安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123FL

运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMICA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。

数据手册

5+
￥0.8613
50+
￥0.6901
150+
￥0.6046
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￥0.5404
3000+
￥0.4461
6000+
￥0.4205

有货

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型号：SS16T3G 编号：C113257

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8351
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￥0.6645
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￥0.5792
500+
￥0.5152
2500+
￥0.464
5000+
￥0.4383

有货

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型号：NC7WZ04FHX 编号：C895623

封装：MicroPak-2-6

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.8508
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￥0.6755
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￥0.5879
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￥0.5222
2500+
￥0.4696
5000+
￥0.4433

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型号：1SMA5928BT3G 编号：C235763

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.9799
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￥0.7753
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￥0.6876
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￥0.5782
2500+
￥0.5295
5000+
￥0.5002

有货

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型号：NTR4171PT1G 编号：C146715

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

30 V，3.5 A，75 mΩ，单 P 沟道，功率 MOSFET，SOT-23

数据手册

5+
￥1.0088
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￥0.8071
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￥0.7063
500+
￥0.6306
3000+
￥0.5701
6000+
￥0.5398

有货

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型号：1SMB5927BT3G 编号：C53171

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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5+
￥1.0227
50+
￥0.8097
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￥0.7183
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￥0.6044
2500+
￥0.531
5000+
￥0.5005

有货

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型号：1SMB5918BT3G 编号：C142361

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.029
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￥0.8199
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￥0.7154
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￥0.5602
2500+
￥0.4975
5000+
￥0.4661

有货

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型号：MBR120LSFT1G 编号：C891416

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

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5+
￥1.1793
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￥0.9328
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￥0.8272
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￥0.6954
3000+
￥0.6367
6000+
￥0.6015

有货

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型号：1SMA5937BT3G 编号：C235776

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.2047
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￥0.9661
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￥0.7362
2500+
￥0.6071
5000+
￥0.573

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型号：TLV431ASN1T1G 编号：C127592

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低压精确可调分路稳压器

数据手册

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￥1.2529
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￥1.0432
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￥0.9533
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￥0.8412
3000+
￥0.7913
6000+
￥0.7613

有货

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型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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5+
￥1.2812
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￥1.0249
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￥0.915
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￥0.7779
2500+
￥0.666
5000+
￥0.6294

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型号：KSP44BU 编号：C232817

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCEO = KSP44: 400 V；KSP45: 350 V

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5+
￥1.292876 ￥1.3754
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￥1.028172 ￥1.0938
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￥0.914808 ￥0.9732
1000+
￥0.720792 ￥0.7668
2000+
￥0.657812 ￥0.6998
5000+
￥0.61993 ￥0.6595

有货

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型号：MC14069UBDR2G 编号：C36955

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。六个反相器中的每一个都是单级的，以尽量减少传播延迟。

数据手册

5+
￥1.2939
50+
￥0.9891
150+
￥0.8584
500+
￥0.6954
2500+
￥0.6229
5000+
￥0.5793

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型号：MC14066BDR2G 编号：C52828

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14066B由四个独立的开关组成，能够控制数字或模拟信号。该四通道双边开关适用于信号门控、斩波、调制解调和CMOS逻辑实现。

数据手册

5+
￥1.4525
50+
￥1.1582
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￥1.0321
500+
￥0.8363
2500+
￥0.7662
5000+
￥0.7242

有货

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型号：MC14050BDR2G 编号：C233573

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单个单片结构中构建而成。这些互补MOS器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压VDD即可实现逻辑电平转换。输入信号高电平(VIH)可以超过VDD电源电压以进行逻辑电平转换。当这些器件用作CMOS到TTL/DTL转换器时，可以驱动两个TTL/DTL负载(VDD = 5.0V，VOL ≤ 0.4V，IOL ≥ 3.2mA)。

数据手册

5+
￥1.5633
50+
￥1.2357
150+
￥1.0953
500+
￥0.8139
2500+
￥0.7359
5000+
￥0.6891

有货

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型号：MBR1H100SFT3G 编号：C235757

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。

数据手册

5+
￥1.6077
50+
￥1.2675
150+
￥1.1217
500+
￥0.8689
2500+
￥0.7879
5000+
￥0.7393

有货

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型号：MC14049BDR2G 编号：C7574

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14049B 六反相器/缓冲器和 MC14050B 六同相缓冲器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。这些互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压 VDD 即可实现逻辑电平转换

