东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP785(D4GHTR6,F 编号：C5331607

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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型号：TLP293(V4-GLTL,E 编号：C39597287

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP185(V4GHTL,SE 编号：C5370565

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP185(SE)由一个与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP185(SE)光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。

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型号：TLP293(BL,E 编号：C435820

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由光电晶体管与红外发光二极管光耦合而成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms），且工作温度范围宽（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP2348(V4-TPL,E 编号：C6285465

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。

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型号：TLP268J(E 编号：C6553530

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装，保证最小爬电距离为 5.0mm，最小电气间隙为 5.0mm，最小绝缘厚度为 0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP265J(T7-TPL,E 编号：C2987242

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP266J(T7-TPL,E 编号：C146295

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP266J 由一个过零光控双向晶闸管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成。TLP266J 采用 SO6 封装，保证爬电距离为 5.0 mm（最小值），电气间隙为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。因此，TLP266J 符合国际安全标准的增强绝缘等级要求。

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型号：TLP5701(TP4,E 编号：C5362149

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一个采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个红外LED和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合组成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP627M(D4-TP5,E 编号：C17497898

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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型号：TLP293-4(V4LATPE 编号：C5362373

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP759(TP1,J,F) 编号：C516181

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP170J(F) 编号：C1558915

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外发光二极管和光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。该光继电器需要1 mA的LED电流来开启，适用于需要节省电力的应用。

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型号：TLP240D(TP1,F 编号：C7400608

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240D和TLP240DF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

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型号：TLP2767(TP,E 编号：C7124357

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP171A(TP,F 编号：C2153054

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP3475(TP,F 编号：C2152213

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3475光电继电器由一个与红外LED光耦合的光电MOSFET组成，采用VSON4封装。TLP3475具有低CR乘积和极低的导通电阻，因此可提供高导通电流。

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型号：TLX9000(TPL,F 编号：C17181710

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光电耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个光电晶体管光耦合而成。该光电耦合器可用于广泛的应用，是通用速度晶体管输出。

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型号：TLP4590A(TP1,F 编号：C7361693

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP3475R(TP,F 编号：C2152220

封装：VSONR-4(1.5x2.8)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3475R光电继电器由一个与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用VSONR4封装。TLP3475R内置输入电阻，无需外部输入电阻，可节省空间

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型号：TLP3546A(TP1,F 编号：C2152246

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3546A 和 TLP3546AF 光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电 MOSFET 组成。它采用 6 引脚 DIP 封装。TLP3546A 和 TLP3546AF 的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用

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型号：TLP184(Y-TPL,SE 编号：C5331594

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP184是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP184由一个光电晶体管和两个反并联连接的红外发光二极管光耦合而成，可由交流输入电流直接驱动。

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型号：TLP2703(D4-TP,E 编号：C6342363

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2703由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管晶体管芯片耦合而成。它采用薄型SO6L封装，厚度最大为2.3 mm。

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型号：TLP291(GR-TP,E 编号：C5370571

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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型号：TLP292(E 编号：C17292085

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP383(D4GB-TL,E 编号：C7495071

封装：SO6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP2768A(TP,E 编号：C5362560

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP2768A由一个高输出的镓铝砷（GaAlAs）发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准

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型号：TLPN137(F 编号：C99491

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP291-4(E 编号：C22453298

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围（-55至110°C）内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP2761(D4-TP4,E 编号：C24267845

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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