5730光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP152(TPL,E 编号：C150122

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速光电探测器，贴片5个脚

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.15
30+
￥1.84
100+
￥1.55
500+
￥1.45
1000+
￥1.41

有货

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型号：HCNR200-500E 编号：C23785

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCNR200/201 高线性模拟光耦合器由一个高性能的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和两个紧密匹配的光电二极管组成。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出。因此，LED 的非线性和漂移特性几乎可以消除

数据手册

1+
￥7.58
10+
￥6.62
30+
￥5.71
100+
￥4.9294 ￥5.03
750+
￥4.6648 ￥4.76
1500+
￥4.5276 ￥4.62

有货

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型号：PC817X2CSP9F 编号：C66405

封装：SMD-4P

品牌：SHARP(夏普)

铜脚

数据手册

5+
￥0.5676
50+
￥0.4521
150+
￥0.3927
500+
￥0.3437
2000+
￥0.3267
4000+
￥0.3151

有货

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型号：LTV-354T-A 编号：C10802

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：AC输入响应。电流传输比（CTR）：最小值为20%（I = ±1mA，VCE = 5V时）。输入与输出之间的隔离电压为3750Vrms。应用：需要高密度安装的混合基板

数据手册

5+
￥0.6368
50+
￥0.5113
150+
￥0.4468
500+
￥0.3936
3000+
￥0.3751
6000+
￥0.3625

有货

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型号：TLP521GB(UMW) 编号：C364142

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

由与砷化镓红外发光二极管光学耦合的光电晶体管组成。TLP521-2在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，而TLP521-4在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

数据手册

5+
￥0.7294
50+
￥0.5892
200+
￥0.4671
500+
￥0.4077
2500+
￥0.387
5000+
￥0.373

有货

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型号：TLP187(TPL,E 编号：C393886

封装：SO-4-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光耦合器，由一个与达林顿晶体管进行光耦合的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管组成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用场景

数据手册

5+
￥1.6124
50+
￥1.2338
150+
￥1.049
500+
￥0.8822
3000+
￥0.8369
6000+
￥0.8097

有货

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型号：TLP109(TPL,E 编号：C406798

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款适合表面贴装的小外形耦合器，由高输出功率红外发射二极管与高速光电二极管-晶体管芯片光耦合而成。采用SO6封装，保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.27
30+
￥1.93
100+
￥1.63
500+
￥1.55
1000+
￥1.5

有货

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型号：TLP172GM(TPL,E 编号：C261926

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172GM由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光MOSFET光耦合而成，采用4引脚SO6封装，适用于表面贴装组装。TLP172GM适用于需要节省空间的电池管理系统。

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥3.08
30+
￥2.65
100+
￥2.29
500+
￥2.12
1000+
￥2.05

有货

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型号：TLP291-4(GB-TP,E) 编号：C60900

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝 TLP291-4 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291-4 光电耦合器采用非常小巧轻薄的 SO16 封装。由于 TLP291-4 可在较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）内正常工作，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥3.72
10+
￥3.21
30+
￥2.85
100+
￥2.55
500+
￥1.76
1000+
￥1.7

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型号：GAQY212G2S 编号：C7435109

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥4.76
10+
￥4.04
30+
￥3.54
100+
￥3.12
500+
￥2.79
1000+
￥2.71

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型号：TLP2168(TP,F) 编号：C99480

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

20MBd 双路高速光耦，CMR@15KV/uS

数据手册

1+
￥6.03
10+
￥5.25
30+
￥4.52
100+
￥3.97
500+
￥3.75
1000+
￥3.64

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型号：GAQW214EH 编号：C19188597

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥6.12
10+
￥5.19
30+
￥4.54
100+
￥4
500+
￥3.46
1000+
￥3.36

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型号：G3VM-61VY3(TR) 编号：C2152318

