TLP293(V4-GRTL,E
    型号：TLP293(V4-GRTL,E 编号：C2998442
    封装：SO-4-2.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
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    • 1+

      ￥1.3005 ￥2.55

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      ￥1.1628 ￥2.28

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      ￥1.0251 ￥2.01

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      ￥0.9843 ￥1.93

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      ￥0.9639 ￥1.89
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    TLP185(BLL-TR,SE(T
    型号：TLP185(BLL-TR,SE 编号：C5370527
    封装：SOIC-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的 SO6 封装。比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4671

    • 50+

      ￥1.1647

    • 150+

      ￥1.0351

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      ￥0.8734
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    光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管
    型号：TLP185(Y-TPL,SE 编号：C5370548
    封装：SOIC-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP185(SE)由一个与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP185(SE)光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.58

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      ￥1.37

    • 150+

      ￥1.28

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      ￥1.16
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP383(D4YH-TL,E 编号：C17408829
    封装：SO-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

    • 5+

      ￥1.5803

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      ￥1.3913

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      ￥1.3103

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      ￥1.2092
  • 有货
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP385(D4GR-TL,E 编号：C17347869
    封装：SO-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

    • 1+

      ￥1.76

    • 10+

      ￥1.55

    • 30+

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    • 1000+

      ￥1.27
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    3.75kV
    型号：TLP184(BL-TPL,SE 编号：C5346750
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是交流输入型光耦合器，由与两个红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于比 DIP 封装小，适用于混合 IC 等高密度表面贴装应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.92

    • 10+

      ￥1.66

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      ￥1.55

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      ￥1.36

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      ￥1.32
  • 有货
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP293(V4-GHTL,E 编号：C28261576
    封装：SO-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

    • 1+

      ￥1.94

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      ￥1.39
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    光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管
    型号：TLP290(V4BLTP,SE 编号：C5370550
    封装：SOIC-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由光电晶体管组成，与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装，保证了 -55℃至110℃的宽工作温度范围和3750Vrms的高隔离电压，适用于高密度表面贴装应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.06

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      ￥1.78

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      ￥1.45

    • 1000+

      ￥1.42
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP292(BL-TPL,E 编号：C17569086
    封装：SOIC-4-4.55mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

    • 5+

      ￥2.2608

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      ￥1.757

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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP293(GRH-TPL,E 编号：C5370538
    封装：SOIC-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管在SO4封装中光耦合而成。保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（-55至125℃），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。
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    • 1+

      ￥2.36

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    • 30+

      ￥1.63
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP293(V4BLLTL,E 编号：C3008593
    封装：SO-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP293是一款低输入、高隔离型光耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
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    TLP5751(TP4,E
    型号：TLP5751(TP4,E 编号：C2991189
    封装：SOP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。
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    TLP2768A(D4TP4,E(T
    型号：TLP2768A(D4TP4,E 编号：C5370563
    封装：SOIC-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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    AC,DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：TLP290-4(V4GBTPE 编号：C2961982
    封装：SOP-16-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP290 - 4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4保证能在较宽的工作温度范围ΔTa = -55至110 °C内正常工作，因此它适用于诸如可编程控制器等高密度表面贴装应用
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    TLP2662(D4-TP1,F)
    型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567
    封装：SMD-8P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。
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