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ACPL - 224是一款交流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与两个独立的光电晶体管进行光耦合。它采用8引脚SO封装。同样地，ACPL - 244是一款交流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与四个独立的光电晶体管进行光耦合

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型号：TLP293-4(GB,E 编号：C3018643

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：GAQY412E 编号：C7435145

封装：DIP-4

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳、无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：ICPR224-850E-AXW 编号：C46597947

封装：SMD-8P

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

双通道光继电器，负载电压400V(峰值)，负载电流120mA，SDIP8

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型号：TLP293-4(4LGBTRE 编号：C7495070

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：ACPL-W50L-500E 编号：C691972

封装：SO-6-6.8mm

低功率、低输入电流、1MBd数字光耦合器使用发光二极管和集成光子探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在1500V的共模电压下，在-40℃至105℃的温度范围内，具有至少15kV/μs的增强型共模瞬态抗扰度。电流传输比（CTR）在正向电流为3mA时，某型号典型值为140%，其他型号典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。

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型号：GAQY253GS 编号：C53198683

封装：SOP-4

1 Form A(SPST-NO)负载电压: 360V 连续负载电流: 0.8 A

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型号：ACPL-W483-500E 编号：C691971

封装：SO-6

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：FOD3184SDV 编号：C899272

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：HCPL-0731-500E 编号：C56022

封装：SOP-8

这些双通道光耦合器包含一对分离的 GaAsP 发光二极管，它们与一对集成的高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。与传统的光电达林顿型光耦合器相比，光电二极管和第一增益级 (VCC) 的单独引脚允许更低的输出饱和电压和更高的运行速度。此外，VCC 可以低至 1.6V，而不会对参数性能产生不利影响。SO-8 封装不需要在 PCB 上有“通孔”。这种封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一。引脚外形设计为与标准表面贴装工艺兼容。

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型号：GAQV211G4AEH 编号：C52177847

封装：SMD-6P

1 Form A(SPST-NO)负载电压:40V 连续负载电流:4.5A

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型号：HCPL-3180-000E 编号：C692040

封装：DIP-8

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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型号：APV252G2EH 编号：C42444423

封装：SMD-6P

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：CPC1014NTR 编号：C2760365

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1014N 是一款采用 4 引脚 SOP 封装的微型单刀常开（1-Form-A）固态继电器，它采用光耦合 MOSFET 技术，可提供 1500Vrms 的输入到输出隔离。超高效 MOSFET 开关和光伏芯片采用了 IXYS 集成电路部门获得专利的 OptoMOS 架构。光耦合输出由一个高效红外 LED 控制

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型号：TLP250(TP1,F) 编号：C2802426

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

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型号：GAQW412EH 编号：C7435163

封装：SMD-8P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：AQG22212 编号：C719647

封装：SIP-4

特性：垂直尺寸最大厚度为 4.5mm。内置缓冲电路，防止因噪声引起的故障。提供过零和随机两种方法。高介电强度：3000Vrms（输入和输出之间）。通过 C-UL（UL508）认证。通过 VDE（EN60950-1）加强绝缘认证。应用：家用电器，如空调和除湿机。医疗保健和医疗设备

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型号：APV258AEH 编号：C42444431

封装：SMD-6P

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：ACPL-H342-560E 编号：C3010672

封装：SO-8

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可以使用该产品来驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，其绝缘电压分别最高可达V_IOM = 891 Vpeak和1140 Vpeak。

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型号：AQG22124 编号：C719587

封装：SIP-4

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型号：HCPL2631 编号：C16384

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137、HCPL2601、HCPL2611单通道和HCPL2630、HCPL2631双通道光耦合器由一个850 nm AlGaAS LED组成，光耦合到一个具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。该输出具有集电极开路特性，因此允许线或输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证。

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型号：HCPL-J312-500E 编号：C692062

封装：SOP-8-2.54mm

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：AQY221R2S 编号：C719593

封装：SOP-4-2.54mm

特性：低导通电阻（R型）和低电容（C型）均具备出色的C×R10特性。高速开关，开启时间：典型值0.03ms，关断时间：典型值0.03ms。微型SOP4引脚小尺寸封装。低关态泄漏电流，典型值0.01nA。应用：测量和测试设备：IC测试仪、液晶驱动测试仪、半导体性能测试仪、裸板测试仪、在线测试仪、功能测试仪等。电信和广播设备

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￥14.54

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型号：GAQW614S 编号：C7435117

封装：SOP-8

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥22.553 ￥23.74
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￥19.2755 ￥20.29
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￥17.3375 ￥18.25
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￥15.3615 ￥16.17
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￥14.459 ￥15.22
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￥14.0505 ￥14.79

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型号：QXS258A-CuH-SH 编号：C52164500

封装：SOP-16

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP16封装光继电器 5000V隔离电压，负载电压1500V, 负载电流：0.02A 工作温度：-40~+125℃

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￥24.07
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型号：FOD4208SDV 编号：C899306

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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型号：AQZ202 编号：C719722

封装：SIP-4