1204光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：ACPL-P480-560E 编号：C691961

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个GaAsP LED、一个光电探测器和一个施密特触发器，无需外部波形调节电路。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。通过减少开关死区时间，将器件之间的传播延迟差异降至最低，以最大化逆变器效率。

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型号：ACPL-P314-560E 编号：C691958

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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型号：GAQV214EH 编号：C7435167

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：GAQY252G3E 编号：C7435141

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

光耦继电器触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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型号：KAQV212G 编号：C22379856

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

KAQV212G系列性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），可在许多应用中替代机电继电器。该开关采用GaAlAs LED进行驱动控制，采用集成单芯片裸片作为开关输出

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型号：APW211G2EH 编号：C42444435

封装：SMD-8P

品牌：APSEMI(先进光)

是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：HCNW4504-500E 编号：C49269559

封装：-

品牌：Broadcom(博通)

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型号：EL0530 编号：C42371562

封装：SOP-8

品牌：AOTE(奥特)

EL0530双通道光电耦合器包含输入和输出间具有电气绝缘的一对发光二极管和光检测器。广泛应用于：高速逻辑接地隔离、取代脉冲变压器、模拟信号接地隔离、极性感应、隔离模拟放大器。

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型号：HCPL-314J-500E 编号：C545701

封装：SOP-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 314J 系列器件由一个 AlGaAs 发光二极管和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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型号：GAQW212G1S 编号：C19188594

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

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型号：QXH65LB-CuH-L 编号：C51026135

封装：LSOP-8

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

LSOP8封装单通道晶体管光耦，7500V隔离电压，130-260%电流传输比

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型号：TLP293-4(V4GBTPE 编号：C2983151

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：LT236 编号：C2691606

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT236 是一款采用 4 引脚 SOP 封装的微型 1-Form A 固态继电器，它采用光耦合 MOSFET 技术，可实现 1500V 的输入 - 输出隔离。光耦合输入由高效的 GaAlAs 红外 LED 控制，输出端采用 MOSFET。

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型号：LT218 编号：C2691607

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT218是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，实现1500V的输入输出隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端则采用MOSFET。

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型号：CPC1009NTR 编号：C2152217

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

是微型低压、低导通电阻、低关态泄漏、常开 (1-Form-A) 固态继电器，采用 4 引脚 SOP 封装。MOSFET 开关和光伏管芯采用专利 OptoMOS 架构，提供 1500Vrms 的输入到输出隔离。光耦合输出由高效红外 LED 控制。采用先进的双模垂直结构，生产出世界上最小的 4 引脚继电器之一，比竞争对手更大的 4 引脚 SOP 继电器节省 20% 的电路板空间。

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型号：AQW212EH 编号：C719670

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

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型号：TLP227GA-2(F 编号：C99481

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP227GA系列由一个砷化镓红外发光二极管与一个光电MOSFET光耦合而成，采用4引脚DIP或8引脚DIP封装，其峰值关态电压为400V。

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型号：BCW216A 编号：C22370885

封装：SMD-8P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：CPC1301GRTR 编号：C7469748

封装：SMD-4P

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1301是一款单向输入光耦合器，具有高压达林顿输出。高效红外LED发出的光激活光耦合的硅NPN光电达林顿输出晶体管。输入LED和输出晶体管由一个5000Vrms的隔离屏障分隔

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型号：ACPL-P341(AT) 编号：C41415691

封装：SOP-6-P

品牌：AOTE(奥特)

ACPL-P341(AT)是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器，具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。

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型号：LTV-316J-TP1 编号：C2944028

封装：-

品牌：LITEON(光宝)

包含AlGaAs LED，LED与带功率输出级的集成电路光耦合。适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，其提供的电压和电流适合直接驱动额定值高达1200V和150A的IGBT，对于更高额定值的IGBT，可用于驱动分立功率级来驱动IGBT栅极。绝缘电压为V_IOM = 1414V_peak，光耦合器的工作参数在-40°C至 + 100°C的温度范围内得到保证。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将具有故障保护和反馈功能的完整隔离IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中

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型号：ACPL-H342-500E 编号：C691946

封装：SOP-8-300mil

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。此光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥12.83
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型号：HCNW3120-500E 编号：C39657

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

2A输出电流,IGBT门驱动光电耦合器

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￥8.036 ￥8.2
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￥7.7812 ￥7.94

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型号：CPC1018NTR 编号：C133069

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1018N是一款采用4引脚SOP封装的微型单刀常开（1-Form-A）固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可实现1500Vrms的输入输出隔离。高效的MOSFET开关和光伏管芯采用了IXYS集成电路事业部的专利OptoMOS架构，而光耦合输出则由高效红外LED控制。与竞争对手更大尺寸的4引脚SOP继电器相比，它至少可节省20%的电路板空间

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