东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP268J(TPL,E 编号：C71643

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥4.39
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￥3.29
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￥2.5756 ￥2.74
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型号：TLP3451(TP,F 编号：C2152050

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3451是非常小外形的非引线光电继电器，适用于表面贴装组装。TLP3451由与光电MOSFET光耦合的红外LED组成，采用VSON 4引脚封装。TLP3451具有低输出电容CoFF，因此可实现高频信号的快速开关，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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￥24.94
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￥21.19
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￥18.96
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￥16.7

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型号：TLP191B(U,C,F) 编号：C150137

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

小型扁平耦合器适用于表面贴装组装，由砷化镓红外发光二极管和与分流电阻串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOS FET栅极驱动。

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￥32.55
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￥27.81
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型号：TLP291(BL-TP,SE 编号：C17193662

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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￥0.9909
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￥0.7701
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￥0.6754
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￥0.5574
2500+
￥0.5048

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型号：TLP291(BLL-TP,SE 编号：C5350396

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（-55至110℃）和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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￥1.1797
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￥0.9168
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￥0.8042
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￥0.6636

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型号：TLP781(GR-TP6,F) 编号：C58371

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP781由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

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￥1.3598
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￥0.9278
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￥0.7662

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型号：TLP293(BLL-TPL,E 编号：C3008594

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.1113
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￥1.6577
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型号：TLP385(GRL-TPL,E 编号：C39447273

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.3
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￥2
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￥1.87
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￥1.7
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￥1.63
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型号：TLP265J(TPR,E 编号：C2844516

封装：SO-4-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。

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￥2.49
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￥1.93
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型号：TLP291(V4GLTR,SE 编号：C5370578

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合而成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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￥3.07
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￥2.71
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型号：TLP5701(D4-TP,E 编号：C2892104

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，它在物理尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥3.61
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￥2.87
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￥2.5
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型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

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￥4.69
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型号：TLP2363(V4-TPL,E 编号：C5370586

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2363由高输出发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。该产品保证在高达105℃的温度下以及2.7至5.5V的电源下工作。它采用SO6封装。

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￥4.07
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￥3.5

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型号：TLP2345(V4-TPL,E 编号：C38084587

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流和 1.6mA 低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微电脑直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±30kV/μs，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

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型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。