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  • FOD3184 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
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      ¥5.72712 / 个
    FOD3184 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
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      ¥5.80608 / 个
    FOD8314 系列是一个 1.0 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器,可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制变频应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。
    数据手册
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      ¥4.3698 / 个
    6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
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      ¥5.56728 / 个
    6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
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    6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
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    6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
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  • 6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
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      ¥5.78172 / 个
    6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
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      ¥5.78172 / 个
    MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关(三端双向可控硅元件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。这些器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。这些器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。
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      ¥3.9948 / 个
    FOD8314 系列是一个 1.0 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器,可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制变频应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。
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      ¥4.3698 / 个
    6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
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  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
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  • H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器,针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化,利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。
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      ¥5.21076 / 个
    FODM452 和 FODM453 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。该器件采用紧凑的 5 引脚微型扁平封装,可实现最佳安装密度。FODM453 具有高 CMR 等级,可实现优化的共模瞬变抗扰性。
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      ¥6.38964 / 个
    FOD8001 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极光耦合器,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。此高速逻辑门极光耦合器封装在 8 引脚小型封装中,包含一个高速 AlGaAs LED,由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合,实现了低能耗以及极高速(40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真)。
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      ¥6.45972 / 个
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  • FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器,能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制规定特性。 它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管,该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
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