安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

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型号：FOD8321R2 编号：C605160

封装：SOIC-5-8.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8321是一个2.5A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

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单价：
￥21.0264 / 个

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型号：FOD8321V 编号：C900920

封装：SOIC-5-8.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8321是一个2.5A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

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单价：
￥20.02536 / 个

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型号：FOD8383R2 编号：C899352

封装：SOIC-5-9.2mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8383 是一个 2.5 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制变频应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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单价：
￥20.06796 / 个

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型号：FOD8383R2V 编号：C899353

封装：SOIC-5-9.2mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8383 是一个 2.5 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制变频应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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单价：
￥20.06796 / 个

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型号：FOD3181SDV 编号：C19585939

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥53.62
200+
￥21.4
500+
￥20.68
1000+
￥20.33

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型号：FOD8316V 编号：C899338

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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单价：
￥21.28956 / 个

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型号：HSR412 编号：C19615053

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥66.76
200+
￥26.64
500+
￥25.75
1000+
￥25.31

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型号：HSR312L 编号：C19347055

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥66.76
200+
￥26.64
500+
￥25.75
1000+
￥25.31

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型号：HSR412SR2 编号：C19609822

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥67.43
200+
￥26.91
500+
￥26.01
1000+
￥25.56

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型号：HSR412LSR2 编号：C19413114

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥67.43
200+
￥26.91
500+
￥26.01
1000+
￥25.56

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型号：HSR312SR2 编号：C19331431

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥67.43
200+
￥26.91
500+
￥26.01
1000+
￥25.56

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型号：HSR312LSR2 编号：C19416238

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥89.9
200+
￥35.87
500+
￥34.68
1000+
￥34.08

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型号：FOD8318V 编号：C899339

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8318 是一款先进的 2.5?A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200 V/150 A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的高速隔离式反馈。FOD8318 具有有源米勒箝位功能，可在高 dv/dt 情况下关闭 IGBT，而无需负电源电压。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件封装在紧凑型 16 引脚小型塑料封装中，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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