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价格(含税)

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操作

1.25V~18.8V 1A 20V

型号：NCP1117STAT3G 编号：C20546

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是低压正电压调节器，能够提供超过1.0A的输出电流，在800mA时最大压降为1.2V。该系列包含1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和12V八种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻将输出电压编程为1.25V至18.8V。片上微调可将参考/输出电压调节到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达20V的输入电压下工作。器件采用SOT-223和DPAK封装。

数据手册

5+
￥2.1683
50+
￥1.76
150+
￥1.585
500+
￥1.0963
2500+
￥0.999
4000+
￥0.9407

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:3A

型号：FDC5614P 编号：C48167

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.2777
50+
￥1.785
150+
￥1.5739
500+
￥1.3104
3000+
￥1.1931
6000+
￥1.1227

有货

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16 Kb微导线串行EEPROM

型号：CAT93C86VI-GT3 编号：C238493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C86 是一款 16-Kb 串行 EEPROM 内存器件，可配置为 16 位寄存器（VCC 处的 ORG 引脚）或 8 位寄存器（GND 处的 ORG 引脚）。每个寄存器均可使用 DI（或 DO）引脚进行串行写入（或读取）。CAT93C86 具有一个自计时内部写入，带自动清除。片上接通电源重置电路会保护内部逻辑不会以错误状态通电。

数据手册

5+
￥2.3997
50+
￥1.9315
150+
￥1.7308
500+
￥1.3862
3000+
￥1.2747
6000+
￥1.2078

有货

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NPN 电流:3A 电压:100V

型号：MJD31CT4G 编号：C57942

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.4267
50+
￥1.942
150+
￥1.7343
500+
￥1.3257
2500+
￥1.2102
5000+
￥1.141

有货

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2/4/8/16 Kb I2C串行EEPROM

型号：CAT24C08HU4I-GT3 编号：C233769

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.07
30+
￥1.84
100+
￥1.55
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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低噪声双/四运算放大器

型号：MC33079DR2G 编号：C9376

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33078/9 系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列，运用了创新的高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频 PNP 输入晶体管，使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全 NPN 输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源极和漏极交流频率性能。MC33078/9 系列提供双放大器和四放大器版本，采用塑料 DIP 和 SOIC 封装（后缀为 P 和 D）。

数据手册

5+
￥2.6545
50+
￥2.0941
150+
￥1.8539
500+
￥1.5023
2500+
￥1.3688
5000+
￥1.2887

有货

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9V~28V

型号：NCP1252ADR2G 编号：C80800

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1252 控制器提供了构建专用于 ATX 电源和任何正向应用的成本高效且可靠的 AC-DC 开关电源所需的一切内容。由于使用内部固定的计时器，NCP1252 可以在不依赖辅助 Vcc 的情况下检测输出过载。欠压输入针对低输入电压提供保护，提高了转换器安全性。最后，SOIC-8 封装节省 PCB 空间，是成本敏感项目的首选方案。

数据手册

1+
￥2.68
10+
￥2.16
30+
￥1.93
100+
￥1.65
500+
￥1.52
1000+
￥1.28

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:150A

型号：NTMFS5C628NLT1G 编号：C145537

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，150A，2.4mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.82
30+
￥2.5
100+
￥2.11
500+
￥1.93
1500+
￥1.83

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTD3055L104T4G 编号：C10668

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

1+
￥3.64
10+
￥2.9
30+
￥2.58
100+
￥2.19
500+
￥1.82
1000+
￥1.71

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:200A

型号：NTMFS5C430NLT1G 编号：C194661

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.05
30+
￥2.72
100+
￥2.3
500+
￥1.99
1500+
￥1.87

有货

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低功耗，双SIM卡模拟开关

型号：FSA2567MPX 编号：C512961

封装：WFQFN-16(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

数据手册

1+
￥4.33
10+
￥3.43
30+
￥3.05
100+
￥2.57
500+
￥2.35
1000+
￥2.22

有货

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耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：35ns

型号：RHRP860 编号：C11751

封装：ITO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP840 和 RHRP860 是具有软恢复特性的超高速二极管

数据手册

1+
￥4.9444 ￥5.26
10+
￥4.465 ￥4.75
50+
￥3.8728 ￥4.12
100+
￥3.572 ￥3.8
500+
￥3.4404 ￥3.66
800+
￥3.384 ￥3.6

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:20A

型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.34
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.06
1000+
￥2.91

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:17A 32A

型号：FDPC5018SG 编号：C464164

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

数据手册

1+
￥7.23
10+
￥5.99
30+
￥5.37
100+
￥4.58
500+
￥4.21
1000+
￥4.02

有货

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隔离式大电流IGBT栅极驱动器

型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

数据手册

1+
￥12.98
10+
￥11.36
30+
￥9.94
100+
￥8.93
500+
￥8.49
1000+
￥8.28

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904LT3G 编号：C150052

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1896
200+
￥0.1525
600+
￥0.1319
2000+
￥0.1195
10000+
￥0.0787
20000+
￥0.0729

