东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP293(TPL,E 编号：C970960

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成，采用 SO4 封装。保证了高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽的工作温度 (-55 至 125℃)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥2.2818
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￥1.8281
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￥1.6337
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￥1.3911

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型号：TLP184(TPL,SE 编号：C3008590

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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￥2.29
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￥1.57
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￥1.3

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型号：TLP385(BL-TPR,E 编号：C39707756

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.41
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￥2.12
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￥1.98
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￥1.83
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￥1.7

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型号：TLP385(D4-TPL,E 编号：C39708496

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.47
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￥2.06
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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C516863

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

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￥2.76 ￥6.9
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型号：TLP385(D4GB-TL,E 编号：C17256801

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.96
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￥2.3
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￥2.02
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￥1.42

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型号：TLP182(BL-TPL,E 编号：C7495066

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联红外LED光耦合组成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥3.09
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￥1.49

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型号：TLP291(V4GBTP,E 编号：C5370552

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发光二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。

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型号：TLP291(V4GBTP,E 编号：C5370572

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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￥3.4
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￥2.68
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￥2.57
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￥2.52

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型号：TLP387(TPL,E 编号：C7495072

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

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￥3.48
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￥2.51
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￥2.19
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￥2
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￥1.9

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型号：TLP290(GB,SE 编号：C5121287

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

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￥3.56
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￥2.13

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型号：TLP2748(D4-TP,E 编号：C725711

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm（最大值）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA，低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出，另有缓冲输出版本。

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￥4.94
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型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

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￥3.5
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￥2.54

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型号：TLP387(D4-TPL,E 编号：C17474491

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

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￥5.27
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￥4.19
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￥3.65
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￥3.12
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￥2.79

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型号：TLP2748(TP,E 编号：C2848502

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2748由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

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￥5.36
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￥2.9

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型号：TLP785(TELS-T6,F 编号：C2938722

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP（DIP4）封装，具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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型号：TLP785(BLL-TP6,F 编号：C2848506

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥1.1525
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型号：TLP291(GRH-TP,SE 编号：C192426

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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￥1.2245
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型号：TLP785(BL-TP6,F 编号：C2848507

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料DIP（DIP4）封装，具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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￥0.5449

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型号：TLP185(GRH-TL,SE 编号：C5156503

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的 SO6 封装。由于比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.3376
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￥1.1589
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￥0.9869

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型号：TLP293(YH-TPL,E 编号：C5351377

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由光电晶体管和红外 LED 光耦合组成，采用 SO4 封装。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽工作温度范围 (-55 至 125℃)，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.5513
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￥1.3414
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￥1.2515
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￥1.1393

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型号：TLP293(V4-BLTL,E 编号：C5331604

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥1.86
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￥1.36
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￥1.26

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型号：TLP385(GB-TPR,E 编号：C17283607

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

1+
￥2.02
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￥1.63
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￥1.38

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型号：TLP385(D4GB-TR,E 编号：C38234628

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.63
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￥1.52

有货

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型号：TLP185(TPR,SE 编号：C26805120

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥2.27
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￥1.76
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￥1.55

有货

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型号：TLP385(D4BL-TR,E 编号：C17585820

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

1+
￥2.28
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￥1.97
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￥1.84
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￥1.68
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￥1.61
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￥1.56

有货

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型号：TLP291(YH-TP,SE 编号：C2998441

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

5+
￥2.287
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￥1.7836
150+
￥1.5679

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C7421359

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

1+
￥2.84
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￥2.5
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￥2.34
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￥2.07
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￥2.02

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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153769

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥2.89
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￥2.11
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￥2.06

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型号：TLP291(BLL,SE 编号：C5349739

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度（-55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

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￥2.91
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￥2.27
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￥1.99
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