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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
  • 1+

    ¥9.63
  • 10+

    ¥7.9
  • 50+

    ¥6.95
  • 100+

    ¥5.88
  • 有货
  • 迷你扁平光电耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个光电晶体管光耦合而成。该光电耦合器可用于广泛的应用,是通用速度晶体管输出。
    • 1+

      ¥21.97
    • 10+

      ¥21.41
    • 30+

      ¥21.03
  • 有货
  • 该迷你扁平光电耦合器适用于表面贴装组装,由一个红外发光二极管与一个光电晶体管光耦合而成,可用于广泛的应用,是通用速度晶体管输出。
    • 1+

      ¥26.92
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      ¥22.86
    • 30+

      ¥20.45
  • 有货
  • 是非常小外形无铅光电继电器,适用于表面贴装组件。由与光电MOSFET光耦合的红外LED组成,采用VSON 4引脚封装。具有低输出电容COFF,因此可实现高频信号的快速开/关切换,非常适合高速测试仪中的开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.03
    • 10+

      ¥28.35
    • 30+

      ¥27.91
  • 有货
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      ¥34.35
    • 10+

      ¥29.23
    • 30+

      ¥26.18
  • 有货
  • TLP3406S光电继电器由一个与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用SVSON4封装。TLP3406S的特点是导通电阻非常小,能够对高达1的电流进行开/关切换
    数据手册
    • 1+

      ¥34.43
    • 10+

      ¥29.18
    • 30+

      ¥26.06
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成,采用S-VSON4封装。具有非常小的导通电阻,能够进行高达0.65A电流的通断切换,适用于高速测试仪中的开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥44.85
    • 10+

      ¥38.63
    • 30+

      ¥34.84
  • 有货
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      ¥1.3471
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      ¥1.0699
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      ¥0.9511
  • 有货
  • TLP182是一款低交流输入型光电耦合器,采用SO6封装,由光电晶体管与两个反并联红外LED光耦合组成。由于TLP182保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥1.93
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      ¥1.89
    • 30+

      ¥1.86
  • 有货
  • 由光电晶体管组成,与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度Ta = -55至110℃和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    • 1+

      ¥2.12
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      ¥1.87
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      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.53
  • 有货
  • TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器,采用SO6封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压(3750 Vrms)和宽工作温度范围(Ta = -55至125 °C)。与DIP封装相比,TLP183体积更小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥3.11
    • 10+

      ¥3.03
    • 30+

      ¥2.98
  • 有货
  • TLP291(SE)由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装,是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了-55°C至110°C的宽工作温度范围和3750 Vrms的高隔离电压,因此适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.14
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      ¥2.51
    • 30+

      ¥2.24
  • 有货
    • 1+

      ¥3.26
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      ¥2.59
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      ¥2.31
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.8
  • 有货
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      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

      ¥2.33
    • 100+

      ¥1.97
  • 有货
  • 由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装,保证在高达 110℃ 的温度下工作,电源电压为 3.3V 和 5V。此外,由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm,内部隔离厚度 ≥ 0.4mm,该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。
    • 1+

      ¥3.36
    • 10+

      ¥2.6
    • 30+

      ¥2.28
  • 有货
  • 是小型扁平耦合器,适用于表面贴装组装,由光控三端双向可控硅和红外发光二极管光耦合而成。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.57
    • 10+

      ¥3.49
    • 30+

      ¥3.44
    • 100+

      ¥3.39
  • 有货
  • TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器,采用 SO4 封装,由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C,因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥4.05
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      ¥3.23
    • 30+

      ¥2.82
    • 175+

      ¥2.42
  • 有货
    • 1+

      ¥4.14
    • 10+

      ¥3.36
    • 30+

      ¥2.97
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄,符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    • 1+

      ¥4.15
    • 10+

      ¥3.32
    • 30+

      ¥2.9
  • 有货
  • TLP388由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP388采用薄型SO6L(4引脚)封装,可保证在高温环境下工作(最高环境温度Ta = 125 °C)。集电极 - 发射极间的击穿电压(VCEO)高达350 V,TLP388适用于可编程逻辑控制器(PLC)和家用电器,包括空调
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥4.48
    • 30+

      ¥4.4
  • 有货
  • 由砷化镓红外发光二极管与光电晶体管光耦合而成,集电极-发射极击穿电压为350V。TLP628-2在八引脚塑料DIP封装中提供两个隔离通道,而TLP628-4每个封装提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.93
    • 10+

      ¥4.84
    • 30+

      ¥4.78
  • 有货
  • 是一种光耦合器,由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L(4 引脚)封装,具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压,适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。
    • 1+

      ¥4.98
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.52
  • 有货
  • 东芝TLP2768A由一个高输出的镓铝砷(GaAlAs)发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准
    • 1+

      ¥5.04
    • 10+

      ¥4.02
    • 30+

      ¥3.52
    • 100+

      ¥3.01
  • 有货
  • TLP2710 是一款采用小型 SO6L 封装的 5Mbps 低功耗光电耦合器。它采用厚度最大为 2.3mm 的薄型 SO6L 封装。
    • 1+

      ¥5.39
    • 10+

      ¥4.84
    • 30+

      ¥4.54
    • 100+

      ¥4.2
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,它还具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥7.45
    • 10+

      ¥6.19
    • 30+

      ¥5.49
    • 100+

      ¥4.71
  • 有货
  • 由高强度GaAs红外发光二极管(LED)与高增益、高速感光芯片光耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制能力,可将抗噪性提高至±20kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.28
    • 10+

      ¥9.07
    • 50+

      ¥8.93
  • 有货
    • 1+

      ¥17.9
    • 10+

      ¥15.2
    • 30+

      ¥13.59
    • 100+

      ¥11.97
  • 有货
  • TLP3403R是一款适用于表面贴装的非常小外形无引脚光继电器。它内置输入电阻,无需外接输入电阻,节省了空间。TLP3403R由一个红外LED与光电MOSFET光学耦合,并封装在VSONR 4引脚封装中。其特点包括低关态电流和低输出引脚电容。- VSONR4: 2.8 (L) 毫米 X 1.5 (W) 毫米 X 1.3 (H) 毫米- 常开(1-Form-A)- 关态输出端电压:20 V(最小值)- 工作电压:3 V(最大值)- 导通电流:1 A(最大值)- 导通电阻:0.18 Ω(典型值),0.22 Ω(最大值)- 隔离电压:500 Vrms(最小值)
    • 1+

      ¥34
    • 10+

      ¥33.25
    • 30+

      ¥32.75
  • 有货
  • 由一个红外 LED 和一个光 MOSFET 光耦合组成,采用 SO6 封装。该耦合器在输出端子之间使用高压 MOSFET,适用于电池控制系统的应用。
    • 1+

      ¥35.11
    • 10+

      ¥34.22
    • 30+

      ¥33.64
  • 有货
  • 是一款采用VSON4封装的光电继电器,由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。适用于需要低输出电容和高耐压的应用,如LCD测试仪。
    • 1+

      ¥35.64
    • 10+

      ¥30.32
    • 30+

      ¥27.16
  • 有货
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