东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLX9309(TPL,F 编号：C17381893

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥31.51
10+
￥27.14
30+
￥24.54

有货

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型号：TLP291(BLL-TR,SE 编号：C5370574

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥1.4151
50+
￥1.2261
150+
￥1.1451
500+
￥1.044

有货

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型号：TLP290(BLL-TP,SE 编号：C3018645

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥1.88
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￥1.6
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￥1.49
100+
￥1.34
500+
￥1.27

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型号：TLP265J(V4-TPL,E）编号：C516861

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。

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1+
￥2.1546 ￥3.42
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￥1.4416 ￥2.72
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￥1.0406 ￥2.42
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￥0.8772 ￥2.04
500+
￥0.8084 ￥1.88
1000+
￥0.7611 ￥1.77

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型号：TLP184(V4-TPL,SE 编号：C5331593

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP184是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP184由一个光电晶体管和两个反并联连接的红外发光二极管光耦合而成，可由交流输入电流直接驱动。

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1+
￥2.38
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￥2.09
30+
￥1.97
100+
￥1.82
500+
￥1.75
1000+
￥1.71

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型号：TLP383(GRL-TPR,E 编号：C39623338

封装：SO-4L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥2.48
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￥1.93
30+
￥1.69
100+
￥1.39
500+
￥1.26
1000+
￥1.18

有货

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型号：TLP290(TP,SE 编号：C5362374

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反并联连接的红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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1+
￥2.52
10+
￥1.99
30+
￥1.75

有货

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型号：TLP185(GB-TPR,E 编号：C7421357

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥2.76
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￥2.43
30+
￥2.26
100+
￥2.1
500+
￥2
1000+
￥1.95

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型号：TLP290(V4-GB,SE) 编号：C3002260

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小且薄的SO4封装，保证在宽工作温度Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750 Vrms）下工作，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

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1+
￥2.95
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￥2.35
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￥2.09
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￥1.76
525+
￥1.62
1050+
￥1.53

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型号：TLP292(TPL,E 编号：C3008596

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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1+
￥3.25
10+
￥2.6
30+
￥2.27
100+
￥1.95

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型号：TLP160G(TPL,U,F) 编号：C2848498

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装，由光控三端双向可控硅和红外发光二极管光耦合而成。

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￥3.57
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￥3.49
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￥3.44
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￥3.39

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型号：TLP266J(V4-TPL,E 编号：C3002259

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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1+
￥3.762 ￥10.45
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￥2.5012 ￥9.62
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￥1.456 ￥9.1
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￥1.3712 ￥8.57
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￥1.3328 ￥8.33
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￥1.3168 ￥8.23

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型号：TLP385(D4BLLTL,E 编号：C3008595

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装，保证高隔离电压 (5000 Vrms)。由于与标准 DIP 封装相比，它的封装小而薄，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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1+
￥3.7874 ￥6.53
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￥2.616 ￥5.45
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￥1.8468 ￥4.86
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￥1.5922 ￥4.19
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￥1.4782 ￥3.89
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￥1.4288 ￥3.76

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型号：TLP2962F(TP4,F) 编号：C4153773

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。满足8mm的PC板间距要求。

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￥4.25
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￥3.8
30+
￥3.58
100+
￥3.35
500+
￥3.22

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型号：TLP628(GB,F) 编号：C435821

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓红外发光二极管与光电晶体管光耦合而成，集电极-发射极击穿电压为350V。TLP628-2在八引脚塑料DIP封装中提供两个隔离通道，而TLP628-4每个封装提供四个隔离通道。

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1+
￥4.74
10+
￥4.65
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￥4.59

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型号：TLP3052A(D4TP1,F 编号：C28260533

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥5.87
10+
￥5.32
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￥5.01
100+
￥4.67

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型号：TLP701H(TP,F) 编号：C4153777

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品是一款采用SDIP6封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125°C的温度下保证性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，该光耦合器体积更小，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。它具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，拥有图腾柱输出，能够吸收和提供电流，非常适合用于IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

