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MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：PC367NJ0000F 编号：C920273

封装：SO-4-175mil

品牌：SHARP(夏普)

包含一个与光电晶体管光耦合的红外发射二极管。采用4引脚迷你扁平封装，为低输入电流类型。输入输出隔离电压（rms）为3.75kV。集电极-发射极电压为80V，在输入电流为0.5mA时，电流传输比（CTR）为100%至500%。

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型号：LTV-3120S-TA1 编号：C2944025

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 3120系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。3.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200 V / 100 A的IGBT

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型号：PC3SD12NTZAH 编号：C908103

封装：DIP-5

品牌：SHARP(夏普)

光控三端双向可控硅耦合器包括一个红外发射二极管 (IRED)，该二极管通过光耦合到一个输出光控三端双向可控硅。这些器件具有全波控制功能，是中高电流三端双向可控硅的理想隔离驱动器。DIP 封装提供 5.0kV 的输入到输出隔离，并具有出色的换向抗噪性。

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型号：APY211G2HS 编号：C42444433

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

是逻辑到功率的接口设备，基本功能是从微处理器获取低电流信号以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，具有长寿命（机械和电气寿命无限制）、无弹跳开关、更高速度和高频开关、更高灵敏度（更低功耗）、抗 EMI 或 RF、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小等优势。通过接收低电平输入电流（< 5mA）来驱动输入红外 LED，该 LED 与光电二极管阵列芯片光耦合，进而产生光电压为两个通常以源极到源极配置连接的 MOSFET 供电，允许交流和直流输出负载。通过移动光子来实现开关功能，无机械磨损，提供一致可靠的开关。

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型号：MOC3062M 编号：C8919

封装：DIP-6

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：2357302-1 编号：C5165122

封装：-

品牌：TE Connectivity(泰科电子)

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型号：GAQY217S 编号：C7435111

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳、无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：KPC457TLD 编号：C107277

封装：SOP-5

品牌：Cosmo(冠西)

KPC457系列包含一个LED，它是高速数字输出型光耦合器，采用5引脚迷你扁平封装。

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型号：AT075L-CuH-S 编号：C20612629

封装：SOP-8

双通道AT075L由高速LED和CMOS检测芯片组成。最低数据传输速率达15Mbit/s，具有卓越的高速性能和超低功耗。广泛应用于：数字现场总线隔离、多路复用数据传输、电脑外设接口、微处理器系统接口、直流/直流转换器

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型号：TLP116A(TPL,E 编号：C576215

封装：SOP-5-4.4mm

适用于表面贴装组件的小型扁平耦合器，由红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成。采用6引脚SO封装，保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：LTP-1G2 编号：C19186175

封装：SOP-4

品牌：Letex(丽太)

特性：SOP封装，4引脚微型设计（4.4×4.3×2.0mm / 0.173×0.169×0.083inch）。高速开关。 2500Vrms输入/输出隔离。提供卷带包装版本。应用：MOSFET驱动器。电子电路的电源（Vcc）

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型号：APY212GHS 编号：C42444474

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：ATAQY215G1S 编号：C50199110

封装：SOP-4

ATAQY215G1S 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感器、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：6N135M 编号：C194136

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/?s 的卓越共模抑制。

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型号：AT223-CuH-D 编号：C22390117

封装：DIP-8

AT223 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：CY216S(TPD2) 编号：C52117784

封装：SOP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

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型号：GAQY212G2E 编号：C7435140

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高速度和高频开关。更高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：TLP2348(TPL,E 编号：C2974572

封装：SOP-5-3.6mm

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。

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型号：TLP719F(D4-TP,F) 编号：C2987248

封装：SOIC-6

TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此，在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽，以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此，该产品适用于嘈杂的环境条件。

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型号：SFH6286-3T 编号：C144899

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：TLP2310(TPL,E 编号：C7473281

封装：SOP

TLP2310 是一款采用小型 SO6 封装的 5 Mbps 低功耗光电耦合器。在 -40°C 至 125°C 的整个工作温度范围内，TLP2310 的电源电流（I₍DDI₎ / I₍DDH₎）最大仅为 0.3 mA，且能在低至 2.7 V 的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。

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型号：LT241 编号：C33962508

封装：SOP-4

品牌：Letex(丽太)

LT241是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可实现1500V的输入 - 输出隔离。光耦合输入由一个高效的GaAlAs红外LED控制，输出端则采用MOSFET。

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型号：LT243 编号：C2691610

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT243是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，实现输入与输出之间1500V的隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOSFET。

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型号：TLP352(TP1,F) 编号：C99497

封装：SOP-8-2.54mm

TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：ATAQW216EH 编号：C50199112

封装：SMD-8P

ATAQW216EH光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感器、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：FOD8342TR2 编号：C132695

封装：SOP-6-6.8mm

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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型号：TLP2366(TPL,E 编号：C150130

封装：SOIC-5-4.6mm

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：TLP290-4(TP,E 编号：C5221832

封装：SOIC-16-4.6mm