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首页 > 热门关键词 > 安森美光耦
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双向可控硅 有过零电路 1通道
型号：FOD4108TV 编号：C899282
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
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    ￥11.643 / 个
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预售商品
双向可控硅 有过零电路 1通道
型号：FOD4118TV 编号：C899301
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管，可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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    ￥13.2468 / 个
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3A输出电流、高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器
型号：FOD3184TSR2 编号：C17598759
封装：SMD-8P
品牌：onsemi(安森美)

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    AC,DC输入 1通道 隔离电压(rms):2500V
    型号：MID400WV 编号：C899758
    封装：DIP-8
    品牌：onsemi(安森美)
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD410TV 编号：C899288
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
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      ￥12.44532 / 个
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD410SDV 编号：C899286
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：FOD420SDV 编号：C899311
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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      ￥12.75756 / 个
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8160R2 编号：C899328
    封装：SOIC-5-9.2mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8160 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门输出（开路集电极输出）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。 该器件采用飞兆专有的 Optoplanar 共面封装技术，优化了 IC 设计，通过高共模抑制规格特点实现了高抗噪能力。
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      ￥12.83328 / 个
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：FOD4216SDV 编号：C899317
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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      ￥13.23924 / 个
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：FOD4216S 编号：C899315
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：FOD4216TV 编号：C899319
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：FOD4216V 编号：C899320
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD4118SV 编号：C899300
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管，可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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      ￥13.2468 / 个
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD4118V 编号：C899302
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管，可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：FOD4208TV 编号：C899308
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
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      ￥13.2468 / 个
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD410SV 编号：C899287
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
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      ￥14.04636 / 个
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD4116TV 编号：C899295
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。
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      ￥16.19232 / 个
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：FOD4218TV 编号：C899325
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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      ￥16.0854 / 个
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    FOD8334R2
    型号：FOD8334R2 编号：C898493
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8334 是一款 4.0 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8334 提供了一些必需的保护特性，防止发生导致 IGBT 破坏性热崩溃的故障情况。 该器件利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现可靠的高隔离和高抗扰度，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体，16 引脚，小外形塑料封装。 该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的 AlGaAs 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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      ￥30.9408 / 个
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD4116SD 编号：C899292
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。
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      ￥16.19232 / 个
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD4116SV 编号：C899294
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。
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      ￥16.19232 / 个
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD4116SDV 编号：C899293
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。
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      ￥16.19232 / 个
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    3.3V双通道高速10MBit/s逻辑门光耦合器
    型号：HCPL062NR1 编号：C21246881
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥43.08

    • 200+

      ￥17.19

    • 500+

      ￥16.62

    • 1000+

      ￥16.34
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    预售商品
    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8320 编号：C900918
    封装：SOIC-5-9.2mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8320 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的 Optoplanar 共面封装封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED) 组成，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。该器件采用宽体，5 引脚，小外形塑料封装。
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      ￥19.3356 / 个
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    预售商品
    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8383 编号：C900925
    封装：SOIC-5-9.2mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8383 是一个 2.5 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制变频应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。
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    • 单价：

      ￥20.06796 / 个
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    预售商品
    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8320R2 编号：C899340
    封装：SOIC-5-9.2mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8320 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的 Optoplanar 共面封装封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED) 组成，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。该器件采用宽体，5 引脚，小外形塑料封装。
    数据手册

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      ￥19.3356 / 个
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    预售商品
    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8384V 编号：C900927
    封装：SOIC-5-8.8mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8384 是一个 2.5 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。
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      ￥19.9194 / 个
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    预售商品
    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8384R2V 编号：C899355
    封装：SOIC-5-8.8mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8384 是一个 2.5 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。
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      ￥19.9194 / 个
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8384 编号：C605162
    封装：SOIC-5-8.8mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8384 是一个 2.5 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8384R2 编号：C899354
    封装：SOIC-5-8.8mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8384 是一个 2.5 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。
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