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首页 > 热门关键词 > 安森美光耦
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  • FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关使用两个逆向并联 SCR 形成,构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。
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  • FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器,支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口,从控制器向 IPM 传输数字控制信号,无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装,包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性,消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱,不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH,最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列,在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围,可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容,与其他高速光耦合器相比,功耗更低。
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  • FODM8061 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出(开路集电极)光耦合器,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制规定特性。此光耦合器在输入处包含一个 AlGaAS LED,与高速集成式光电检测器逻辑门级进行光耦合。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。耦合参数在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。
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    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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      ¥8.12784 / 个
    HCPL3700M 电压/电流阈值检测光耦合器包括一个联接阈值感应输入缓冲集成电路的 AlGaAs LED,该集成电路与高增益达灵顿输出进行光耦合。输入缓冲芯片能够使用单个电阻在较宽的输入电压范围内控制阈值水平。该输出可兼容 TTL 和 CMOS。
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    HCPL3700M 电压/电流阈值检测光耦合器包括一个联接阈值感应输入缓冲集成电路的 AlGaAs LED,该集成电路与高增益达灵顿输出进行光耦合。输入缓冲芯片能够使用单个电阻在较宽的输入电压范围内控制阈值水平。该输出可兼容 TTL 和 CMOS。
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      ¥8.46564 / 个
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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  • FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器,支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口,从控制器向 IPM 传输数字控制信号,无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装,包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性,消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱,不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH,最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列,在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围,可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容,与其他高速光耦合器相比,功耗更低。
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  • HCPL-0700、HCPL-0701、HCPL-0730 和 HCPL-0731 光耦合器包括一个与高增益分离达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED,采用紧凑型 8 引脚小外形封装。HCPL-0730 和 HCPL-0731 器件每个封装有两个沟道,可实现最佳安装密度。该分离达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离,与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比,可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。
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  • FOD8320 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器,能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的 Optoplanar 共面封装封装技术和优化的集成电路设计,可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED) 组成,该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。该器件采用宽体,5 引脚,小外形塑料封装。
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      ¥19.3356 / 个
    FOD8321是一个2.5A的输出电流栅极驱动光电耦合器,可驱动中等功率的IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。
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      ¥20.02536 / 个
    FOD8383 是一个 2.5 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器,可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制变频应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。
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      ¥20.06796 / 个
    FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关使用两个逆向并联 SCR 形成,构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。
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    • 单价:

      ¥10.88124 / 个
    FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管,该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关,形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
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      ¥10.88124 / 个
    FOD8160 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门输出(开路集电极输出)光电耦合器,支持隔离式通信,允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。 该器件采用飞兆专有的 Optoplanar 共面封装技术,优化了 IC 设计,通过高共模抑制规格特点实现了高抗噪能力。
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      ¥12.83328 / 个
    FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管,该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关,形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
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