东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP185(GB-TPR,E 编号：C7421357

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥2.76
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￥2.43
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￥2.26
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￥2.1
500+
￥2

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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153769

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥2.89
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￥2.55
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￥2.21
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￥2.11
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￥2.06

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型号：TLP182(BL-TPL,E 编号：C7495066

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联红外LED光耦合组成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥3.09
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￥1.75
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￥1.59
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￥1.49

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型号：TLP291(V4B-TP,SE 编号：C22813837

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合而成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。

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￥3.23
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￥2.06
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￥1.92
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￥1.84

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型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥4.61
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￥4.14
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￥3.9
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￥3.67
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￥3.53
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￥3.46

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型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

数据手册

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￥5.3
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￥4.76
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￥4.46
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￥4.12
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￥3.97

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型号：TLP240J(TP1,F 编号：C2835182

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥7.5012 ￥7.98
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￥6.5352 ￥7.78
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￥5.5574 ￥7.51

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型号：TLP2710(TP4,E 编号：C5346752

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款5-Mbps低功耗光电耦合器，采用小型SO6L封装，厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.3mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。

数据手册

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￥8.85
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￥7.28
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￥6.41
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￥5.43
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￥5

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型号：TLP292-4(4LGBTRE 编号：C17309043

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥9.44
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￥7.94
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￥7
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￥6.03

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型号：TLX9291A 编号：C911122

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥12.5
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￥10.61
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￥8.22

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型号：TLP190B(TPL,U,C,F) 编号：C4153841

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOSFET栅极驱动器。

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￥17.52
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￥14.87
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￥13.21
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￥11.51

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型号：TLP785F(D4GRT7,F 编号：C4153781

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥1.0952
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￥0.8533
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￥0.7496
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￥0.6202
2000+
￥0.5626

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型号：TLP185(GRH-TL,SE 编号：C5156503

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的 SO6 封装。由于比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

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￥1.3376
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￥1.1589
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￥1.0824
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￥0.9869

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型号：TLP185(BLL-TR,SE 编号：C5370527

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的 SO6 封装。比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

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￥1.369
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￥1.0666
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￥0.937
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￥0.7753

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型号：TLP183(V4BLLTL,E 编号：C5370537

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

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￥1.75
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￥1.42
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￥1.24
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￥1.2

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型号：TLP385(D4GR-TL,E 编号：C17347869

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.35
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￥1.3
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￥1.27

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型号：TLP184(BL-TPL,SE 编号：C5346750

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是交流输入型光耦合器，由与两个红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于比 DIP 封装小，适用于混合 IC 等高密度表面贴装应用。

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￥1.92
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￥1.36
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型号：TLP385(GB-TPR,E 编号：C17283607

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.02
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￥1.63
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￥1.48
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￥1.38

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型号：TLP293(TPL,E 编号：C970960

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成，采用 SO4 封装。保证了高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽的工作温度 (-55 至 125℃)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥2.2592
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￥1.8055
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￥1.6111

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型号：TLP385(GRL-TPL,E 编号：C39447273

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.3
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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C7421359

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥2.84
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￥2.17
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￥2.02

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型号：TLP291(V4GBTP,E 编号：C5370552

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发光二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。

数据手册

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￥3.4
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￥3.04
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￥2.68
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￥2.52

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型号：TLP291(V4GBTP,E 编号：C5370572

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

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￥2.52

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型号：TLP5751(TP,E 编号：C4153774

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥4.53
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￥3.63
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￥3.17
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￥2.72
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￥2.45
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￥2.31

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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C393891

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反向并联方式，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具有拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑反相器输出。

数据手册

1+
￥4.9032 ￥9.08
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￥3.3352 ￥7.58
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￥2.2984 ￥6.76
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￥1.9822 ￥5.83
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￥1.8394 ￥5.41
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￥1.7748 ￥5.22

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型号：TLP2363(V4-TPL,E 编号：C5370586

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2363由高输出发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。该产品保证在高达105℃的温度下以及2.7至5.5V的电源下工作。它采用SO6封装。

数据手册

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￥4.92
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￥4.37
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￥4.07
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￥3.73
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￥3.57

有货

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型号：TLP293-4(LGBTP,E 编号：C17443862

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥5.79
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￥5.2
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￥4.88
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￥4.51

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型号：tlp548j 编号：C165888

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料DIP封装。

数据手册

1+
￥8.8236 ￥20.52
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￥5.7783 ￥17.51
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￥3.5949 ￥15.63
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￥3.151 ￥13.7
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￥2.9509 ￥12.83
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￥2.8635 ￥12.45

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型号：TLP293-4(4LGBTRE 编号：C7495070

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥10.6
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￥8.91
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￥7.85
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￥6.77

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型号：TLP5214(TP,E 编号：C695256

封装：SO-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高度集成的4.0A输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。这款智能栅极驱动器光电耦合器具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 等功能。适用于驱动逆变器应用中的IGBT和功率MOSFET，由两个红外LED和两个高增益、高速IC组成，可实现高电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

数据手册

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￥14.9904 ￥27.76
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￥10.5204 ￥23.91
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￥7.3508 ￥21.62
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￥6.562 ￥19.3
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￥6.2016 ￥18.24
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￥6.0384 ￥17.76

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