1204光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP5772(TP,E 编号：C396037

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5772由一个镓铝砷（GaAℓAs）红外发光二极管以及一个集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5772的尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥7.26
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型号：LTV-178 编号：C48542903

封装：SOP-4

品牌：LITEON(光宝)

由铝镓砷红外发光二极管与光MOSFET光耦合组成，采用SOP4封装，适用于表面贴装。适用于需要节省空间的电池管理系统。

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型号：APY216S 编号：C42444424

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

是可靠的、技术先进的逻辑到电源接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。

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型号：PR39MF51NSLH 编号：C390736

封装：DIP-8

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。办公自动化设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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型号：AT480-CuH-W 编号：C20612782

封装：SOP-6-W

品牌：AOTE(奥特)

AT480 高速光耦合器包含一个 GaAsP LED 和一个光电探测器，内置施密特触发器，提供逻辑兼容波形，可节省额外波形整型需求。广泛应用于：IPM 接口隔离、隔离 IGBT/MOSFET 门驱动器、交流和无刷直流电机驱动、工业变频器、通用数字隔离

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型号：APY212G2HS 编号：C44916796

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

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型号：FOD2712AR2 编号：C903690

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A光隔离放大器包括流行的AZ431L精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。参考电压容差为1%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2712A时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用紧凑型8引脚小型封装。

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型号：TLP293-4(LGBTR,E 编号：C17639925

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TLP3073(TP1,F 编号：C2693197

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由非过零光控可控硅与红外LED光耦合组成，采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥3.57
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型号：LT247 编号：C33962511

封装：SOP-4

品牌：Letex(丽太)

LT247是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，实现输入与输出之间1500V的隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端则采用MOSFET。

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型号：HCPL-4506-000E 编号：C56410

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED或AlGaAs LED，LED与集成高增益光电探测器光耦合。器件间传播延迟差异最小化，可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。片上20kΩ输出上拉电阻可通过短接输出引脚6和7启用，在常见IPM应用中无需外部上拉电阻。

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￥3.501 ￥3.89
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型号：ACPL-227-500E 编号：C5260473

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 227是一款直流输入双通道半间距光电晶体管光耦合器，包含两个与两个独立光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用8引脚SO封装。同样，ACPL - 247是一款直流输入四通道半间距光电晶体管光耦合器，包含四个与四个独立光电晶体管光耦合的发光二极管

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型号：GAQW212GE 编号：C7435151

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗 EMI 或 RF。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：ACPL-W343-560E 编号：C364870

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥4.9685 ￥5.23
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型号：ACPL-M50L-560E 编号：C2927821

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在-40℃至+105℃的温度范围内，在VCM = 1500V时，具有至少15kV/μs的增强共模瞬态抗扰度。在IF = 3mA时，ACPL-M50L的电流传输比（CTR）典型值为140%，ACPL-054L/W50L/K54L的典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用。

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型号：FODM453R2V 编号：C411199

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM452 和 FODM453 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。该器件采用紧凑的 5 引脚微型扁平封装，可实现最佳安装密度。FODM453 具有高 CMR 等级，可实现优化的共模瞬变抗扰性。

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型号：GAQY225G3EH 编号：C53198684

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压: 100 V 连续负载电流: 3.0A

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￥7.26
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型号：APV1121SX 编号：C719600

封装：SOP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：高速开关。高绝缘性：DIP 类型：5000 Vrms，SOP 类型：2500 Vrms，SSOP 类型：1500 Vrms。产品种类丰富：产品包括 SSOP、SOP4 引脚和 DIP6 引脚。应用：电子电路的电源（Vcc）。驱动 MOSFET

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￥6.28
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型号：AT227-CuH-S 编号：C42371488

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

AT227 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥7.429 ￥7.82
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型号：FOD073LR2 编号：C903689

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD073L光耦合器包含与与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的AlGaAs LED。此器件指定在3.3V电压的条件下运行。分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开，相对于传统的达灵顿光电晶体管光耦合器，可降低输出饱和电压，提高运行速度。集成的发射极-基极电阻提供一流的耐温稳定性。0.5mA的极低输入电流和2000%的高电流传送率相结合，使此器件特别适用于与MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口，同时确保与LVCMOS的输出兼容以及满足高扇出LVTTL要求。内部噪声屏蔽可提供10 kV/us的出色共模抑制性能。

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￥7.51
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￥6.2
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￥5.49
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￥4.68
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￥4.16

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型号：TLP184(V4GRTL,SE) 编号：C3003190

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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￥7.69
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￥5.83

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型号：AT0530-CuH-S 编号：C22439636

封装：SOP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT0530双通道光电耦合器包含输入和输出间具有电气绝缘的一对发光二极管和光检测器。广泛应用于：高速逻辑接地隔离、取代脉冲变压器、模拟信号接地隔离、极性感应、隔离模拟放大器。

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￥7.191 ￥7.99
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型号：TLP293-4(V4-GB,E 编号：C94261

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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1+
￥8.15
10+
￥6.81
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￥6.07
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￥5.24
500+
￥4.87

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型号：TLP151A(TPR,E) 编号：C143953

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管（LED）与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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￥8.22
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￥6.75
30+
￥5.95
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￥5.03
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￥4.53
1000+
￥4.34

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型号：BCW212A 编号：C42434371

封装：SMD-8P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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￥8.55 ￥9
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￥7.049 ￥7.42
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￥6.2225 ￥6.55
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￥5.2915 ￥5.57
500+
￥4.8735 ￥5.13
1000+
￥4.6835 ￥4.93

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型号：ACPL-244-500E 编号：C691929

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 224是一款交流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与两个独立的光电晶体管进行光耦合。它采用8引脚SO封装。同样地，ACPL - 244是一款交流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与四个独立的光电晶体管进行光耦合

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