东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP3441(TP,F 编号：C2152054

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是非常小外形无铅光电继电器，适用于表面贴装组件。由与光电MOSFET光耦合的红外LED组成，采用VSON 4引脚封装。具有低输出电容COFF，因此可实现高频信号的快速开/关切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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1+
￥27.97
10+
￥27.32
30+
￥26.89

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型号：TLX9175J(TPL,F 编号：C5360610

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外 LED 和一个光 MOSFET 光耦合组成，采用 SO6 封装。该耦合器在输出端子之间使用高压 MOSFET，适用于电池控制系统的应用。

1+
￥35.8
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￥34.92
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￥34.33

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型号：TLP3440S(TP,E 编号：C2152185

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3440S光电继电器由一个与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用SVSON4T封装。TLP3440S的特点是关态输出电容（COFF）低，因此适用于高频信号应用

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1+
￥40.59
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￥39.65
30+
￥39.02

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型号：TLP3543A(TP1,F 编号：C5189047

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外LED光耦合，采用6引脚DIP封装。低导通电阻和高允许导通电流，适用于电力线控制应用。

1+
￥40.91
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￥34.97
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￥31.35

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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C695252

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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5+
￥1.6166
50+
￥1.2555
150+
￥1.1007

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型号：TLP293(GRL-TPL,E 编号：C5331603

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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1+
￥1.9
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￥1.85
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￥1.82

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型号：TLP291(BL-TP,SE 编号：C7493929

封装：SO4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

1+
￥2.86
10+
￥2.21
30+
￥1.94

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型号：TLP2704(D4-TP,E 编号：C4153765

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥3.04
10+
￥2.97
30+
￥2.92

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型号：TLP290(SE 编号：C17246865

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反并联连接的红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

1+
￥3.24
10+
￥2.59
30+
￥2.26
175+
￥1.94

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型号：TLP184(GB-TPL,E 编号：C2840184

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由一个光电晶体管组成，与一个反向并联的砷化镓红外发射二极管光耦合，可通过交流输入电流直接运行。

1+
￥3.24
10+
￥2.59
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￥2.27

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C5960938

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

1+
￥4.15
10+
￥3.32
30+
￥2.9

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型号：TLP108 编号：C39672

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器光耦合而成。采用6引脚MFSOP封装。具有图腾柱输出，能够吸收和提供电流。具有内部法拉第屏蔽，可保证±10kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有反相输出。

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1+
￥4.82
10+
￥4.71
30+
￥4.64

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型号：TLP185(BL-TPR,SE 编号：C7495068

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

1+
￥6.02
10+
￥4.94
30+
￥4.35

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型号：TLP3906(E 编号：C6333153

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

1+
￥9.49
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￥9.26
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￥9.1
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￥8.95

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型号：TLP292-4(V4LATRE 编号：C17695540

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥11.45
10+
￥9.64
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型号：TLP292-4(LA-TR,E 编号：C5348964

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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