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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成,采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作,最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎),有助于设备节能,可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度,具有反相器输出。
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  • 1+

    ¥5.22
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    ¥4.18
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    ¥2.68
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  • TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此,在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽,以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此,该产品适用于嘈杂的环境条件。
    数据手册
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      ¥3.72
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  • 由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作,电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装,内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
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      ¥3.12
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  • TLP290 - 4光耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于其在 -55至110°C的宽工作温度范围内性能有保障,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
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      ¥5.2
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      ¥4.57
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      ¥3.4
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  • TLP5772由一个镓铝砷(GaAℓAs)红外发光二极管以及一个集成的高增益、高速光电探测器组成,采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比,TLP5772的尺寸缩小了50%,并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
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      ¥7.26
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      ¥5.88
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      ¥5.19
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      ¥4.5
    • 500+

      ¥3.6
  • 有货
  • 光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装,保证绝缘厚度为0.4mm(最小值)。因此,该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    • 1+

      ¥7.35
    • 10+

      ¥6.09
    • 30+

      ¥5.4
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      ¥4.61
    • 500+

      ¥4.27
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  • TLP182是一款低交流输入型光电耦合器,采用SO6封装,由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管光耦合而成。由于TLP182保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
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      ¥1.0715
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      ¥0.7213
    • 6000+

      ¥0.6985
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
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    • 5+

      ¥1.159014 ¥1.3322
    • 50+

      ¥0.903364 ¥1.1732
    • 150+

      ¥0.740417 ¥1.1051
    • 500+

      ¥0.683467 ¥1.0201
    • 2500+

      ¥0.658141 ¥0.9823
    • 5000+

      ¥0.642932 ¥0.9596
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
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    • 5+

      ¥1.26356 ¥3.1589
    • 50+

      ¥1.09996 ¥2.7499
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      ¥1.02984 ¥2.5746
    • 500+

      ¥0.94236 ¥2.3559
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      ¥0.9034 ¥2.2585
    • 6000+

      ¥0.88 ¥2.2
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由一个光电晶体管和一个红外 LED 光耦合在 SO4 封装中组成。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
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      ¥1.79
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      ¥1.55
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    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 是小外形耦合器,适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 5+

      ¥1.9292
    • 50+

      ¥1.5095
    • 150+

      ¥1.3296
    • 500+

      ¥1.0552
    • 3000+

      ¥0.9553
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由一个与铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(-55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9399
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      ¥1.5114
    • 150+

      ¥1.3277
    • 500+

      ¥1.0986
  • 有货
  • TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器,采用SO6封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压(3750 Vrms)和宽工作温度范围(Ta = -55至125 °C)。与DIP封装相比,TLP183体积更小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 5+

      ¥2.073
    • 50+

      ¥1.6245
    • 150+

      ¥1.4322
    • 500+

      ¥1.1143
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  • TLP385是一款高隔离型光电耦合器,采用4引脚SO6L封装,由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP385保证具有高隔离电压(5000 Vrms)。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.2724 ¥2.47
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      ¥1.7876 ¥2.18
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      ¥1.3608 ¥1.89
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      ¥1.3104 ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.2816 ¥1.78
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  • TLP184(SE是AC输入型光电耦合器,由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE采用非常小而薄的SO6封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于TLP184(SE比DIP封装小,适用于混合IC等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.68
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥2.1
    • 500+

      ¥2.02
    • 1000+

      ¥1.97
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装,是非常小且薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于如小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.87
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • 由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反向并联方式,因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级,具有拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽,保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑反相器输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.9044 ¥9.08
    • 10+

      ¥2.5014 ¥7.58
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      ¥1.5548 ¥6.76
    • 100+

      ¥1.3409 ¥5.83
    • 500+

      ¥1.2443 ¥5.41
    • 1000+

      ¥1.2006 ¥5.22
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO6封装,内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.29
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥2.99
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.31
    • 1000+

      ¥2.18
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。
    • 1+

      ¥4.29
    • 10+

      ¥3.79
    • 30+

      ¥3.53
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥3.13
  • 有货
  • TLP5752由一个红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比,TLP5752尺寸缩小了50%,并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.78
    • 10+

      ¥3.82
    • 30+

      ¥3.34
    • 100+

      ¥2.86
    • 500+

      ¥2.57
  • 有货
  • 东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压:80 V(最小值)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.47
    • 10+

      ¥4.43
    • 30+

      ¥3.91
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 1+

      ¥5.69
    • 10+

      ¥5.16
    • 30+

      ¥4.87
    • 100+

      ¥4.55
    • 500+

      ¥4.4
  • 有货
  • 由非过零光控可控硅与红外LED光耦合组成,采用DIP6封装,保证绝缘厚度为0.4mm(最小值),因此,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    • 1+

      ¥5.72
    • 10+

      ¥4.64
    • 30+

      ¥4.1
    • 100+

      ¥3.57
    • 500+

      ¥3.25
    • 1500+

      ¥3.08
  • 有货
    • 1+

      ¥5.74
    • 10+

      ¥4.59
    • 30+

      ¥4.02
    • 100+

      ¥3.45
    • 500+

      ¥3.11
    • 1500+

      ¥2.93
  • 有货
  • TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器,由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装,具有高抗噪性和高隔离电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.69
    • 10+

      ¥7
    • 30+

      ¥6.56
    • 100+

      ¥6.12
    • 500+

      ¥5.92
    • 1000+

      ¥5.83
  • 有货
  • TLP293 - 4由与铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C)和较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.73
    • 10+

      ¥6.39
    • 50+

      ¥5.66
    • 100+

      ¥4.83
    • 500+

      ¥4.46
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.67
    • 10+

      ¥7.23
    • 50+

      ¥5.72
    • 100+

      ¥4.82
    • 500+

      ¥4.42
  • 有货
  • 是一款20Mbps的低功耗光耦合器,采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm,保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内,最大电源电流仅为0.4mA,可在低至2.7V的电源电压下工作,有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA,允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.26
    • 10+

      ¥8.71
    • 30+

      ¥7.74
    • 100+

      ¥6.51
    • 500+

      ¥6.06
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 1+

      ¥10.83
    • 10+

      ¥9.14
    • 30+

      ¥8.08
    • 100+

      ¥7
  • 有货
  • TLP3555A 和 TLP3555AF 光电继电器由与红外 LED 光耦合的光电 MOSFET 组成。它采用 4 引脚 DIP 封装。TLP3555A 和 TLP3555AF 的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用
    • 1+

      ¥19.06
    • 10+

      ¥16.2
    • 30+

      ¥14.49
    • 100+

      ¥12.77
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