安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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首页 > 热门关键词 > 安森美光耦

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符合条件商品：共53365件

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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：SZNUP2105LT1G 编号：C233494

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SZ/NUP2105L专为保护高速和容错网络中的CAN收发器免受ESD和其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑型SOT - 23封装，为每条数据线提供双向保护，为系统设计人员提供了一种低成本的方案，以提高系统可靠性并满足严格的EMI要求。

数据手册

5+
￥0.5257
50+
￥0.4153
150+
￥0.3601
500+
￥0.3187
3000+
￥0.2856
6000+
￥0.269

有货

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TinyLogic UHS双输入同相多路复用器

型号：NC7SZ157P6X 编号：C77686

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ157 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列单高性能 2:1 CMOS 非反向多路复用器。该器件使用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行范围任何。

数据手册

10+
￥0.4688
100+
￥0.3776
300+
￥0.332
3000+
￥0.2765
6000+
￥0.2491
9000+
￥0.2354

有货

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1个P沟道耐压:8V 电流:1.4A

型号：NTS2101PT1G 编号：C140583

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.4957
100+
￥0.4065
300+
￥0.3619
3000+
￥0.2819
6000+
￥0.2551
9000+
￥0.2417

有货

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400V 1A

型号：MRA4004T3G 编号：C40324

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.6023
50+
￥0.4761
150+
￥0.4131
500+
￥0.3658
2500+
￥0.328
5000+
￥0.309

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.37A

型号：NTS4101PT1G 编号：C68182

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.6221
50+
￥0.5165
150+
￥0.4637
500+
￥0.4241
3000+
￥0.3924
6000+
￥0.3765

有货

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电压:30V 电流:2A

型号：MBRS130LT3G 编号：C51771

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.7372
50+
￥0.5948
150+
￥0.5235
500+
￥0.4701
2500+
￥0.3829
5000+
￥0.3615

有货

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耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns

型号：MURA220T3G 编号：C37995

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.7825
50+
￥0.6213
150+
￥0.5407
500+
￥0.4803
2500+
￥0.4319
5000+
￥0.4077

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.5uA@13.7V

型号：1SMA5931BT3G 编号：C94872

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.7936
50+
￥0.6313
150+
￥0.5501
500+
￥0.4892
2500+
￥0.4405
5000+
￥0.4161

有货

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电压:20V 电流:1A

型号：MBR120VLSFT1G 编号：C223608

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。与无引脚34封装形式相比，这种封装也更易于操作

数据手册

5+
￥0.809
50+
￥0.6418
150+
￥0.5502
500+
￥0.4876
3000+
￥0.4374
6000+
￥0.4123

有货

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耐压:400V 电流:1A 反向恢复时间：35ns

型号：ES1G 编号：C124478

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

数据手册

5+
￥0.8191
50+
￥0.6501
150+
￥0.5655
500+
￥0.5022
2500+
￥0.4515
7500+
￥0.4261

有货

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MMBFJ310LT1G

型号：MMBFJ310LT1G 编号：C33416

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。

数据手册

5+
￥0.8839
50+
￥0.7075
150+
￥0.6192
500+
￥0.5531
3000+
￥0.4827
6000+
￥0.4562

有货

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5V 100mA 20V

型号：MC79L05ACPG 编号：C233232

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

负电压调节器价格便宜、易于使用，适用于众多需要高达100mA电流的应用。该系列具有热关断和电流限制功能，非常耐用。在大多数应用中，操作无需外部组件。该器件适用于板载调节或任何其他需要适度电流水平的稳压负电压的应用。这些调节器比普通的电阻/齐纳二极管方法具有显著优势。

数据手册

5+
￥0.926559 ￥0.9963
50+
￥0.733212 ￥0.7884
150+
￥0.650349 ￥0.6993
500+
￥0.546933 ￥0.5881
2000+
￥0.424545 ￥0.4565
4000+
￥0.396924 ￥0.4268

有货

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双D型触发器

型号：MC14013BDR2G 编号：C56411

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14013B 双 D 型触发器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。每个触发器均具有独立的数据 (D)、直接设置 (S)、直接重置 (R) 和时钟 (C) 输入和互补输出（Q 和 Qbar）。这些器件可用作移位寄存器元件，或用于计数器和切换应用的 T 型触发器。

数据手册

5+
￥1.2069
50+
￥0.9549
150+
￥0.8469
500+
￥0.7122
2500+
￥0.6522
5000+
￥0.6161

有货

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独立式耐压:10V 电流:0.5uA

型号：1SMA5925BT3G 编号：C50840

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.2154
50+
￥0.9876
150+
￥0.89
500+
￥0.7682
2500+
￥0.5795
5000+
￥0.5469

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.4A

型号：FDN304P 编号：C241803

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.5646
50+
￥1.2764
150+
￥1.1528
500+
￥0.9987
3000+
￥0.8512
6000+
￥0.81

有货

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3.3V 1A 20V

型号：NCP1117DT33RKG 编号：C88234

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大 dropout 电压为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从 1.25V 编程到 18.8V。片上微调将参考/输出电压调整到 ±1.0% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入下工作。器件采用 SOT-223 和 DPAK 封装。

数据手册

5+
￥1.7544
50+
￥1.4133
150+
￥1.2671
500+
￥1.0843
2500+
￥1.0031
5000+
￥0.9543

有货

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双D触发器，带置位和复位功能，高性能硅栅CMOS

型号：MC74HC74ADR2G 编号：C7345

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC74A的引脚排列与LS74相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，可与LSTTL输出兼容。此器件由两个带独立置位、复位和时钟输入的D触发器组成

