东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP240A(TP1,F 编号：C2931195

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240A和TLP240AF光继电器由一个光电MOSFET与红外LED光学耦合组成。它们采用4引脚DIP封装。它们提供5000Vrms的隔离电压，适用于需要加强绝缘的应用。

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￥5.37
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￥4.29
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￥3.75
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￥3.21
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￥2.89
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￥2.73

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型号：TLP2719(D4-TP4,E 编号：C7124355

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6L 封装。该产品可安装在与东芝 SDIP6 封装相同的焊盘图案上。此外，SO6L 封装的最大高度为 2.3mm，比传统 SDIP6 封装薄约 45%。其低矮的封装有助于减小系统尺寸，并且可以放置在对高度有限制的位置，如电路板背面。此外，由于该产品保证了 5kVrms（最小值）的高隔离电压，因此符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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￥5.53
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￥3.91

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型号：TLP293-4(LGBTP,E 编号：C17443862

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥5.79
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￥4.51

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型号：TLP548J(TP1,F) 编号：C393900

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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￥5.97
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￥5.62

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型号：TLP5752(D4-TP,E 编号：C2990806

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。

数据手册

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￥6.62
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型号：TLP3083(TP1,F 编号：C146363

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

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￥6.97 ￥8.5
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￥4.588 ￥7.4
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￥4.3214 ￥6.97
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￥4.2036 ￥6.78
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￥4.1478 ￥6.69

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型号：TLP2710(D4-TP,E 编号：C5370561

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

5-Mbps低功耗光电耦合器，采用小型SO6L封装，厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.3mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。

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￥7.21
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￥5.9
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￥5.18
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￥4.36
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型号：TLP2301(V4-TPL,E) 编号：C3003191

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥8.71
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￥7.27
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￥6.48

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型号：TLP2405(TP,F) 编号：C99489

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用8引脚SO8封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±15 kV/μs的共模瞬态抗扰度，有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

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￥9.58
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￥8.08
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￥7.13
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￥6.17
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￥5.73

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型号：TLP3450(TP,F 编号：C2152243

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3450是一款超小外形、无引脚的光电继电器，适用于表面贴装。TLP3450由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合而成，采用VSON 4引脚封装。TLP3450的特点是输出电容CoFF低，因此能够快速开关高频信号，非常适合高速测试仪中的开关应用

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￥29.51
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￥25.01
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￥22.33

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型号：TLP3107A(TP,F 编号：C1857558

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外 LED 光耦合的光电 MOSFET 组成，采用 2.54SOP6 封装。低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用。

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￥32.66
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￥27.67
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￥24.71

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型号：TLP3407SRH(TP,E 编号：C1880964

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3407SRH光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRH的特点是导通电阻非常小，导通/关断时的电流高达1 A，非常适合高速测试仪中的开关应用

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￥46.7
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￥39.93
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￥35.79

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型号：TLP785(TELS,F 编号：C41382561

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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￥0.7501
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￥0.5869
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￥0.5053

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型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C5331599

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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￥0.8341
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￥0.5605
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￥0.4921
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2500+
￥0.41

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型号：TLP785F(D4GRT7,F 编号：C4153781

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥1.193
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￥0.9507
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￥0.8469

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型号：TLP292(GR-TPR,E 编号：C5331601

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.3824 ￥2.16
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￥1.2032 ￥1.88
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￥1.12 ￥1.75
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￥1.024 ￥1.6
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￥0.9856 ￥1.54
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￥0.9536 ￥1.49

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型号：TLP185(Y-TPL,SE 编号：C17666883

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.58
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￥1.37
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￥1.28
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￥1.16

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型号：TLP183(BLL-TPL,E 编号：C5346749

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（-55℃至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.8138
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￥1.4096
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￥1.2363

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型号：TLP182(GR-TPL,E 编号：C17554146

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联红外LED光耦合组成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.87
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￥1.33

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型号：TLP385(D4GR-TR,E 编号：C38086789

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.42
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￥1.91
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￥1.7
500+
￥1.43

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型号：TLP185(SE 编号：C22452671

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.85
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￥2.22
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￥1.37

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型号：TLP2309(TPL,E 编号：C7527971

封装：SOIC-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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￥3.56
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￥2.76
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￥2.42

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型号：TLP184(TPR,SE 编号：C5370579

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

AC输入型光耦合器，由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于比DIP封装小，适用于混合集成电路等高密度表面贴装应用。

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￥3.8
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￥3.04
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￥2.66
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￥2.28

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型号：TLP183(GRL-TPL,E 编号：C192587

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

数据手册

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￥4.17
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￥3.16
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￥2.66
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￥1.7496 ￥2.16
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￥1.5066 ￥1.86
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￥1.377 ￥1.7

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型号：TLP2761(TP4,E 编号：C20613155

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。