5730光耦_厂家_价格_品牌_库存

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用4引脚SOP4L封装。

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型号：TLP265J(TPL,E 编号：C5798515

封装：SOIC-4-175mil

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：EL0601(TA) 编号：C2992671

封装：ESOP-8

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型号：OR-406AS-TP 编号：C3031116

封装：SMD-4P

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 406A、OR - 425A、OR - 440A 和 OR - 460A 是固态继电器，其发光侧（输入侧）包含铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管，并通过光耦合连接至高压输出检测电路。该检测电路由输出侧的光伏二极管阵列和 MOSFET 组成。单通道配置等同于 1 型 AEMR

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型号：LTV-155E 编号：C2916312

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 155E光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。1.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200 V/50 A的IGBT

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型号：HCPL-181-000E 编号：C692017

封装：SOP-4-2.54mm

HCPL - 181包含一个发光二极管和一个光晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚迷你扁平SMD封装，封装高度为2.0 mm。

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型号：MOC3020M 编号：C86911

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：ELM453(TA) 编号：C42384986

封装：SOP-5

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型号：SFH6106-3T 编号：C118291

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。

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型号：HTV-214-S1TP1 编号：C34376242

封装：SMD-4P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：120mA，耐压：400V,RON:15欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：H11L1M 编号：C16587

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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型号：LTV-5480-TP1 编号：C2944037

封装：SOP-5-300mil

品牌：LITEON(光宝)

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型号：LTV-5314-TP1 编号：C2944034

封装：SMD-5P

品牌：LITEON(光宝)

适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。光电耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +110℃ 的温度范围内得到保证。

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型号：ELM460A(TA)(BMS)-VG 编号：C41381189

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

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型号：ELM453(TA)-V 编号：C110223

封装：SOP-5-4.4mm

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型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

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型号：ACPL-W314-500E 编号：C194137

封装：SO-6

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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型号：TLP124(BV-TPR,F) 编号：C99475

封装：SOP-4-2.54mm

东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

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型号：ILD213T 编号：C435834

封装：SOIC-8

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

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型号：TLP292-4(GB-TP,E 编号：C95713

封装：SOP-16-4.4mm

TLP292 4由光电晶体管组成，这些光电晶体管与两个反向并联的InGaAs红外发光二极管进行光耦合，可通过交流输入电流直接工作。TLP292 4采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP292 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：HCPL-3120-000E 编号：C14970

封装：DIP-8

IGBT栅极驱动光耦

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型号：AQY210SXE04 编号：C3027212

封装：SMD

品牌：PANASONIC(松下)

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型号：ILD217T 编号：C145010

封装：SO-8

光电耦合器, 三极管输出, 双通道

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型号：AT223-CuH-S 编号：C32712995

封装：SMD-8P,9.7x6.5mm

品牌：AOTE(奥特)

AT223 贴片SMD8固态继电器光耦

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型号：GAQW210EH 编号：C19188590

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：HCPL-0611-500E 编号：C545695

封装：SOP-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度。这种独特设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，可实现无忧系统性能。

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￥5.74
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型号：CPC1014NTR 编号：C2760365

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1014N 是一款采用 4 引脚 SOP 封装的微型单刀常开（1-Form-A）固态继电器，它采用光耦合 MOSFET 技术，可提供 1500Vrms 的输入到输出隔离。超高效 MOSFET 开关和光伏芯片采用了 IXYS 集成电路部门获得专利的 OptoMOS 架构。光耦合输出由一个高效红外 LED 控制

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￥8.01
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￥6.94
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￥6.46
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￥6.24

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型号：OPY412S 编号：C46532094

封装：SOP-4

品牌：ARK(方舟微)

SSR RELAY SPST-NC 400MA 60V

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￥6.5075 ￥6.85
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￥6.289 ￥6.62

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型号：TCMD4000 编号：C142642

封装：SOP-16-4.4mm