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

应用：半导体测试设备。测试与测量设备。通信设备。安全设备。工业设备。电源电路。娱乐设备

数据手册

1+
￥6.43
10+
￥5.59
30+
￥5
100+
￥4.51
500+
￥4.2
1000+
￥4.11

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型号：LTV-357T-C-IN 编号：C406714

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在 I = 5mA、VCE = 5V 时为 50%。高输入-输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。高集电极-发射极电压（VCEO = 35V）。应用：需要高密度安装的混合基板

数据手册

5+
￥0.5416
50+
￥0.4226
150+
￥0.363
500+
￥0.3183

有货

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型号：TLP521GB-S(UMW) 编号：C364143

封装：SMD-4P

品牌：UMW(友台半导体)

UMW公司的TLP521 - 1、TLP521 - 2和TLP521 - 4由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道；而TLP521 - 4采用十六引脚塑料DIP封装，提供四个隔离通道。

数据手册

5+
￥0.6844
50+
￥0.5442
150+
￥0.4721
500+
￥0.4127
2000+
￥0.3631
4000+
￥0.3491

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型号：LTV-352T 编号：C10800

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小值为1000%（IF = 1mA，VCE = 2V时）。高输入输出隔离电压（Viso = 3750Vrms）。高集电极发射极电压（VCEO = 300V）。应用：需高密度安装的混合基板

数据手册

5+
￥1.3404
50+
￥1.0454
150+
￥0.9013
500+
￥0.7728
3000+
￥0.7375
6000+
￥0.7163

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型号：TLP2361(TPL,E 编号：C107626

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速光电探测器

数据手册

1+
￥3.1
10+
￥2.42
30+
￥2.09
100+
￥1.79
500+
￥1.53
1000+
￥1.48

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型号：MOC3041SR2M 编号：C33904

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥3.21
10+
￥2.71
30+
￥2.35
100+
￥2.06
500+
￥1.96
1000+
￥1.9

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型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥2.69
30+
￥2.3
100+
￥1.98
500+
￥1.89
1000+
￥1.83

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型号：TLP350(TP1,F) 编号：C5003

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥5.12
10+
￥4.25
30+
￥3.63
100+
￥3.12
500+
￥2.96
1500+
￥2.86

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型号：HCPL-316J-500E 编号：C27553

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

具有集成去饱和 (VCE) 检测和故障状态反馈的2.5A栅极驱动光耦合器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施，同时满足全球安全和监管要求。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定 (UVLO)、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将完整的、带故障保护和反馈的隔离式IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中。TTL输入逻辑电平允许直接与微控制器接口，光隔离功率输出级驱动功率额定值高达150A和1200V的IGBT。高速内部光链路可最大限度地减少微控制器和IGBT之间的传播延迟，同时允许两个系统在工业电机驱动器和其他功率开关应用中常见的非常大的共模电压差下运行

数据手册

1+
￥12.1
10+
￥10.53
30+
￥9.42
100+
￥8.41
500+
￥7.94
850+
￥7.76

有货

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型号：LTV-357T-B-IN 编号：C406713

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在 I = 5mA、VCE = 5V 时为 50%。高输入-输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。高集电极-发射极电压（VCEO = 35V）。应用：需要高密度安装的混合基板

数据手册

5+
￥0.5096
50+
￥0.404
150+
￥0.3512

有货

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型号：PC817X3CSP9F 编号：C41807

封装：SMD-4P

品牌：SHARP(夏普)

应用：OA设备、视听设备。家用电器。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。计算机

数据手册

5+
￥0.5848
50+
￥0.468
150+
￥0.4079
500+
￥0.3584
2000+
￥0.3411
4000+
￥0.3295

有货

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型号：TLP785(GB-TP6,F 编号：C45445

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (交流：5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

数据手册

5+
￥0.6395
50+
￥0.5051
150+
￥0.4361
500+
￥0.3792
2000+
￥0.3593
4000+
￥0.3459

有货

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型号：TLP155E(TPL,E 编号：C56499

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.35
30+
￥2
100+
￥1.69
500+
￥1.6
1000+
￥1.55

有货

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型号：HCPL-0600-500E 编号：C6674

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在Vcm = 1000V时可保证高达15,000V/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40°C至 + 85°C的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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