东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP3083(TP1,F 编号：C146363

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥6.545 ￥8.5
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￥5.2394 ￥7.82
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￥4.218 ￥7.4
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￥3.8133 ￥6.69

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型号：TLP293-4(V4-GB,E 编号：C94261

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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￥8.15
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￥6.81
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￥6.07
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￥5.24

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型号：TLP2405(TP,F) 编号：C99489

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用8引脚SO8封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±15 kV/μs的共模瞬态抗扰度，有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

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￥9.96
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￥8.45
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￥7.51
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￥6.54
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￥6.11

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型号：TLP2662(TP1,F) 编号：C5381897

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2662/TLP2662F由高强度GaAℓAs红外发光二极管（LED）与高增益、高速感光芯片光耦合组成。TLP2662/TLP2662F可保证在最高125 °C的温度下，以及2.7 V至5 V的电源电压下工作。

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￥12.41
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￥9.22

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型号：TLP2367(E 编号：C6285469

封装：11-4L1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2367是一款采用小型SO6封装的50 Mbps高速光电耦合器。TLP2367由高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，可在-40°C至125°C的工作温度范围以及2.7 V至5.5 V的电源电压下实现高速开关性能。

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￥13.58
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￥10.06
125+
￥8.68

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型号：TLX9188(GBTPL,F 编号：C17336323

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLX9188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLX9188采用非常小巧轻薄的SO6（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高（VCEO = 200 V），TLX9188适用于电池管理系统

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￥28.2
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￥23.94
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￥21.41
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￥18.86

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型号：TLP3320(TP15,F 编号：C2152123

封装：USOP-4-2.1mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用4引脚USOP封装的光电继电器，由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。

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￥31.05
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￥26.37
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￥23.58
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￥20.77

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型号：TLP785(D4GHTR6,F 编号：C5331607

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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￥0.4712
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￥0.3925
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2000+
￥0.357

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型号：TLP291(BLL-TR,SE 编号：C5370574

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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5+
￥1.4151
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￥1.2261
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￥1.1451
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￥1.044

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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C695252

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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5+
￥1.6166
50+
￥1.2555
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￥1.1007

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型号：TLP293(V4-BLTL,E 编号：C5331604

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.86
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￥1.6
30+
￥1.5
100+
￥1.36
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￥1.3
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￥1.26

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型号：TLP265J(V4-TPL,E）编号：C516861

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。

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￥2.223 ￥3.42
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￥1.496 ￥2.72
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￥1.089 ￥2.42
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￥0.846 ￥1.88
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型号：TLP184(V4-TPL,SE 编号：C5331593

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP184是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP184由一个光电晶体管和两个反并联连接的红外发光二极管光耦合而成，可由交流输入电流直接驱动。

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1+
￥2.38
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￥2.09
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￥1.97
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￥1.82
500+
￥1.75
1000+
￥1.71

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型号：TLP185(V4GHTL,SE 编号：C5370565

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP185(SE)由一个与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP185(SE)光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。

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￥2.64
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￥2.36
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￥2.22
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￥2
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￥1.95

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型号：TLP293(BL,E 编号：C435820

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由光电晶体管与红外发光二极管光耦合而成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms），且工作温度范围宽（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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1+
￥2.68
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￥2.09
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￥1.84

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型号：TLP290(V4-GB,SE) 编号：C3002260

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小且薄的SO4封装，保证在宽工作温度Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750 Vrms）下工作，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

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￥2.95
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￥2.35
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￥2.09
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型号：TLP292(TPL,E 编号：C3008596

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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1+
￥3.25
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￥2.6
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￥2.27

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型号：TLP385(D4BLLTL,E 编号：C3008595

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装，保证高隔离电压 (5000 Vrms)。由于与标准 DIP 封装相比，它的封装小而薄，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥3.4609 ￥6.53
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￥2.3435 ￥5.45
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￥1.6038 ￥4.86
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￥1.3827 ￥4.19
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￥1.2408 ￥3.76

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型号：TLP184(TPR,SE 编号：C5370579

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

AC输入型光耦合器，由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于比DIP封装小，适用于混合集成电路等高密度表面贴装应用。

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1+
￥3.8
10+
￥3.04
30+
￥2.66
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￥2.28

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型号：TLP2710(D4-TP,E 编号：C5370561

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

5-Mbps低功耗光电耦合器，采用小型SO6L封装，厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.3mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。

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￥5.24
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￥4.7
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￥4.4
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￥4.06

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型号：TLP2748(TP,E 编号：C2848502

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2748由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

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￥5.39
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￥4.27
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￥3.71
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￥3.15
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￥2.82

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型号：TLP5752(D4-TP,E 编号：C2990806

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。

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￥6.08
10+
￥5
30+
￥4.41
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￥3.74
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￥3.44

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C7124390

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。特别地，该光耦合器保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。此外，它具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。