5730光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-6

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：BCY212GA 编号：C22370882

封装：SMD-4P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：LTV-176G 编号：C5180456

封装：SOP-4

品牌：LITEON(光宝)

由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合而成，采用SOP4封装，适用于表面贴装组装。LTV - 176G适用于需要节省空间的电池管理系统。

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型号：MOCD207M 编号：C68894

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD207M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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型号：PS2801-4-F3-A 编号：C12547

封装：SOIC-16-150mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2801 - 1和PS2801 - 4是光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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型号：BCY212G1A 编号：C22391873

封装：SMD-4P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：KTP-Y174-C5H0 编号：C19185381

封装：SOP-4

品牌：KTP(科泰普)

KTP-Y174光继电器由红外发光二极管和光电发生器、光MOSFET耦合组成。

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型号：TLP2704(TP,E 编号：C699470

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度。SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器有一个内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，因此适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。

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型号：GAQV212E 编号：C7435174

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：TLP105(TPL,F) 编号：C2990748

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出，能够吸电流和拉电流。

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型号：AT226-CuH-S 编号：C22390119

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

AT226 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：APW214EH 编号：C42444471

封装：SMD-8P

品牌：APSEMI(先进光)

光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有明显优势，包括：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无跳变开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰或射频干扰、无电弧、无跳变和无噪声、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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型号：AQY210SXE04 编号：C3027212

封装：SMD

品牌：PANASONIC(松下)

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型号：AT2122-CuH-S 编号：C42371485

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT2122光电继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET耦合组成。AT2122采用4引脚封装（DIP、 SMD、 DIP-M）。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：AQY214EHAX 编号：C371971

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：输入输出之间内部绝缘距离超过0.4mm，具备5000V加强绝缘，符合EN41003、EN60950（加强绝缘）标准。光电MOS具有极低的闭路失调电压，可无失真地控制低电平模拟信号。高灵敏度和低导通电阻，5mA输入电流可控制最大0.13A负载电流，典型导通电阻为25Ω。关态泄漏电流最大为1μA。应用：调制解调器。电话设备

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型号：ATV253-CuH-S 编号：C42371489

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AV253 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：VO0631T 编号：C222529

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

单通道和双通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED和集成光电二极管IC探测器。探测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。单通道类型的7号引脚具有使能功能，可对探测器进行选通。内部屏蔽为VO0601T和VO0631T提供5 kV/μs的共模瞬态抗扰度，为VO0611T和VO0661T提供15 kV/μs的共模瞬态抗扰度。建议在5号和8号引脚之间连接一个0.1 μF的旁路电容。

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型号：TLP352(F) 编号：C73968

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

场效应管驱动光耦

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型号：GAQV214E 编号：C52177848

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:400V 连续负载电流:0.13A

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型号：AT0531-CuH-S 编号：C22439637

封装：SOP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT0531双通道光电耦合器包含输入和输出间具有电气绝缘的一对发光二极管和光检测器。广泛应用于：高速逻辑接地隔离、取代脉冲变压器、模拟信号接地隔离、极性感应、隔离模拟放大器。

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型号：TLP293-4(TP,E 编号：C3002262

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥6.6
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￥5.81
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型号：TPWR8004PL,L1Q(M 编号：C4153796

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器