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IGBT栅极驱动光耦，峰值电流1.5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

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型号：TCMT1100 编号：C118298

封装：SOP-4-1.27mm

TCMT110系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。

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型号：LTV-847S 编号：C114599

封装：SMD-16P

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比(CTR)：在IF = 5mA、VCE = 5V时，最小值为50%。高输入输出隔离电压(Viso = 5000Vrms)。响应时间(tr)：在VCE = 2V、Ic = 2mA、RL = 100Ω时，典型值为4μs。双列直插封装：单通道、双通道、四通道类型。宽引脚间距封装：单通道、双通道、四通道类型。表面贴装封装：单通道、双通道、四通道类型。卷带包装：单通道、双通道类型。安全认证：UL / CSA / FIMKO / NEMKO / DEMKO / SEMKO / VDE认证。符合RoHS标准

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型号：FODM121CR2V 编号：C903699

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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型号：TLP5702W-AXW 编号：C42432185

封装：LSOP-6

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流4A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

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型号：ELM611 编号：C41371271

封装：SOP-5

品牌：AOTE(奥特)

ELM611内部有一个850nm的AlGaAS LED,其光学耦合到具有选通输出的超高速集成光电检测器。这些器件采用5引脚外形封装，符合标准封装外形。平替亿光ELM611、光宝LTV-M456；广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等

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型号：TCLT1000 编号：C110644

封装：SOP-4-2.54mm

TCLT100系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。

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型号：HT8216ARZ 编号：C47325506

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：HTCSEMI(海天芯)

负载能力高达650V和150mA的固态继电器

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型号：SFH690ABT 编号：C3097773

封装：SOP-4-2.54mm

SFH690ABT、SFH690AT、SFH690BT、SFH690CT、SFH690DT 系列产品采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在引脚间距为 100 密耳的 4 引脚迷你扁平封装中。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：ICPL-481W-500EAXW 编号：C42432181

封装：LSOP-6

IPM接口驱动光耦，隔离电压(rms): 5KV,共模瞬变抗扰度CMTI: 20kV/Us, 宽体

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型号：ICPL-480W-500EAXW 编号：C42432179

封装：LSOP-6

IPM接口驱动光耦，隔离电压(rms): 5KV,共模瞬变抗扰度CMTI: 20kV/Us, 宽体

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型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031

封装：SOP-16-4.4mm

TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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型号：LTV6341WTA1-V 编号：C48982450

封装：SOP-6

品牌：LITEON(光宝)

适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs LED。光耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +125℃ 的温度范围内有保证。

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型号：HCPL-3150-560E(UMW) 编号：C53109735

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：HCPL-3140-500E(UMW) 编号：C53109732

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：TLP350H(UMW) 编号：C53109747

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：TLP291-4(V4GBTPE 编号：C2848503

封装：SOP-16-4.4mm

TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围（-55至110°C）内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：CI-063L-500E 编号：C42391828

封装：SOIC-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

10MBd,20mA低输入电流,3.3V/5V数字光电耦合器

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型号：TCLT1600 编号：C553998

封装：SOP-4-2.54mm

由一个光电晶体管与两个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用SOP 4引脚宽体封装

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型号：TLP2745(D4-TP,E 编号：C5125644

封装：SO-6

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs，有缓冲输出。

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型号：TLP2361(V4-TPL,E 编号：C123773

封装：SOIC-5-4.6mm

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：TAQY212S 编号：C49254537

封装：SOP-4

品牌：拓朴微

由光 MOSFET、光电电压发生器和红外 LED 组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。

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型号：TLP560G(F) 编号：C2848505

封装：DIP-6

由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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型号：GAQY212E 编号：C19271985

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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型号：H11L1SM 编号：C899473

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：TLP2348(TPL,E 编号：C2974572

封装：SOP-5-3.6mm