东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP170AM(V4TPL,E 编号：C5213674

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外LED和一个光MOSFET耦合组成，采用4引脚SO6封装。该光继电器比光电晶体管型光电耦合器具有更高的输出电流额定值，因此适用于大电流的通断控制。

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型号：TLP2766F(D4-TP,F) 编号：C22385525

封装：SDIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。采用SDIP6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：TLP117(TPL,F 编号：C99473

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成

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型号：TLP3905(TPL,E 编号：C5985865

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光耦合器，由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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型号：TLP627-4(F) 编号：C2987290

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由一个红外发光二极管和一个达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

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型号：TLP3407SRH(TP,E 编号：C1880964

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3407SRH光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRH的特点是导通电阻非常小，导通/关断时的电流高达1 A，非常适合高速测试仪中的开关应用

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型号：TLP291(GB-TP,SE 编号：C5255297

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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型号：TLP785(TELS,F 编号：C41382561

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C5331599

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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型号：TLP383(D4YH-TL,E 编号：C17408829

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP293(YH-TPL,E 编号：C5351377

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由光电晶体管和红外 LED 光耦合组成，采用 SO4 封装。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽工作温度范围 (-55 至 125℃)，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP185(Y-TPL,SE 编号：C5370548

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP185(SE)由一个与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP185(SE)光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。

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型号：TLP781(GB,F) 编号：C84603

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料DIP封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

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型号：TLP293(V4-GHTL,E 编号：C28261576

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP290(V4BLTP,SE 编号：C5370550

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装，保证了 -55℃至110℃的宽工作温度范围和3750Vrms的高隔离电压，适用于高密度表面贴装应用。

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型号：TLP290(TP,SE 编号：C5362374

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反并联连接的红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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型号：TLP383(GRL-TPR,E 编号：C39623338

封装：SO-4L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥2.48
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型号：TLP293(V4-GLTL,E 编号：C39597287

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP183(BL,E 编号：C5370580

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP2303(TPL,E 编号：C4153842

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合组成，采用 SO6 封装。使用高速、高增益检测元件，电流传输比在 -40 至 125℃ 范围内最小为 900%（IF = 0.5 mA），适用于需要低输入电流和高速数据传输的应用。传输速率为 100 kbps，填补了通用晶体管耦合器和对应 1 Mbps 的 IC 耦合器之间的空白。

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型号：TLP5702H(D4TP4,E 编号：C6553544

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP266J(V4-TPL,E 编号：C3002259

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥0.9876 ￥8.23

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C516863

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP5701(TP4,E 编号：C5362149

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一个采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个红外LED和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合组成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP387(D4-TPL,E 编号：C17474491

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

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￥3.65
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型号：TLP2768A(D4TP4,E 编号：C5370563

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥3.79
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￥3.29
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￥2.99

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型号：TLP2761(TP4,E 编号：C20613155

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。