东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP124(BV-TPR,F) 编号：C99475

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

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型号：TLP785(BLL-TP6,F 编号：C2848506

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP785(BL-TP6,F 编号：C2848507

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料DIP（DIP4）封装，具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP2345(V4-TPL,E 编号：C38084587

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流和 1.6mA 低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微电脑直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±30kV/μs，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

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型号：TLP2704(TP,E 编号：C393893

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度，SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。

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￥5.3
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型号：TLP126(TPL,F) 编号：C23649

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP126是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP126由一个光电晶体管和一个反并联连接的砷化镓红外发光二极管光耦合而成，在低交流输入电流下可提供高电流传输比（CTR）。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

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￥5.3
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型号：TLP293-4(TP,E 编号：C3002262

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TLP748J(F) 编号：C150123

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥9.54
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￥8.04
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￥7.1
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￥5.69
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型号：TLP3122(TP,F) 编号：C393898

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3122由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用塑料SOP封装。TLP3122是一种双向开关，在许多应用中可替代机械继电器。其较高的导通电流最大额定值适用于控制电源线

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￥14.31
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型号：TLP250(TP1,F) 编号：C2802426

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

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型号：TLP190B(TPR,U,C,F) 编号：C141614

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于表面贴装组装，由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成，适用于MOSFET栅极驱动器。

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型号：TLP5701B(D4CNTPE 编号：C43687168

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥3.33
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型号：TLP2309(V4-TPL,E 编号：C2840187

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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￥2.27
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￥1.66

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型号：TLP161J(TPL,U,C,F) 编号：C48237

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组件。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光控三端双向可控硅开关组成。零电压交叉导通，峰值关态电压：600 V (min)，触发LED电流：10 mA (max)，导通状态电流：70 mA (max)，隔离电压：2500 Vrms (min)，UL认证：UL1577，文件编号E67349

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型号：TLP290-4(TP,E 编号：C5221832

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4光耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于其在 -55至110°C的宽工作温度范围内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥7.29
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￥5.34
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￥3.85

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型号：TLP185(BL-TPL,SE 编号：C393883

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥1.5479
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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C7493926

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥4.81
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￥2.21

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型号：TLP2310(TPL,E 编号：C7473281

封装：SOP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2310 是一款采用小型 SO6 封装的 5 Mbps 低功耗光电耦合器。在 -40°C 至 125°C 的整个工作温度范围内，TLP2310 的电源电流（I₍DDI₎ / I₍DDH₎）最大仅为 0.3 mA，且能在低至 2.7 V 的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。

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￥5.59
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￥2.81

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型号：TLP241A(TP1,F 编号：C2152214

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

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1+
￥8.95
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￥7.44
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￥6.61
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￥5.67
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￥4.77
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￥4.58

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型号：TLP785(TELS-T6,F 编号：C2938722

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP（DIP4）封装，具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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￥0.7092
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￥0.5556
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￥0.4788
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￥0.352

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型号：TLP785(BL,F 编号：C115022

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

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￥1.2945
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￥1.0173
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￥0.8601
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￥0.7119
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￥0.6459
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￥0.6062

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型号：TLP2358(TPL,E 编号：C99486

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，有反相器输出。

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1+
￥3.78
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￥3.01
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￥2.63
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￥2.24
500+
￥2.01
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￥1.9

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型号：TLP291-4(V4GBTPE 编号：C2848503

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围（-55至110°C）内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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1+
￥3.86
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￥3.12
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￥2.75
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￥2
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￥1.88

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型号：TLP2395(TPL,E 编号：C99488

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

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￥5.22
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￥4.24
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￥3.75
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￥3.26
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￥2.64
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￥2.49

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型号：TLP5754(D4-TP,E 编号：C843785

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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￥5.47
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￥4.35
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￥3.8
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￥3.24
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￥2.91
1500+
￥2.74

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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