PC817光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ORPC-817MC-F 编号：C3031015

封装：DIP-4

品牌：Orient(奥伦德)

ORPC-817M 系列光耦合器由一个 GaAs 的发射管和一个 NPN 的晶体管组成 ORPC-817M 的 BIN 脚宽是 2.54mm。

10+
￥0.2892
100+
￥0.2302
300+
￥0.1933
1000+
￥0.1711

有货

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型号：BPC-817SB 编号：C18212331

封装：SMD-4P

品牌：BrtLed(佰鸿)

BPC - 817S系列是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。引脚间距为2.54mm。

10+
￥0.3221
100+
￥0.2511
300+
￥0.2155
2000+
￥0.2052
4000+
￥0.1839

有货

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型号：PC817C(DIP-4) 编号：C50176486

封装：DIP-4

品牌：SEP(威旺)

由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

20+
￥0.1099
200+
￥0.1074
600+
￥0.1058

有货

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型号：PC817A-FEL-D 编号：C50229500

封装：DIP-4

品牌：DDF(鼎德丰)

商品目录:晶体管输出光耦输入类型:DC 输出类型:光电三极管正向压降(Vf):1.2V 输出电流:50mA 隔离电压(Vrms):5kV 直流反向耐压(Vr):6V 输出通道数 1 集射极饱和电压(VCE(sat)) 200mV@1mA,20mA 上升时间(tr) 4us 下降时间 3us 工作温度 -55℃~+110℃ 电流转换比的等级分类CTR:80-160

20+
￥0.18734 ￥0.1972
200+
￥0.145065 ￥0.1527
600+
￥0.121505 ￥0.1279
2000+
￥0.107445 ￥0.1131
10000+
￥0.09519 ￥0.1002
20000+
￥0.088635 ￥0.0933

有货

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型号：PC817C(SOP-4) 编号：C50176487

封装：SOP-4

品牌：SEP(威旺)

由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

20+
￥0.2112
200+
￥0.1653
600+
￥0.1398
2000+
￥0.1245

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型号：BPC-817SC 编号：C94736

封装：SMD-4P

品牌：BrtLed(佰鸿)

BPC - 817S 系列是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。引脚间距为 2.54 mm。

数据手册

10+
￥0.3656
100+
￥0.285
300+
￥0.2447
2000+
￥0.2329

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型号：CYPC817C 编号：C385059

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

CYPc817是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

数据手册

20+
￥0.2224
200+
￥0.1732
600+
￥0.1459
2000+
￥0.1295
10000+
￥0.1153
20000+
￥0.1077

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型号：CYPC817A 编号：C7589065

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

CYPC817是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，两种材料（铜脚、铁脚，铜脚尾缀-G）三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

10+
￥0.2589
100+
￥0.2047
300+
￥0.1776

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型号：ORPC-817B-C 编号：C3031029

封装：DIP-4

品牌：Orient(奥伦德)

光耦合器由一个 GaAs 发射极和一个 NPN 晶体管组成。采用 4 引脚 DIP 封装，有宽引脚间距和 SMD 选项。

数据手册

10+
￥0.2914
100+
￥0.229
300+
￥0.2043

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型号：PC817SC 编号：C41416271

封装：SMD-4L

品牌：GME(银河微电)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA，VCE = 5V时为50~600%。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 5000V rms）。集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。工作温度：-55°C~110°C。应用：可编程控制器。系统电器、测量仪器

10+
￥0.3895
100+
￥0.3079
300+
￥0.2671
2000+
￥0.2365

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型号：DPC817S-B-TR 编号：C22454766

封装：-

品牌：DIODES(美台)

5+
￥1.8523
50+
￥1.4711
150+
￥1.3078

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型号：CYPC817D 编号：C3018787

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

CYPC817是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，两种材料（铜脚、铁脚，铜脚尾缀-G）三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

数据手册

10+
￥0.1472
100+
￥0.1439
300+
￥0.135
1000+
￥0.1328

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型号：ZSPC-817-Z2 编号：C7497255

封装：SMD

品牌：Chau Light(洲光源)

是一款 DIP-4 引脚封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成；光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，产品广泛应用于电源设备上，例如手机充电器，家电产品电源供应器等。

20+
￥0.2199
200+
￥0.1713
600+
￥0.1443
2000+
￥0.1281
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￥0.1141
20000+
￥0.1065

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型号：ORPC-817D-F 编号：C231231

封装：DIP-4

品牌：Orient(奥伦德)

ORPC-817 系列光耦合器的组成是：由一个 GaAs 的发射管和一个 NPN 的晶体管组成 ORPC-817 的 BIN 脚宽是 2.54mm

数据手册

10+
￥0.2376
100+
￥0.1874
300+
￥0.1623
1000+
￥0.1435
5000+
￥0.1285
10000+
￥0.1209

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型号：ORPC-817A-F 编号：C231228

封装：DIP-4

品牌：Orient(奥伦德)

ORPC-817光耦合器由一个砷化镓（GaAs）发射器和一个NPN晶体管组成。采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距和贴片式（SMD）可选。

数据手册

10+
￥0.128
100+
￥0.1251
300+
￥0.1231
1000+
￥0.1211

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型号：BPC-817B 编号：C2692099

封装：DIP-4

品牌：BrtLed(佰鸿)

BPC - 817系列是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。引脚间距为2.54mm。

10+
￥0.1891
100+
￥0.1849
300+
￥0.1821

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型号：PC817CSQ 编号：C48642466

封装：SOP-4

品牌：QNHCHIP(乾能惠)

由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成；光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，产品广泛应用于电源设备上，例如手机充电器，家电产品电源供应器等。

20+
￥0.222395 ￥0.2341
200+
￥0.176795 ￥0.1861
600+
￥0.153995 ￥0.1621
2000+
￥0.136895 ￥0.1441
10000+
￥0.123215 ￥0.1297
20000+
￥0.116375 ￥0.1225

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型号：PC817SA 编号：C41416269

封装：SMD-4L

品牌：GME(银河微电)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA，VCE = 5V时为50~600%。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 5000V rms）。集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。工作温度：-55°C~110°C。应用：可编程控制器。系统电器、测量仪器

10+
￥0.3725
100+
￥0.2909
300+
￥0.2501
2000+
￥0.2195

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型号：BPC-817C 编号：C2692100

封装：DIP-4

品牌：BrtLed(佰鸿)

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。引脚间距为2.54mm

10+
￥0.3411
100+
￥0.2715
300+
￥0.2367

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型号：BPC-817S 编号：C94737

封装：SOP-4

品牌：BrtLed(佰鸿)

BPC - 817S 系列是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。引脚间距为 2.54 mm。

数据手册

10+
￥0.3587
100+
￥0.2867
300+
￥0.2507
2000+
￥0.2151
4000+
￥0.1935
10000+
￥0.1827

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型号：PC817C-FEL-D 编号：C50229496

封装：DIP-4

品牌：DDF(鼎德丰)

商品目录:晶体管输出光耦输入类型:DC 输出类型:光电三极管正向压降(Vf):1.2V 输出电流:50mA 隔离电压(Vrms):5kV 直流反向耐压(Vr):6V 输出通道数 1 集射极饱和电压(VCE(sat)) 200mV@1mA,20mA 上升时间(tr) 4us 下降时间 3us 工作温度 -55℃~+110℃ 电流转换比的等级分类CTR:200-400