数据手册

5+
￥1.9643
50+
￥1.5883
150+
￥1.4271
500+
￥1.1086
2500+
￥1.0191
5000+
￥0.9653

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:8.8A

型号：FDS4435BZ 编号：C23931

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

5+
￥2.1144
50+
￥1.7556
150+
￥1.6018
500+
￥1.4099
2500+
￥1.3245
5000+
￥1.2732

有货

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10V~30V

型号：UC2842BD1R2G 编号：C7112

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC - DC转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有经过微调的振荡器，可实现精确的占空比控制、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器，以及非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，如带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、可编程输出死区时间，以及用于单脉冲计量的锁存器。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级提供了独立的电源和接地引脚。UCX842B的欠压锁定（UVLO）阈值为16 V（开启）和10 V（关闭），非常适合离线转换器。UCX843B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5 V（开启）和7.6 V（关闭）。

数据手册

5+
￥2.1544
50+
￥1.7264
150+
￥1.5429
500+
￥1.2114
2500+
￥1.1095
5000+
￥1.0483

有货

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单电源3.0 V至44 V运算放大器

型号：MC33074ADR2G 编号：C365729

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

数据手册

1+
￥2.22
10+
￥1.96
30+
￥1.85
100+
￥1.44
500+
￥1.37
1000+
￥1.33

有货

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六路反相器

型号：MC14049UBDR2G 编号：C233449

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14049UB 六路逆变器缓冲器采用一个单片结构，使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件进行构造。此互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。此器件仅使用一个电源电压 VDD 即可提供逻辑电平转换。该输入信号高电平 VIH 可能超过逻辑电平转换的 VDD 电源电压。当器件用作 CMOS 至 TTL DTL 转换器（VDD = 5.0 V，VOL 0.4 V IOL 3.2 mA）时，可以驱动两个 TTL DTL 负载。请注意，此器件内部未联接引脚 13 和 16 因此，与这些端子联接不会影响电路运行。

数据手册

5+
￥2.4332
50+
￥1.9542
150+
￥1.7489
500+
￥1.2828
2500+
￥1.1688
5000+
￥1.1003

有货

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低功耗，双端口，高速USB2.0 (480Mbps) UART开关

型号：FSUSB42UMX 编号：C11145

封装：UFQFN-10(1.4x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关(DPDT)，优化用于切换任何组合的高速(480 Mbps)或全速(12 Mbps)源。

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.21
30+
￥1.96
100+
￥1.65
500+
￥1.43
1000+
￥1.34

有货

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单电源3.0 V至44 V运算放大器

型号：MC33074DR2G 编号：C43547

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.32
30+
￥2.06
100+
￥1.73
500+
￥1.53
1000+
￥1.44

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.6A

型号：NTF2955T1G 编号：C17265

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道 MOSFET。此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。

数据手册

1+
￥3.4
10+
￥2.72
30+
￥2.43
100+
￥2.06
500+
￥1.8
1000+
￥1.7

有货

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系统监控电压复位，带看门狗和手动复位功能

型号：CAT823TTDI-GT3 编号：C91360

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT823和CAT824为电子系统提供基本的复位和监控功能。每个器件都会监控系统电压，并保持复位输出，直到该电压达到器件指定的跳变值，然后在内部定时器（最短为140 ms）计时结束前，维持复位输出的有效状态，以使系统电源稳定。CAT823和CAT824还设有看门狗输入，可用于监控系统信号，若信号在超时条件发生前未改变状态，则会触发复位

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥3.03
30+
￥2.73
100+
￥2.37
500+
￥2.08
1000+
￥1.98

有货

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4引脚微处理器电源监控器，带手动复位功能

型号：CAT811TTBI-GT3 编号：C73274

封装：SOT-143

品牌：onsemi(安森美)

CAT811是一款用于监控电源的微处理器监控电路。在工业温度范围内工作的应用中，具备手动复位输入功能。这些器件会生成一个复位信号，当电源电压低于预设阈值电平时，该信号有效，并在电源电平升至该阈值以上后至少保持140 ms。采用的基础浮栅技术——模拟EEPROM，使得提供任何定制复位阈值成为可能。提供七种行业标准阈值电平，以支持+5.0 V、+3.3 V、+3.0 V和+2.5 V系统。CAT811具有RESET推挽输出（低电平有效）。电源上的快速瞬变会被忽略，并且保证在低至1.0 V的Vcc电平下，输出处于正确状态。 CAT811在工业温度范围（-40°C至85°C）内进行了全面规格定义，采用紧凑的4引脚SOT - 143封装。

数据手册

1+
￥6.12
10+
￥5.16
30+
￥4.68
100+
￥4.21
500+
￥3.04
1000+
￥2.89

有货

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独立式耐压:39V 电流:0.05uA

型号：BZX84C39LT1G 编号：C165614

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.1042
200+
￥0.0906
600+
￥0.0831
3000+
￥0.0694
9000+
￥0.0655
21000+
￥0.0634

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT2222ATT1G 编号：C94417

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-416/SC-75封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

数据手册

20+
￥0.1965
200+
￥0.1549
600+
￥0.1318
3000+
￥0.1106
9000+
￥0.0986
21000+
￥0.0921

有货

立即购买

独立式耐压:10V 电流:0.2uA@6V

型号：BZX84C10LT1G 编号：C82476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.2279
200+
￥0.1804
600+
￥0.154
3000+
￥0.1382
9000+
￥0.1244

有货

立即购买

独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2V

型号：BZX84C5V1LT1G 编号：C47075

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.2365
200+
￥0.1864
600+
￥0.1585
3000+
￥0.1418
9000+
￥0.1273
21000+
￥0.1195

有货

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