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IGBT驱动光耦-1A-SO6(ROHS)

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型号：HCPL0601R2 编号：C411208

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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型号：GAQW211G2EH 编号：C7435156

封装：SMD-8P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无阀弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥7.37
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￥5.53
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型号：GAQW210S 编号：C19188591

封装：SOP-8

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：HCPL-0531-500E 编号：C21432

封装：SO-8

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。

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型号：GAQV252G3EH 编号：C7435170

封装：SMD-6P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥14.37
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￥10.94
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￥9.03
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￥8.42
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型号：ACPL-W611-560E 编号：C691975

封装：SO-6-6.8mm

ACPL-W611/ACPL-P611是一款光耦合门电路，它将GaAsP发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。探测器IC的输出是一个集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽层为ACPL-W611提供了10,000 V/μs的共模瞬态抗扰度保证指标

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￥14.61
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型号：ACPL-330J-500E 编号：C908115

封装：SOIC-16-Narrow

是一款先进的1.5 A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器，可使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。具有集成Vce检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等功能，提供最大的设计灵活性和电路保护。包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V和100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414 VPEAK。

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￥17.57
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￥13.36
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￥10.4762 ￥10.69
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￥9.4276 ￥9.62

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型号：TLP3109(TP,F 编号：C393897

封装：SMD-6P

TLP3109光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用2.54SOP6封装。

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￥20.97
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￥17.8
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￥15.92
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型号：AQV258H5AX 编号：C719732

封装：SMD-5P

品牌：PANASONIC(松下)

应用：工业电池监测系统

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￥28.11
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￥24.76
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型号：PC817A 编号：C42371498

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

PC817A是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装（DIP4）。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

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￥0.191452 ￥0.2081
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￥0.149224 ￥0.1622
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￥0.124384 ￥0.1352
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￥0.09154 ￥0.0995

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型号：HT-3H7-CTP1 编号：C34376201

封装：SSOP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

晶体管光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：3.75KV.

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￥0.26496 ￥0.2944
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￥0.23436 ￥0.2604
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￥0.21906 ￥0.2434
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￥0.20304 ￥0.2256
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￥0.18927 ￥0.2103

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型号：PC817B 编号：C2936042

封装：SMD-4P

品牌：Slkor(萨科微)

PC817X是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器产品，输入-输出隔电压为5000Vrms，响应时间tr典型值为4μs。当输入电流为2mA时，最小CTR为80%。SMD-4封装。

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￥0.42674 ￥0.4492
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￥0.34466 ￥0.3628
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￥0.30362 ￥0.3196
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￥0.246715 ￥0.2597
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￥0.20976 ￥0.2208

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型号：LTV-1009-TP1-G 编号：C343877

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

CTR:200-400

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￥0.4902
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￥0.407
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￥0.2735
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￥0.261

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型号：LTV-354T-A(UMW) 编号：C20417176

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

该系列交流输入光耦合器由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发射二极管组成，采用4引脚迷你扁平封装。

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￥0.5468
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型号：LTV-356T-D 编号：C94651

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。高输入输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。高集电极发射极电压（VCEO = 80V）。应用：需要高密度安装的混合基板

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￥0.5831
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型号：LTV-3063 编号：C571216

封装：SOP-4-175mil

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：3750Vrms。 4 引脚 MFP 过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM：最小值 600V。应用：电机控制

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￥1.9822
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型号：TCLT1008 编号：C118297

封装：SOP-4-300mil

品牌：VISHAY(威世)

TCLT100系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。

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￥2.2169
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￥1.213632 ￥1.2384
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￥1.02753 ￥1.0485

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型号：OR-406AS-TP 编号：C3031116

封装：SMD-4P

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 406A、OR - 425A、OR - 440A 和 OR - 460A 是固态继电器，其发光侧（输入侧）包含铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管，并通过光耦合连接至高压输出检测电路。该检测电路由输出侧的光伏二极管阵列和 MOSFET 组成。单通道配置等同于 1 型 AEMR

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￥2.96
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￥2.3
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￥2.02
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￥1.67
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￥1.53

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥3.17
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￥2.83
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￥2.49
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￥2.05
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￥2

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型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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￥3.33
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￥2.68
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￥2.41
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￥2.06
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￥1.45
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￥1.36

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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C5370545

封装：SOIC-5

东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构，因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号

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1+
￥3.43
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￥3.02
30+
￥2.81
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￥2.61
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￥2.42

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型号：MOC3052SR2M 编号：C19864

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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1+
￥4.26
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￥3.58
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￥3.24
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￥2.9
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￥1.88
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￥1.78

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型号：PS2801C-4-F3-A 编号：C74385

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这些产品为光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中集成了一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用，具备出色的性价比。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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￥4.98
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￥4.1
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￥3.66
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￥3.23
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￥2.85
1000+
￥2.72

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型号：ACPL-T350-500E 编号：C37389

封装：SOP-8-2.54mm

包含一个GaAsP LED，该LED通过光学方式耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

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1+
￥5.69
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￥4.53
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￥3.95
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￥3.38
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￥3.03
1000+
￥2.85

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型号：TLP627(TP1,F) 编号：C30336

封装：SMD-4P

东芝TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻，用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道，而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

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1+
￥6.49
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￥5.41
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￥4.82
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￥3.39
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￥3.25

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型号：GAQW214E 编号：C7435148

封装：DIP-8

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥6.58
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￥3.99
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￥3.44

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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1+
￥6.87
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￥5.58
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￥4.94
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￥4.29
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￥3.37
1500+
￥3.18

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型号：ACPL-024L-500E 编号：C691920

封装：SO-8