东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-4-175mil

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联红外LED光耦合组成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP290(BLL-TP,SE 编号：C3018645

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP385(D4GR-TR,E 编号：C38086789

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP2309(TPL,E 编号：C7527971

封装：SOIC-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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型号：TLP291(GR-TP,E 编号：C5370571

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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型号：TLP265J(T7-TPL,E 编号：C2987242

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP268J(E 编号：C6553530

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装，保证最小爬电距离为 5.0mm，最小电气间隙为 5.0mm，最小绝缘厚度为 0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP2962F(TP4,F) 编号：C4153773

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。满足8mm的PC板间距要求。

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型号：TLP2348(V4-TPL,E 编号：C6285465

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。

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型号：TLP719(D4-TP,F) 编号：C393901

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs高输出发光二极管和高速探测器组成。这是一款6引脚SDIP封装产品，比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽层，可有效抗共模噪声瞬变，适用于嘈杂的环境条件。

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型号：TLP2372(TPL,E 编号：C5960885

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP170J(F) 编号：C1558915

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外发光二极管和光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。该光继电器需要1 mA的LED电流来开启，适用于需要节省电力的应用。

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型号：TLP3442(TP,F 编号：C2152175

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3442是非常小外形的无引脚光电继电器，适用于表面贴装。它由一个红外LED与一个光电MOSFET光耦合而成，采用VSON 4引脚封装。TLP3442具有低输出电容CoFF，因此能够对高频信号进行快速通断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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型号：TLP3910(D4C20TPE 编号：C5960932

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3910是一款采用SO6L封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管与一个光电二极管阵列光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使TLP3910适用于MOS栅极驱动应用。此外，为提高开路电压（VOC），TLP3910也适用于驱动超结结构（SJ）MOSFET

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型号：TLP3475(TP,F 编号：C2152213

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3475光电继电器由一个与红外LED光耦合的光电MOSFET组成，采用VSON4封装。TLP3475具有低CR乘积和极低的导通电阻，因此可提供高导通电流。

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型号：TLP3546A(TP1,F 编号：C2152246

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3546A 和 TLP3546AF 光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电 MOSFET 组成。它采用 6 引脚 DIP 封装。TLP3546A 和 TLP3546AF 的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用

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型号：TLP3450(TP,F 编号：C2152243

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3450是一款超小外形、无引脚的光电继电器，适用于表面贴装。TLP3450由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合而成，采用VSON 4引脚封装。TLP3450的特点是输出电容CoFF低，因此能够快速开关高频信号，非常适合高速测试仪中的开关应用

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型号：TLP785(D4-GB,F 编号：C9199

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

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型号：TLP2703(D4-TP,E 编号：C6342363

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2703由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管晶体管芯片耦合而成。它采用薄型SO6L封装，厚度最大为2.3 mm。

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型号：TLP291(BL-TP,SE 编号：C7493929

封装：SO4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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型号：TLP290(SE 编号：C17246865

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反并联连接的红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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型号：TLP701H(TP,F) 编号：C4153777

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品是一款采用SDIP6封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125°C的温度下保证性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，该光耦合器体积更小，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。它具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，拥有图腾柱输出，能够吸收和提供电流，非常适合用于IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP291-4(E 编号：C22453298

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围（-55至110°C）内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP2361(E 编号：C6285467

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：TLPN137(F 编号：C99491

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP627M(D4-TP5,E 编号：C17497898

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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￥5.25
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型号：TLP700H(TP,F) 编号：C4153775

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP700H是一款采用6引脚SDIP封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电检测IC芯片光学耦合而成。它在高达125℃的温度下提供保证的性能和规格。TLP700H比采用8引脚DIP封装的产品体积更小，并符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小的占位解决方案。内部噪声屏蔽确保了±20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。它非常适合用于IGBT和功率MOSFET的栅极驱动。

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￥7.46

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型号：TLP292-4(V4-TP,E 编号：C17588085

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥8.94
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￥7.32
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￥6.43

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型号：TLP293-4(V4LATPE 编号：C5362373

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP292-4(4LGBTP,E 编号：C5348963

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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