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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中,电机电流流经外部电阻,产生的模拟电压降由隔离放大器感应。
  • 1+

    ¥26.26
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    ¥22.44
  • 30+

    ¥20.17
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    ¥17.88
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    ¥16.82
  • 1500+

    ¥16.34
  • 有货
  • 东芝TLP197A由一个铝镓砷化物红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成,采用SOP封装,适用于表面贴装组装。TLP197A适用于许多需要节省空间的应用场景中,以替代机械继电器。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.89
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      ¥23.87
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      ¥21.48
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      ¥19.06
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    • 1000+

      ¥17.45
  • 有货
  • TLP290 由光电晶体管组成,该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合,可由交流输入电流直接驱动。由于 TLP290 保证了较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 110 °C 以及较高的隔离电压(3750Vrms),因此适用于可编程控制器和混合集成电路等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8318
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      ¥1.479
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      ¥1.2331
    • 500+

      ¥1.0445
    • 2500+

      ¥0.9605
    • 5000+

      ¥0.91
  • 有货
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      ¥2.0305 ¥6.55
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      ¥0.6182 ¥5.62
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      ¥0.5775 ¥5.25
    • 500+

      ¥0.5588 ¥5.08
    • 1000+

      ¥0.5511 ¥5.01
  • 有货
  • TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器,采用 SO4 封装,由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C,因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 5+

      ¥2.2416
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      ¥1.7376
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      ¥1.5216
    • 500+

      ¥1.2521
    • 2500+

      ¥1.1321
    • 5000+

      ¥1.06
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装,是非常小且薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于如小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.87
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • 由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合,采用六引脚塑料DIP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.34
    • 10+

      ¥3.5
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      ¥3.08
    • 100+

      ¥2.66
    • 500+

      ¥2.41
    • 1000+

      ¥2.28
  • 有货
  • 由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成,采用8引脚DIP封装,适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路,尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.38
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      ¥4.36
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    • 500+

      ¥3.05
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作,电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装,内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.18
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      ¥4.97
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      ¥3.13
    • 1000+

      ¥2.94
  • 有货
  • 由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成,采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽,可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.73
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      ¥4.69
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      ¥3.4
  • 有货
  • 东芝TLP176GA由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET通过光耦合组成,采用SOP封装,适用于表面贴装组装。TLP176GA适用于需要节省空间的调制解调器应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.88
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      ¥5.66
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      ¥3.74
  • 有货
  • TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成,可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C)和较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥7.09
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      ¥6.46
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      ¥5.4
  • 有货
  • 由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成,是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级,可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层,可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.13
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      ¥5.87
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      ¥5.18
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      ¥3.89
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 23 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 85.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.65 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥8.08
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      ¥6.25
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      ¥6.16
  • 有货
  • 由高输出红外LED与高增益、高速光电探测器耦合而成。它在单个SO8封装中内置了两个电路,可减少安装面积。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和电流吸收能力。具有内部法拉第屏蔽,可保证±10kV/μs 的共模瞬态抗扰度。有缓冲输出。
    • 1+

      ¥11.33
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      ¥9.52
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      ¥8.39
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      ¥6.71
    • 1000+

      ¥6.48
  • 有货
  • 是小外形耦合器,适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 5+

      ¥1.0921
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      ¥0.8652
    • 150+

      ¥0.7679
    • 500+

      ¥0.5773
    • 3000+

      ¥0.5232
    • 6000+

      ¥0.4908
  • 有货
  • TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器,由光电晶体管与InGaAs红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压(5000 Vrms)和宽工作温度范围(Ta = -55至125℃)。与标准DIP封装相比,TLP383的封装小巧轻薄,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2775
    • 50+

      ¥0.9953
    • 150+

      ¥0.8743
    • 500+

      ¥0.7234
    • 3000+

      ¥0.6563
  • 有货
  • 是小外形耦合器,适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 5+

      ¥1.9623
    • 50+

      ¥1.5439
    • 150+

      ¥1.3647
    • 500+

      ¥1.0912
    • 3000+

      ¥0.9916
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 5+

      ¥2.29
    • 50+

      ¥1.79
    • 150+

      ¥1.57
    • 500+

      ¥1.3
    • 3000+

      ¥1.18
  • 有货
  • TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器,由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装,具有高抗噪性和高隔离电压。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.29
    • 50+

      ¥1.78
    • 150+

      ¥1.57
  • 有货
  • TLP620, -2 和 -1 由一个光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合组成。TLP620-2 在八引脚塑料 DIP 中提供两个隔离通道,而 TLP620-4 在十六引脚塑料 DIP 中提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.12
    • 10+

      ¥2.47
    • 30+

      ¥2.19
    • 100+

      ¥1.66
    • 500+

      ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • 由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装,保证最小爬电距离为 5.0mm,最小电气间隙为 5.0mm,最小绝缘厚度为 0.4mm。因此,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    • 1+

      ¥4.18
    • 10+

      ¥3.73
    • 30+

      ¥3.51
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥3.15
    • 1000+

      ¥3.08
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO6封装,内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.29
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥2.99
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.31
    • 1000+

      ¥2.18
  • 有货
    • 1+

      ¥4.63
    • 10+

      ¥3.77
    • 30+

      ¥3.34
    • 100+

      ¥2.91
    • 500+

      ¥2.65
    • 1000+

      ¥2.52
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm(最大值)的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作,最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA,低阈值输入电流1.6mA,有助于设备节能。可由微计算机直接驱动,适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出,另有缓冲输出版本。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.7
    • 10+

      ¥3.75
    • 30+

      ¥3.28
    • 100+

      ¥2.81
    • 500+

      ¥2.52
    • 1500+

      ¥2.38
  • 有货
  • 由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成,采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度。SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器有一个内部法拉第屏蔽,可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值,因此适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.6236 ¥8.27
    • 10+

      ¥4.002 ¥6.9
    • 30+

      ¥2.952 ¥6.15
    • 100+

      ¥2.544 ¥5.3
    • 500+

      ¥2.3664 ¥4.93
    • 1500+

      ¥2.2848 ¥4.76
  • 有货
  • 由非过零光控可控硅与红外LED光耦合组成,采用DIP6封装,保证绝缘厚度为0.4mm(最小值),因此,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    • 1+

      ¥5.97
    • 10+

      ¥4.89
    • 30+

      ¥4.35
    • 100+

      ¥3.82
    • 500+

      ¥3.5
    • 1500+

      ¥3.33
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出,可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.32
    • 10+

      ¥5.09
    • 30+

      ¥4.48
    • 100+

      ¥3.86
    • 500+

      ¥3.33
    • 1500+

      ¥3.14
  • 有货
  • 场效应管驱动光耦
    数据手册
    • 1+

      ¥6.7
    • 10+

      ¥5.49
    • 50+

      ¥4.82
    • 100+

      ¥4.07
    • 500+

      ¥3.73
    • 1000+

      ¥3.58
  • 有货
  • 由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成,采用6引脚SDIP封装。比8引脚DIP小50%,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求,可减少需要安全标准认证设备的安装面积。适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路,尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。
    • 1+

      ¥7.11
    • 10+

      ¥6.48
    • 30+

      ¥6.09
    • 100+

      ¥5.69
    • 500+

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