有货

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独立式耐压:16.2V 电流:0.05uA

型号：MM3Z16VT1G 编号：C150089

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用 SOD-323 表面贴装封装，功率耗散为 300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1948
200+
￥0.1544
600+
￥0.1319
3000+
￥0.1184
9000+
￥0.1067
21000+
￥0.1004

有货

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独立式耐压:20V 电流:0.1uA@15V

型号：MMSZ5250BT1G 编号：C94386

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2276
200+
￥0.1818
600+
￥0.1564
3000+
￥0.1411
9000+
￥0.1279
21000+
￥0.1207

有货

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ESD 2.5V截止峰值浪涌电流：11A@8/20us

型号：ESD5Z2.5T1G 编号：C890620

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD5Z 系列适用于针对 ESD 和瞬态电压事件为电压敏感部件提供保护。卓越的箝位功能、低泄漏和快速响应时间使得这些零件非常适用于在板空间非常宝贵的设计中提供 ESD 防护。因为其尺寸较小，适合用于蜂窝电话、移动设备、数码相机、电源和其他多种移动应用。

数据手册

20+
￥0.2541
200+
￥0.2066
600+
￥0.1802
3000+
￥0.1433
9000+
￥0.1295
21000+
￥0.1221

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.1uA@14V

型号：MMSZ5248BT1G 编号：C82088

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2569
200+
￥0.1999
600+
￥0.1681
3000+
￥0.1491
9000+
￥0.1326
21000+
￥0.1237

有货

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三态输出，同相缓冲器

型号：NL17SZ125DFT2G 编号：C97774

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ125是一款高性能同相缓冲器，工作电源电压范围为1.65 V至5.5 V。

数据手册

10+
￥0.2648
100+
￥0.2074
300+
￥0.1787
3000+
￥0.1571
6000+
￥0.1399
9000+
￥0.1313

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.05uA

型号：MM5Z18VT1G 编号：C327501

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

10+
￥0.2901
100+
￥0.2307
300+
￥0.2009
3000+
￥0.1786
6000+
￥0.1608
9000+
￥0.1518

有货

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单路2输入与门

型号：NL17SZ08DFT2G 编号：C150234

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ08 是一款单路 2 输入与门，有三种超小尺寸封装。该器件在速度和驱动能力方面的表现与 LCX 多门产品相当

数据手册

10+
￥0.3143
100+
￥0.2557
300+
￥0.2265
3000+
￥0.1557
6000+
￥0.1381
9000+
￥0.1294

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:1uA@2.0V

型号：MM3Z5V6T1G 编号：C82071

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.3145
200+
￥0.2492
600+
￥0.2129
3000+
￥0.1574
9000+
￥0.1385
21000+
￥0.1283

有货

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耐压:12V 电流:0.1uA

型号：MM3Z12VT1G 编号：C236177

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.3286
100+
￥0.2656
300+
￥0.2341
3000+
￥0.1912
6000+
￥0.1723
9000+
￥0.1628

有货

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NPN 电流:100mA 电压:45V

型号：BC847BDW1T1G 编号：C82368

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

数据手册

20+
￥0.3312
200+
￥0.2655
600+
￥0.229
3000+
￥0.2071
9000+
￥0.1881
21000+
￥0.1778

有货

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电压:20V 电流:500mA

型号：NSR0620P2T5G 编号：C91106

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

肖特基势垒二极管针对非常低的正向压降和低漏电流进行了优化，用于便携式设备中的各种直流-直流转换器、钳位和保护应用。SOD-923微型封装使设计人员能够应对提高效率和满足减小空间要求的挑战。

数据手册

10+
￥0.3869
100+
￥0.3092
300+
￥0.2703
1000+
￥0.2411
5000+
￥0.2175
8000+
￥0.2058

有货

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NPN 电流:50mA 电压:30V

型号：MMBT5088LT1G 编号：C232555

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于高增益、低噪声通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.4014
100+
￥0.3205
300+
￥0.28
3000+
￥0.2412
6000+
￥0.2169
9000+
￥0.2047

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:0.18A

型号：NDS0605 编号：C124476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥0.5308
50+
￥0.4241
150+
￥0.3707
500+
￥0.3307
3000+
￥0.2817
6000+
￥0.2657

有货

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双向ESD 5.3V截止峰值脉冲电流：3A@8/20us

型号：ESD8472MUT5G 编号：C133346

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8472旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册

5+
￥0.54
50+
￥0.4384
150+
￥0.3877
500+
￥0.3496
2500+
￥0.295
5000+
￥0.2797

有货

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
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