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LTV - 0601由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出端之间提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管

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型号：LTV-M501 编号：C2944048

封装：SOP-5-175mil

LTV - M501系列由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管加偏置的连接方式通过减小基极 - 集电极电容，提高了其相对于传统光电晶体管耦合器的速度

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型号：HCPL-3120(AT) 编号：C48686295

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

HCPL-3120(AT) 是一种输出电流为 2.5A的栅极驱动光电耦合器，具有一个砷化铝镓（AlGaAs）的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、感应加热、工业逆变器等。

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型号：TLP5701(D4-TP,E 编号：C2892104

封装：SO-6L-300mil

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，它在物理尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：HCPL-M453-500E 编号：C183328

封装：SOIC-5-4.4mm

这些小尺寸、高共模抑制比（CMR）、高速的二极管-晶体管光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形无需在印刷电路板（PCB）上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。这些二极管-晶体管光耦合器在发光二极管（LED）和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍

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型号：ELM406A(TA)-G 编号：C19188473

封装：SOP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670

封装：SMD-4P

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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型号：MOC3052SR2M 编号：C19864

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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型号：6N137-000E 编号：C14750

封装：DIP-8

高CMR，高速TTL兼容的光电耦合器

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型号：GAQW214E 编号：C7435148

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：GAQY225G2EH 编号：C48606609

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO) 负载电压:150V 连续负载电流:2.0A

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型号：TLP2168(TP,F) 编号：C99480

封装：SO-8

20MBd 双路高速光耦，CMR@15KV/uS

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型号：TLP3122A(TPL,E 编号：C4153843

封装：SOP-4

隔离电压:3750Vrms 导通电流:1.4A off状态输出端电压:60V

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型号：HCPL2630SDM 编号：C899520

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：HCNR201-000E 编号：C9066

封装：DIP-8

HCNR200/201 高线性模拟光耦合器由一个高性能的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和两个紧密匹配的光电二极管组成。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出。因此，LED 的非线性和漂移特性几乎可以消除

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型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

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型号：GAQV252G3EH 编号：C7435170

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：ACPL-330J-500E 编号：C908115

封装：SOIC-16-Narrow

是一款先进的1.5 A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器，可使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。具有集成Vce检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等功能，提供最大的设计灵活性和电路保护。包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V和100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414 VPEAK。

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型号：HCPL-0661-500E 编号：C545696

封装：SO-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥24.59
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￥15.91

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型号：LTV-816S-TA1-B 编号：C115456

封装：SMD-4P

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。高输入输出隔离电压：Viso = 5000Vrms。响应时间：典型值在VCE = 2V、IC = 2mA、RL = 100Ω时为4μs。应用：要求高密度安装的混合基板

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￥0.2368
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￥0.2315

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型号：LTV-816S-TA1-D3-TX 编号：C92647

封装：SMD-4P