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首页 > 热门关键词 > 5730光耦
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AT1018是一款由一个GaAs发光二极管和一个NPN光电晶体管组成的光电耦合器。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。
  • 10+

    ¥0.23506 ¥0.2555
  • 100+

    ¥0.20562 ¥0.2235
  • 300+

    ¥0.1909 ¥0.2075
  • 3000+

    ¥0.17986 ¥0.1955
  • 6000+

    ¥0.171028 ¥0.1859
  • 9000+

    ¥0.166612 ¥0.1811
  • 有货
  • 高线性模拟光耦合器由高性能 AlGaAs LED 组成,该 LED 照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出,从而几乎消除 LED 的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与 LED 光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。可用于各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号,非常灵活,通过适当设计应用电路,能够以多种不同模式工作,包括:单极/双极、交流/直流和反相/同相,是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.41
    • 10+

      ¥15.56
    • 30+

      ¥13.77
    • 100+

      ¥10.89
    • 750+

      ¥10.06
    • 1500+

      ¥9.71
  • 有货
  • BQ25730 具有电源路径和 USB-C® PD OTG 的 I2C 1-5 节电池 NVDC 降压/升压电池充电控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥19.1
    • 10+

      ¥16.81
    • 30+

      ¥15.65
    • 100+

      ¥14.08
    • 500+

      ¥13.52
  • 有货
  • 适用于表面贴装组装,由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成,适用于MOSFET栅极驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.72
    • 10+

      ¥24.43
    • 30+

      ¥21.89
    • 100+

      ¥19.31
    • 500+

      ¥18.12
    • 1000+

      ¥17.59
  • 有货
  • 晶体管光耦,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型:DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型:直流晶体管,输出电流:50mA,隔离电压:5KV.
    • 5+

      ¥0.24012 ¥0.2668
    • 50+

      ¥0.21132 ¥0.2348
    • 150+

      ¥0.19701 ¥0.2189
    • 500+

      ¥0.18621 ¥0.2069
    • 3000+

      ¥0.17325 ¥0.1925
    • 6000+

      ¥0.16893 ¥0.1877
  • 有货
  • PC817AS是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装( DIP、DIP-M、SMD) 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。
    • 10+

      ¥0.26082 ¥0.2835
    • 100+

      ¥0.206448 ¥0.2244
    • 300+

      ¥0.179308 ¥0.1949
    • 2000+

      ¥0.15686 ¥0.1705
    • 4000+

      ¥0.140576 ¥0.1528
    • 10000+

      ¥0.13248 ¥0.144
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3055
    • 100+

      ¥0.2432
    • 300+

      ¥0.2008
    • 1000+

      ¥0.1774
    • 5000+

      ¥0.1587
    • 10000+

      ¥0.1494
  • 有货
  • 产品由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成;光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输,产品广泛应用于电源设备上,例如手机充电器,家电产品电源供应器等。光耦由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成。该器件可以实现不同电路之间的电气隔离和信号传输,产品广泛应用于电源设备,如手机充电器、家电产品电源装置等。
    • 1+

      ¥0.3606
    • 10+

      ¥0.2886
    • 30+

      ¥0.2526
    • 100+

      ¥0.2256
    • 500+

      ¥0.204
    • 1000+

      ¥0.1931
  • 有货
    • 10+

      ¥0.4124
    • 100+

      ¥0.3285
    • 300+

      ¥0.2865
    • 2000+

      ¥0.255
    • 4000+

      ¥0.2298
    • 10000+

      ¥0.2172
  • 有货
    • 10+

      ¥0.4422
    • 100+

      ¥0.3538
    • 300+

      ¥0.3095
    • 2000+

      ¥0.2764
    • 4000+

      ¥0.2498
    • 10000+

      ¥0.2366
  • 有货
  • 光耦合隔离器,包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5814
    • 50+

      ¥0.458
    • 200+

      ¥0.3418
    • 500+

      ¥0.2956
    • 2500+

      ¥0.2586
    • 5000+

      ¥0.24
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6401
    • 50+

      ¥0.5009
    • 150+

      ¥0.4313
    • 500+

      ¥0.3791
    • 2000+

      ¥0.3373
    • 4000+

      ¥0.3164
  • 有货
  • EL814系列器件均由两个反向并联的红外发光二极管组成,它们与一个光电晶体管检测器进行光耦合。这些器件采用4引脚DIP封装,有侧引脚间距规格可选,也有SMD封装形式。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6959
    • 50+

      ¥0.5663
    • 150+

      ¥0.4715
    • 500+

      ¥0.4229
    • 2500+

      ¥0.384
    • 5000+

      ¥0.3645
  • 有货
  • 贴片光耦 PC817A
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7538
    • 50+

