东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP3122(TP,F) 编号：C393898

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3122由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用塑料SOP封装。TLP3122是一种双向开关，在许多应用中可替代机械继电器。其较高的导通电流最大额定值适用于控制电源线

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￥14.56
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￥12.29
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￥10.88
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￥9.43
500+
￥8.77
1000+
￥8.49

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型号：TLP3545A(TP1,F 编号：C2152260

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3545A和TLP3545AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用6引脚DIP封装。TLP3545A和TLP3545AF的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用

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￥26.77
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￥22.74
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￥20.35
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￥17.93
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￥16.81

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型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C146376

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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￥0.8558
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￥0.683
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￥0.5966
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￥0.5318
2000+
￥0.416
4000+
￥0.39

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型号：TLP185(GB-TPR,SE 编号：C75766

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

与TLP185(GB-TPL,SE(T包装方式不一样，其他性能一致，详细区别请查阅链接：http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=4pin%20SO6&lang=zh_cn

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￥2.1716
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￥1.6904
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￥1.4842
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￥1.2269
3000+
￥1.1124
6000+
￥1.0436

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型号：TLP291-4(V4GBTPE 编号：C2848503

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围（-55至110°C）内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥3.85
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￥3.11
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￥2.75
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￥2.21
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￥1.99
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￥1.88

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型号：TLP161J(TPL,U,C,F) 编号：C48237

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组件。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光控三端双向可控硅开关组成。零电压交叉导通，峰值关态电压：600 V (min)，触发LED电流：10 mA (max)，导通状态电流：70 mA (max)，隔离电压：2500 Vrms (min)，UL认证：UL1577，文件编号E67349

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￥4.47
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￥3.56
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￥3.11
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￥2.66
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￥2.39
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￥2.25

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型号：TLP185(GR-TPL,SE 编号：C128776

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥0.7764
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￥0.6083
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￥0.5242
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￥0.4611
3000+
￥0.4107
6000+
￥0.3854

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型号：TLP291(GRL-TP,SE 编号：C248929

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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￥1.207
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￥0.96
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￥0.8542
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￥0.6241
2500+
￥0.5653
5000+
￥0.53

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型号：TLP183(GR-TPL,E 编号：C80194

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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￥2.105968 ￥2.4488
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￥1.478124 ￥1.9449
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￥1.14114 ￥1.729
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￥0.96327 ￥1.4595
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￥0.88407 ￥1.3395
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￥0.83655 ￥1.2675

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型号：TLP126(TPL,F) 编号：C23649

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP126是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP126由一个光电晶体管和一个反并联连接的砷化镓红外发光二极管光耦合而成，在低交流输入电流下可提供高电流传输比（CTR）。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

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￥5.72
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￥4.55
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￥3.97
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￥3.39
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￥3.05
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￥2.87

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型号：TLP176AM(TPL,E 编号：C5370540

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176AM由一个红外LED和一个光MOSFET组成，封装在4引脚SO6中。该光电继电器的输出电流额定值高于光电晶体管型光耦合器，适用于高电流的开/关控制。它是无卤素的，工作温度范围可达110℃（最大）。该器件通常处于断开状态（1-Form-A），关断状态输出端电压为60 V（最小），触发LED电流为3 mA（最大），导通状态电流为700 mA（最大）。导通状态电阻为2 Ω（最大），隔离电压为3750 Vrms（最小）。TLP176AM通过了UL 1577、cUL、UL 508认证，并且符合VDE批准的EN 60747-5-5标准。它适用于安全系统、工厂自动化、测量仪器、电池管理系统（非汽车）、可编程逻辑控制器（PLC）以及机械继电器替换等应用。

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￥7.72
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￥6.37
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￥5.63
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￥4.79
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￥4.42
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￥4.25

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型号：TLP241A(TP1,F 编号：C2152214

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

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￥8.95
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￥7.44
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￥6.61
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￥4.58

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型号：TLP290(V4GBTP,SE 编号：C603060

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO4封装，保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合IC。

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￥1.9729
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￥1.5157
150+
￥1.3197
500+
￥1.0262
2500+
￥0.9174

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型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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￥2.085 ￥6.95
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￥1.896 ￥6.32
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￥1.791 ￥5.97
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￥1.671 ￥5.57
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￥1.596 ￥5.32

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型号：TLP560J(C,F) 编号：C516862

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合，采用六引脚塑料DIP封装。

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￥4.13
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￥3.29
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￥2.87
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￥2.45
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￥2.2
1000+
￥2.07

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型号：TLP185(GR-TPR,E 编号：C393884

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥4.51
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￥3.68
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￥3.26
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￥2.85
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￥2.6
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￥2.48

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C7493926

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥5.28
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￥4.17
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￥3.07
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￥2.74
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￥2.57

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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￥5.93
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￥4.85
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￥4.26
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￥3.59
500+
￥3.29
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￥3.15

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型号：TLP701(TP,F) 编号：C5006

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

贴片6脚封装

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￥6.14
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￥5.49
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￥5.13
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￥4.73
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￥4.55
1500+
￥4.47

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型号：TLP2105(TP,F) 编号：C2880451

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外LED与高增益、高速光电探测器耦合而成。它在单个SO8封装中内置了两个电路，可减少安装面积。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，可保证±10kV/μs 的共模瞬态抗扰度。有缓冲输出。

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￥12.83
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￥11.02
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￥9.89
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￥8.21
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￥7.98

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型号：TLP190B(TPR,U,C,F) 编号：C141614

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于表面贴装组装，由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成，适用于MOSFET栅极驱动器。

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￥17.59
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￥14.91
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￥13.31
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￥11.7
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￥10.95
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￥10.62

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型号：TLP187(V4-TPL,E 编号：C2987974

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用

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￥3.35
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￥2.67
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￥2.38
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￥2.02
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￥1.58
1000+
￥1.49

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型号：TLP2745(D4-TP,E 编号：C5125644

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs，有缓冲输出。

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