数据手册

5+
￥1.6461
50+
￥1.3191
150+
￥1.179
500+
￥0.9432
2500+
￥0.8654
5000+
￥0.8186

有货

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型号：NCV1117ST33T3G 编号：C114733

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

数据手册

5+
￥1.6753
50+
￥1.3387
150+
￥1.1945
500+
￥0.9053
2500+
￥0.8251
4000+
￥0.777

有货

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型号：MURS360BT3G 编号：C150048

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管，在尺寸和重量对系统至关重要的情况下使用。

数据手册

5+
￥1.7064
50+
￥1.3808
150+
￥1.2413
500+
￥1.0673
2500+
￥0.8862
5000+
￥0.8397

有货

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型号：1N5349BRLG 编号：C9078

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥1.7867
50+
￥1.4238
150+
￥1.2683
500+
￥1.0743
2500+
￥0.9879
4000+
￥0.936

有货

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型号：MC14051BDR2G 编号：C7284

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14051B 是一种8通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

数据手册

5+
￥1.8216
50+
￥1.4424
150+
￥1.2798
500+
￥1.0296
2500+
￥0.9393
5000+
￥0.8851

有货

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型号：MUR460RLG 编号：C16377

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥1.8655
50+
￥1.4479
150+
￥1.269
1500+
￥1.0457
3000+
￥0.9463
4500+
￥0.8866

有货

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型号：MC14040BDR2G 编号：C62403

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14040B 12 级二进制计数器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。该部件设计有输入波形整形电路和 12 级行波进位二进制计数器。器件在时钟脉冲的下降沿进行计数

数据手册

5+
￥1.887
50+
￥1.4956
150+
￥1.3278
500+
￥1.1185
2500+
￥1.0253
5000+
￥0.9693

有货

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型号：NDT2955 编号：C194179

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.3343
50+
￥1.8481
150+
￥1.6397
500+
￥1.3797
2500+
￥1.264
4000+
￥1.1945

有货

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型号：UC3844BD1R2G 编号：C7117

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和直流 - 直流转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿基准源、高增益误差放大器、电流检测比较器和一个非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，其中包括带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存器，以及一个触发器，该触发器每隔一个振荡周期将输出关断，允许将输出死区时间从50%编程到70%。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级设有单独的电源和接地引脚。UCX844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线转换器。UCX845B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5V（开启）和7.6V（关断）。

数据手册

5+
￥2.5107
50+
￥2.0035
150+
￥1.7861
500+
￥1.2602
2500+
￥1.1394
5000+
￥1.0669

有货

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型号：MC74ACT244DTR2G 编号：C233595

封装：ETSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

设计用作内存地址驱动器、时钟驱动器和面向总线的收发器，可提高印刷电路板密度。

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.14
30+
￥1.9
100+
￥1.61
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

有货

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型号：CAT24C128YI-GT3 编号：C238978

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 Kb的串行EEPROM，采用I²C接口，内部组织为16384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

数据手册

1+
￥2.91
10+
￥2.29
30+
￥2.02
100+
￥1.69
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

有货

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型号：NCP1271D65R2G 编号：C110551

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1271代表了新一代固定频率PWM电流模式反激式控制器。该器件具备集成高压启动功能和出色的待机性能。专有的软跳周期模式可实现极低的待机功耗，同时将电源的声学噪声降至最低。

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.74
30+
￥2.46
100+
￥2.11
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

有货

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型号：FSA2567MPX 编号：C512961

封装：WFQFN-16(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

数据手册

1+
￥3.66
10+
￥3.05
30+
￥2.79
100+
￥2.46
500+
￥2.31
1000+
￥2.23

有货

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型号：NCS20074DR2G 编号：C89844

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，工作温度范围为 -40°C至125°C。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

数据手册

1+
￥3.68
10+
￥2.92
30+
￥2.54
100+
￥2.16
500+
￥1.94
1000+
￥1.82

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