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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用SO6封装,保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
数据手册
  • 1+

    ¥3.7696 ¥5.89
  • 10+

    ¥2.5866 ¥4.79
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    ¥1.8656 ¥4.24
  • 100+

    ¥1.628 ¥3.7
  • 500+

    ¥1.4828 ¥3.37
  • 1000+

    ¥1.408 ¥3.2
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出,可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥3.02
    • 100+

      ¥2.61
    • 500+

      ¥2.37
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm(最大)的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下工作,电源电压范围为2.7V至5.5V。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.67
    • 10+

      ¥3.77
    • 30+

      ¥3.31
    • 100+

      ¥2.86
    • 500+

      ¥2.59
    • 1500+

      ¥2.46
  • 有货
  • 由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用 SO6L 封装。该产品可安装在与东芝 SDIP6 封装相同的焊盘图案上。此外,SO6L 封装的最大高度为 2.3mm,比传统 SDIP6 封装薄约 45%。其低矮的封装有助于减小系统尺寸,并且可以放置在对高度有限制的位置,如电路板背面。此外,由于该产品保证了 5kVrms(最小值)的高隔离电压,因此符合国际安全标准的加强绝缘等级。
    • 1+

      ¥5.35
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      ¥4.27
    • 30+

      ¥3.73
    • 100+

      ¥3.19
    • 500+

      ¥2.87
    • 1500+

      ¥2.7
  • 有货
  • TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器,采用SO6封装,由与铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.39
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      ¥4.39
    • 30+

      ¥3.88
    • 100+

      ¥3.38
    • 500+

      ¥3.09
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此,在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽,以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此,该产品适用于嘈杂的环境条件。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.57
    • 10+

      ¥5.04
    • 30+

      ¥4.75
    • 100+

      ¥4.42
    • 500+

      ¥3.79
    • 1000+

      ¥3.72
  • 有货
    • 1+

      ¥5.69
    • 10+

      ¥4.54
    • 30+

      ¥3.96
    • 100+

      ¥3.39
    • 500+

      ¥3.05
    • 1500+

      ¥2.88
  • 有货
  • 由高输出红外 LED 与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达 125℃ 的温度和 2.7-5.5V 的电源下工作。采用 SO6 封装。具有内部法拉第屏蔽,可保证 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.69
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥3.98
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      ¥3.42
    • 500+

      ¥3.08
    • 1000+

      ¥2.91
  • 有货
  • TLP5772由一个镓铝砷(GaAℓAs)红外发光二极管以及一个集成的高增益、高速光电探测器组成,采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比,TLP5772的尺寸缩小了50%,并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.14
    • 10+

      ¥4.98
    • 30+

      ¥4.39
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      ¥3.81
    • 500+

      ¥3.05
    • 1500+

      ¥2.87
  • 有货
  • 由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出,能够吸电流和拉电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

      ¥5.27
    • 30+

      ¥4.68
    • 100+

      ¥4.01
    • 500+

      ¥3.71
    • 1000+

      ¥3.57
  • 有货
  • TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成,可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C)和较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥7.46
    • 10+

      ¥6.79
    • 30+

      ¥6.38
    • 100+

      ¥5.95
    • 500+

      ¥5.76
    • 1000+

      ¥5.68
  • 有货
  • 是小外形耦合器,适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 5+

      ¥0.8955
    • 50+

      ¥0.7905
    • 150+

      ¥0.7455
    • 500+

      ¥0.6894
    • 3000+

      ¥0.5599
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用 4 引脚 SO6L 封装,保证高隔离电压(5000 Vrms)。由于与标准 DIP 封装相比,具有体积小、薄的特点,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3251
    • 50+

      ¥1.0532
    • 150+

      ¥0.9367
    • 500+

      ¥0.6769
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.76
    • 10+

      ¥1.53
    • 30+

      ¥1.43
    • 100+

      ¥1.3
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由一个光电晶体管和一个红外 LED 光耦合在 SO4 封装中组成。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.79
    • 10+