1+
￥6.11
10+
￥5.03
30+
￥4.43
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￥3.76

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型号：TLP293-4(4LGBTPE 编号：C17297808

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥6.38
10+
￥5.73
30+
￥5.37
100+
￥4.96
500+
￥4.78

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C7124390

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。特别地，该光耦合器保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。此外，它具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

1+
￥6.42
10+
￥5.17
30+
￥4.55

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型号：TLP292-4(V4LATPE 编号：C5351376

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与两个反向并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO16封装。保证宽工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

1+
￥7.7221 ￥16.43
10+
￥6.5894 ￥14.02
30+
￥5.8797 ￥12.51
100+
￥5.1559 ￥10.97
500+
￥4.8269 ￥10.27
1000+
￥4.6859 ￥9.97

有货

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型号：TLP719(D4-TP,F) 编号：C393901

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs高输出发光二极管和高速探测器组成。这是一款6引脚SDIP封装产品，比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽层，可有效抗共模噪声瞬变，适用于嘈杂的环境条件。

数据手册

1+
￥8.05
10+
￥6.72
30+
￥5.99

有货

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型号：TLP292-4(4LGBTP,E 编号：C5348963

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥8.95
10+
￥7.32
30+
￥6.43

有货

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型号：TLP3906(C20TL,E 编号：C7528661

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

1+
￥9.5
10+
￥7.99
30+
￥7.05

有货

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型号：TLP700H(TP,F) 编号：C4153775

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP700H是一款采用6引脚SDIP封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电检测IC芯片光学耦合而成。它在高达125℃的温度下提供保证的性能和规格。TLP700H比采用8引脚DIP封装的产品体积更小，并符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小的占位解决方案。内部噪声屏蔽确保了±20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。它非常适合用于IGBT和功率MOSFET的栅极驱动。

1+
￥10.82
10+
￥9.11
30+
￥8.03

有货

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型号：tlp548j 编号：C165888

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料DIP封装。

数据手册

1+
￥12.9276 ￥20.52
10+
￥11.0313 ￥17.51
50+
￥9.8469 ￥15.63
100+
￥8.631 ￥13.7
500+
￥8.0829 ￥12.83
1000+
￥7.8435 ￥12.45

有货

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型号：TLP2372(TPL,E 编号：C5960885

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥14.9
10+
￥12.72
30+
￥11.35
100+
￥9.95

有货

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型号：TLP190B(TPL,U,C,F) 编号：C4153841

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOSFET栅极驱动器。

1+
￥17.52
10+
￥14.87
30+
￥13.21
100+
￥11.51

有货

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型号：TLP3910(D4C20TPE 编号：C5960932

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3910是一款采用SO6L封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管与一个光电二极管阵列光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使TLP3910适用于MOS栅极驱动应用。此外，为提高开路电压（VOC），TLP3910也适用于驱动超结结构（SJ）MOSFET

1+
￥20.9
10+
￥18
30+
￥16.27

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型号：TLP5231(D4-TP,E 编号：C691205

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5231是一款高度集成的2.5 A双输出IGBT栅极驱动光电耦合器，其多功能IC采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。该光电耦合器适合作为预驱动器，通过外部p沟道和n沟道MOSFET作为缓冲器来驱动功率器件。TLP5231是一款智能栅极驱动光电耦合器，具备IGBT/功率MOSFET去饱和检测、隔离故障状态反馈、软关断栅极、有源密勒钳位和欠压锁定（UVLO）等功能

数据手册

1+
￥23.4688 ￥36.67
10+
￥20.2112 ￥31.58
30+
￥18.2784 ￥28.56
100+
￥16.32 ￥25.5
500+
￥15.4176 ￥24.09
1500+
￥15.008 ￥23.45

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型号：TLP3406S(TP,E 编号：C2152167

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3406S光电继电器由一个与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用SVSON4封装。TLP3406S的特点是导通电阻非常小，能够对高达1的电流进行开/关切换

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1+
￥34.97
10+
￥29.72
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￥26.59

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