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首页 > 热门关键词 > 安森美光耦
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独立式 耐压:3.3V 电流:25uA@1V
型号：MMBZ5226BLT1G 编号：C94380
封装：SOT-23
品牌：onsemi(安森美)
该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
数据手册

  • 20+

    ￥0.2545

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    ￥0.2031

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    ￥0.1745

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    ￥0.1282

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    ￥0.1202
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    单向ESD 6V截止 峰值脉冲电流：8.8A
    型号：ESD5Z6.0T1G 编号：C82323
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其尺寸小，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2691

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      ￥0.1437
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    PNP 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC856BLT1G 编号：C165609
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 合格且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2694

    • 100+

      ￥0.2176

    • 300+

      ￥0.1917

    • 3000+

      ￥0.1577

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      ￥0.1343
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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846BDW1T1G 编号：C232588
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-363/SC-88封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2704

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      ￥0.218

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    PNP 电流:50mA 电压:50V
    型号：MMBT5087LT1G 编号：C33244
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 PNP 双极晶体管适用于高增益、低噪声通用放大器应用。 此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2792

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      ￥0.2242

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    独立式 耐压:6.8V 电流:3uA@5V
    型号：MMSZ5235BT1G 编号：C66199
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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      ￥0.3597

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    单路施密特触发反相器
    型号：NC7SZ14M5X 编号：C457616
    封装：SOT-23-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ14 是一款采用施密特触发输入的单反相器，属于 TinyLogic 超高速（UHS）系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件的工作范围为 1
    数据手册

    • 10+

      ￥0.424

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      ￥0.2341
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    3.3V 300mA 5.5V
    型号：NCP114ASN330T1G 编号：C457666
    封装：TSOP-5-1.5mm
    品牌：onsemi(安森美)
    高PSRR
    数据手册

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      ￥0.5649

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    单向ESD 12V截止 峰值脉冲电流：12A@8/20us
    型号：SM12T1G 编号：C92455
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5741

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    电压:30V 电流:1A
    型号：MBR130T1G 编号：C82461
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

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      ￥0.5804

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      ￥0.2825
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    通用整流器
    型号：S1G 编号：C124480
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    1.0A通用整流器
    数据手册

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      ￥0.6179

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      ￥0.3323
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    电压:60V 电流:1A
    型号：SS16T3G 编号：C113257
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

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      ￥0.8351

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    电压:40V 电流:1A
    型号：MBRS140T3G 编号：C133091
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9403

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      ￥0.4579
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    独立式 耐压:7.5V 电流:2.5uA
    型号：1SMA5922BT3G 编号：C47074
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9496

    • 50+

      ￥0.7611

    • 150+

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      ￥0.5019

    • 5000+

      ￥0.4736
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    恒流调节器与LED驱动器，45V，25mA，460mW封装
    型号：NSI45025AT1G 编号：C146752
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    线性恒流调节器（CCR）是一种简单、经济且耐用的设备，旨在为调节LED中的电流提供经济高效的解决方案（类似于恒流二极管，CCD）。CCR基于自偏置晶体管（SBT）技术，可在较宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数，以保护LED在极端电压和电流下免受热失控影响。CCR可立即开启，仅需0.5V的Vak即可达到25%的调节率。它无需外部组件，可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业 signage应用中常见的浪涌。CCR采用热性能良好的封装，并通过了UL94-V0认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9834

    • 50+

      ￥0.804

    • 150+

      ￥0.7143

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      ￥0.6471

    • 3000+

      ￥0.5599

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      ￥0.5329
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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：MURS220T3G 编号：C56421
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0173

    • 50+

      ￥0.8029

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      ￥0.5964

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      ￥0.5454

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      ￥0.5147
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    低失调电压双比较器
    型号：LM2903DMR2G 编号：C138472
    封装：MSOP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源工作时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0225

    • 50+

      ￥0.8842

    • 150+

      ￥0.8249

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    • 2500+

      ￥0.5702

    • 4000+

      ￥0.5504
  • 有货
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    独立式 耐压:12V 电流:1uA
    型号：1SMB5927BT3G 编号：C53171
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0227

    • 50+

      ￥0.8097

    • 150+

      ￥0.7183

    • 500+

      ￥0.6044

    • 2500+

      ￥0.531

    • 5000+

      ￥0.5005
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    1.24V~16V 并联 150nA
    型号：TLV431BSN1T1G 编号：C91075
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    低压精确可调分路稳压器
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0996

    • 50+

      ￥0.8848

    • 150+

      ￥0.7927

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      ￥0.6779

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      ￥0.5551

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      ￥0.5244
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    电压:60V 电流:2A
    型号：SS26T3G 编号：C47071
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1042

    • 50+

      ￥0.8809

    • 150+

      ￥0.7255

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      ￥0.6061

    • 2500+

      ￥0.553

    • 5000+

      ￥0.521
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.7A
    型号：FDN335N 编号：C241804
    封装：SOT-23-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1371

    • 50+

      ￥0.9002

    • 150+

      ￥0.7987

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      ￥0.5818
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    电压:100V 电流:1A
    型号：MBRS1100T3G 编号：C82068
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1787

    • 50+

      ￥0.9582

    • 150+

      ￥0.8637

    • 500+

      ￥0.7006

    • 2500+

      ￥0.6481

    • 5000+

      ￥0.6165
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    5V 1A 24V
    型号：MC7805BDTRKG 编号：C110908
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2431

    • 50+

      ￥0.9927

    • 150+

      ￥0.8854

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    四2输入与非施密特触发器
    型号：MC14093BDR2G 编号：C36616
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC14093B施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，以单块结构制成。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合
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      ￥1.2616

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      ￥1.0211

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    4.2V~28V 串联 220uA 18ppm/℃
    型号：NCP51460SN33T1G 编号：C233715
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    精确电压参考，20 mA，低 Iq，高 PSRR，低噪声
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      ￥1.3371

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:27A
    型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。 功率负载开关
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    • 5+

      ￥1.3407

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      ￥0.8808
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    500mV@1nA
    型号：MMBFJ270 编号：C160435
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    JFET，P沟道,30V,50mA
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      ￥1.4008

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    电压:100V 电流:1A
    型号：MBR1H100SFT3G 编号：C235757
    封装：SOD-123FL
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。
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    • 5+

      ￥1.497

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      ￥0.6895
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    双D型触发器
    型号：MC14013BDTR2G 编号：C233444
    封装：TSSOP-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC14013B双D触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。每个触发器都有独立的数据（D）、直接置位（S）、直接复位（R）和时钟（C）输入，以及互补输出（Q和Q̅）。这些器件可用作移位寄存器元件，或作为T型触发器用于计数器和触发应用
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      ￥1.5226

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      ￥1.2

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      ￥0.7664
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    六路施密特触发反相器
    型号：74VHC14MTCX 编号：C6145
    封装：TSSOP-14
    品牌：onsemi(安森美)
    VHC14是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS六施密特反相器。它能实现类似于等效双极型肖特基TTL的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。其引脚配置和功能与VHC04相同，但输入在正跳变和负跳变输入阈值之间具有迟滞特性，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰明确、无抖动的输出信号，因此比传统反相器具有更大的噪声容限
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    • 5+

      ￥1.8197

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      ￥1.439

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