      ¥1.55
    • 30+

      ¥1.44
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      ¥1.31
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9595
    • 50+

      ¥1.5556
    • 150+

      ¥1.3825
    • 500+

      ¥1.1665
    • 3000+

      ¥1.0704
  • 有货
  • 东芝微型扁平耦合器TLP185是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP185由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP185比DIP封装更小,因此它适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.145 ¥3.3
    • 10+

      ¥1.6225 ¥2.95
    • 30+

      ¥1.2465 ¥2.77
    • 100+

      ¥1.17 ¥2.6
    • 500+

      ¥1.125 ¥2.5
    • 1000+

      ¥1.098 ¥2.44
  • 有货
  • TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器,由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装,具有高抗噪性和高隔离电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.7001 ¥8.71
    • 10+

      ¥1.6842 ¥8.02
    • 30+

      ¥0.8338 ¥7.58
    • 100+

      ¥0.7854 ¥7.14
    • 500+

      ¥0.7634 ¥6.94
    • 1000+

      ¥0.7546 ¥6.86
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    • 1+

      ¥2.88
    • 10+

      ¥2.24
    • 30+

      ¥1.97
    • 175+

      ¥1.63
    • 525+

      ¥1.48
    • 1050+

      ¥1.39
  • 有货
    • 1+

      ¥3.04
    • 10+

      ¥2.36
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.54
    • 1000+

      ¥1.44
  • 有货
  • TLP388由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP388采用薄型SO6L(4引脚)封装,可保证在高温环境下工作(最高环境温度Ta = 125 °C)。集电极 - 发射极间的击穿电压(VCEO)高达350 V,TLP388适用于可编程逻辑控制器(PLC)和家用电器,包括空调
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥2.71
    • 30+

      ¥2.53
    • 100+

      ¥2.35
    • 500+

      ¥2.24
    • 1000+

      ¥2.18
  • 有货
  • 适用于表面贴装组件的小型扁平耦合器,由红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成。采用6引脚SO封装,保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6
    • 10+

      ¥3.76
    • 30+

      ¥3.34
    • 100+

      ¥2.92
    • 500+

      ¥2.67
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.12
    • 10+

      ¥7.68
    • 50+

      ¥6.17
    • 100+

      ¥5.27
  • 有货
    • 1+

      ¥13.69
    • 10+

      ¥11.55
    • 30+

      ¥10.21
    • 100+

      ¥8.84
    • 500+

      ¥8.22
    • 1500+

      ¥7.95
  • 有货
  • 由与红外 LED 光耦合的光电 MOSFET 组成,采用 2.54SOP6 封装。低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.87
    • 10+

      ¥21.1
    • 30+

      ¥18.86
    • 100+

      ¥16.59
  • 有货
  • TLP3451是非常小外形的非引线光电继电器,适用于表面贴装组装。TLP3451由与光电MOSFET光耦合的红外LED组成,采用VSON 4引脚封装。TLP3451具有低输出电容CoFF,因此可实现高频信号的快速开关,非常适合高速测试仪中的开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.34
    • 10+

      ¥22.59
    • 30+

      ¥20.36
    • 100+

      ¥18.1
  • 有货
    • 1+

      ¥28.98
    • 10+

      ¥24.56
    • 25+

      ¥21.93
    • 100+

      ¥19.27
  • 有货
  • TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装,是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110°C)和较高的隔离电压(3750Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2096
    • 50+

      ¥0.9425
    • 150+

      ¥0.828
    • 500+

      ¥0.6852
    • 2500+

      ¥0.6216
    • 5000+

      ¥0.5834
  • 有货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.357
    • 50+

      ¥1.0546
    • 150+

      ¥0.925
    • 500+

      ¥0.7633
    • 2000+

      ¥0.6913
    • 4000+

      ¥0.648
  • 有货
    • 5+

      ¥1.4331
    • 50+

      ¥1.2441
    • 150+

      ¥1.1631
    • 500+

      ¥1.0621
    • 3000+

      ¥1.0171
    • 6000+

      ¥0.9901
  • 有货
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