      ¥0.5927
    • 150+

      ¥0.5122
    • 500+

      ¥0.4518
    • 2000+

      ¥0.4035
    • 4000+

      ¥0.3793
  • 有货
  • 由两个反向并联的红外发射二极管组成,光耦合到光电晶体管探测器。采用4引脚小外形封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8503
    • 50+

      ¥0.6703
    • 150+

      ¥0.5803
    • 500+

      ¥0.5128
    • 3000+

      ¥0.4246
    • 6000+

      ¥0.3975
  • 有货
  • 特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用:AC电机驱动器。AC电机启动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1232
    • 50+

      ¥0.9002
    • 150+

      ¥0.8046
    • 1000+

      ¥0.6854
    • 2000+

      ¥0.6322
    • 5000+

      ¥0.6004
  • 有货
  • MOC3043SM 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零 相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器。
    • 5+

      ¥1.20152 ¥1.306
    • 50+

      ¥0.946496 ¥1.0288
    • 150+

      ¥0.8372 ¥0.91
    • 1000+

      ¥0.689264 ¥0.7492
    • 2000+

      ¥0.628544 ¥0.6832
    • 5000+

      ¥0.59202 ¥0.6435
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料DIP(DIP4)封装,具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。TLP785F是TLP785的长爬电表面贴装引脚成型类型。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2271
    • 50+

      ¥0.9751
    • 150+

      ¥0.8671
    • 500+

      ¥0.7324
    • 2000+

      ¥0.586
    • 4000+

      ¥0.55
  • 有货
  • 由GaAs红外发光二极管与非过零硅双向交流开关(TRIAC)光耦合组成。这些器件将低压逻辑与115/240 VAC线路隔离,以提供大电流TRIAC或晶闸管的随机相位控制。这些器件具有大大增强的静态dv/dt能力,以确保感性负载的稳定开关性能。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4717
    • 50+

      ¥1.1936
    • 150+

      ¥1.0745
    • 500+

      ¥0.8231
    • 3000+

      ¥0.7569
    • 6000+

      ¥0.7172
  • 有货
  • PC355NJ0000F 系列包含一个与光电晶体管光耦合的红外发射二极管(IRED)。它采用 4 引脚 Mini-flat 封装。输入 - 输出隔离电压(有效值)为 3
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9408
    • 50+

      ¥1.5628
    • 150+

      ¥1.4008
    • 500+

      ¥1.1987
    • 3000+

      ¥1.0291
    • 6000+

      ¥0.975
  • 有货
    • 1+

      ¥2.19
    • 10+

      ¥1.93
    • 30+

      ¥1.82
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.62
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • 无铅通用光敏晶体管光电耦合器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3419
    • 50+

      ¥1.8674
    • 150+

      ¥1.664
    • 500+

      ¥1.3026
    • 3000+

      ¥1.1897
    • 6000+

      ¥1.1219
  • 有货
  • ELRX223 系列器件均由一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管组成,该二极管与一个单片硅随机相位光控三端双向晶闸管和一个主输出三端双向晶闸管进行光耦合。它们专为电子控制器与负载之间的接口而设计,用于控制 115 至 240 VAC 工作的感性负载。这些器件采用 8 引脚双列直插式封装(DIP),也提供表面贴装(SMD)选项
    数据手册
    • 1+

      ¥2.47
    • 10+

      ¥2.19
    • 45+

      ¥1.92
    • 90+

      ¥1.78
    • 495+

      ¥1.7
    • 990+

      ¥1.65
  • 有货
  • 由一个光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚封装。元件安装在一个引线框架上,为最高安全要求提供输入和输出之间的固定距离。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.17
    • 10+

      ¥2.51
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.61
  • 有货
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.65
    • 45+

      ¥2.32
    • 90+

      ¥2
    • 495+

      ¥1.81
    • 990+

      ¥1.71
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄,符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    • 1+

      ¥3.33
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

      ¥2.32
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.79
    • 1500+

      ¥1.68
  • 有货
  • 适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有4.5A峰值拉电流和5.3A峰值灌电流以及5.7kVRMS增强型隔离额定值。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥2.77
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥2.16
    • 500+

      ¥2.01
    • 850+

      ¥1.92
  • 有货
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.78
    • 45+

      ¥2.44
    • 90+

      ¥2.11
    • 495+

      ¥1.91
    • 990+

      ¥1.8
  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR):在IF = 5mA、VCE = 5V时,最小值为50%。 高输入输出隔离电压(Viso = 5000VRms)。 响应时间(tr):在VCE = 2V、IC = 2mA、RL = 100Ω时,典型值为4μs。应用:需要高密度安装的混合基板
    数据手册
    • 1+

      ¥3.83
    • 10+

      ¥3.13
    • 25+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.43
    • 400+

      ¥2.22
    • 800+

      ¥2.12
  • 有货
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.09
    • 45+

      ¥2.72
    • 90+

      ¥2.34
    • 495+

      ¥2.12
    • 990+

      ¥2
  • 有货
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