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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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AC,DC输入 隔离电压(rms):2500V
型号：TLP290-4(V4GBTPE 编号：C2961982
封装：SOP-16-4.6mm
品牌：TOSHIBA(东芝)
TLP290 - 4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4保证能在较宽的工作温度范围ΔTa = -55至110 °C内正常工作，因此它适用于诸如可编程控制器等高密度表面贴装应用
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    DC输入 2通道 隔离电压(rms):2500V
    型号：TLP2161(TP,F) 编号：C516860
    封装：SO-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP2161由一个高输出红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片耦合而成。它采用SO8封装。单个SO8封装内集成了两个电路，可减小安装面积
    数据手册

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      ￥6.78

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    AC,DC 3.75kV
    型号：TLP292-4(TP,E 编号：C5349740
    封装：SOIC-16-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。
    数据手册

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    1 Form A(SPSTNO) 负载DC 负载电压60V
    型号：TLP3545A(TP1,F 编号：C2152260
    封装：SMD-6P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP3545A和TLP3545AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用6引脚DIP封装。TLP3545A和TLP3545AF的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用
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      ￥26.77

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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP291(GR-TP,SE 编号：C58160
    封装：SOP-4-1.27mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP291(SE)由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C146376
    封装：SMD-4P
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
    数据手册

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      ￥0.8748

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    AC,DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP290(V4GBTP,SE 编号：C603060
    封装：SO-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO4封装，保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合IC。
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    光耦合器，红外LED与光控双向可控硅
    型号：TLP265J(TPR,E 编号：C2844516
    封装：SO-4-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。
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      ￥2.52

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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP293(V4BLLTL,E 编号：C3008593
    封装：SO-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP293是一款低输入、高隔离型光耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221
    封装：SOP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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      ￥2.641 ￥6.95

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP352(TP1,F) 编号：C99497
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度
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    带红外发光二极管和光电晶体管的微型扁平光耦合器
    型号：TLX9185A(GRWGBTF 编号：C43687258
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLX9185A超小型扁平光电耦合器适用于表面贴装组装。TLX9185A由一个红外发光二极管和一个光电晶体管光耦合而成。该光电耦合器可用于广泛的应用场景

    • 1+

      ￥6.46

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    单向可控硅 无过零电路 1通道 停产
    型号：TLP748J(D4,F) 编号：C150192
    封装：DIP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP748J由一个光电晶闸管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用六引脚塑料DIP封装。
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      ￥9.8

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    光电耦合器，红外发光二极管与光电晶闸管
    型号：TLP548J(F) 编号：C5370524
    封装：DIP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP548J由一个与红外发射二极管光耦合的光控晶闸管组成，采用六引脚塑料DIP封装。
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    • 1+

      ￥10.15

    • 10+

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP719(TP,F) 编号：C393902
    封装：SDIP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP719由GaAℓAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该单元是6引脚SDIP。TLP719比8引脚DIP小50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
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      ￥13.09

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    停产 光电耦合器，砷化镓红外发光二极管和光电晶体管
    型号：TLP521-4(GB,F) 编号：C2848504
    封装：DIP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521-2 在八引脚塑料 DIP 封装中提供两个隔离通道，而 TLP521-4 在十六引脚塑料 DIP 封装中提供四个隔离通道。
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    • 1+

      ￥16.13

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    TLP191B(TPL,U,C,F)
    型号：TLP191B(TPL,U,C,F) 编号：C43686865
    封装：-
    品牌：TOSHIBA(东芝)

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    光耦合器，红外发光二极管与光电晶体管
    型号：TLP291(BL-TP,SE 编号：C17193662
    封装：SOIC-4-4.55mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

    • 5+

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    AC,DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031
    封装：SOP-16-4.4mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器
    数据手册

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    光耦合器GaAtAs红外LED与光电IC
    型号：TLP2745(D4-TP,E 编号：C5125644
    封装：SO-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs，有缓冲输出。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP2361(V4-TPL,E 编号：C123773
    封装：SOIC-5-4.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。
    数据手册

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    1
    型号：TLP560G(F) 编号：C2848505
    封装：DIP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册

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    TLP2348(TPL,E(T
    型号：TLP2348(TPL,E 编号：C2974572
    封装：SOP-5-3.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。
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    光电耦合器，红外LED与光电晶体管
    型号：TLP387(D4-TPR,E 编号：C5370575
    封装：SOIC-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP387是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6L（4引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP387适用于可编程控制器的100VDC输出模块等应用
    数据手册

    • 1+

      ￥5.03

    • 10+

      ￥4.01

    • 30+

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    • 100+

      ￥3

    • 500+

      ￥2.7

    • 1000+

      ￥2.54
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度
    数据手册

    • 1+

      ￥5.93

    • 10+

      ￥4.85

    • 30+

      ￥4.26

    • 100+

      ￥3.59

    • 500+

      ￥3.29

    • 1500+

      ￥3.15
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP701(TP,F) 编号：C5006
    封装：SOIC-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    贴片6脚封装
    数据手册

    • 1+

      ￥5.93

    • 10+

      ￥5.28

    • 30+

      ￥4.93

    • 100+

      ￥4.52

    • 500+

      ￥4.34

    • 1500+

      ￥4.26
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    TLP2710(TP,E(T
    型号：TLP2710(TP,E 编号：C4153766
    封装：SOP-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)

    • 1+

      ￥7.09

    • 10+

      ￥5.83

    • 30+

      ￥5.14

    • 100+

      ￥4.36

    • 500+

      ￥4.01

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      ￥3.85
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    3.75kV
    型号：TLP292-4(LGBTR,E 编号：C17384709
    封装：SO-16-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

    • 1+

      ￥7.37

    • 10+

      ￥6.72

    • 30+

      ￥6.31

    • 100+

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    • 500+

      ￥5.7

    • 1000+

      ￥5.62
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP293-4(V4GBTPE 编号：C2983151
    封装：SOP-16-4.4mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.95

    • 10+

      ￥8.22

    • 30+

      ￥7.26

    • 100+

      ￥6.19

    • 500+

      ￥5.42

    • 1000+

      ￥5.2
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    TLP176G(V4-TPR,F)
    型号：TLP176G(V4-TPR,F) 编号：C51949215
    封装：SOP-4
    品牌：TOSHIBA(东芝)

    • 1+

      ￥11.3

    • 10+

      ￥9.64

    • 30+

      ￥8.61

    • 100+

      ￥7.54

    • 500+

      ￥7.06

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