3528光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：FODM217DR2 编号：C891191

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

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型号：CA-IS3211VBJ 编号：C7422552

封装：SOIC-6-300mil

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT 和SiC 器件。隔离等级达到5.7kV_RMS，芯片可提供5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。高达30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT 和SiC 功率FET。

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型号：4N25SR2M 编号：C44165

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：SFH6106-3T 编号：C118291

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。

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型号：AT314-CuH-P 编号：C22384610

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：AOTE(奥特)

AT314是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器，具有一个镓砷磷化合物（GaAsP）的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。这种光电耦合器可驱动大多数的小功率IGBTs和MOSFETs。在电机控制逆变器以及高性能电力系统应用中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBTs和MOSFETs。

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型号：FOD3184(UMW) 编号：C53114916

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：FOD3150(UMW) 编号：C53109752

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：TLP350HF(UMW) 编号：C53109746

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：TLP351AF(UMW) 编号：C53109743

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：ACPL-T350-000E(UMW) 编号：C53109728

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：MOC207R2M 编号：C274700

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

这些器件由砷化镓红外线发光二极管组成，二极管以光学方式耦合到单片硅光电晶体管检测器上，采用可表面帖装的小型塑料封装。它们非常适合高密度应用，并且无需通过电路板安装。

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型号：TLP2745(D4-TP,E 编号：C5125644

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs，有缓冲输出。

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型号：TLP560J(C,F) 编号：C516862

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合，采用六引脚塑料DIP封装。

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型号：APY217S 编号：C42444466

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光继电器具有以下明显优势：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无弹跳开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗EMI或RF干扰、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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型号：BCY212S 编号：C5348921

封装：SOP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：2mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：GAQY212G1EH 编号：C19188658

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：SL214N 编号：C5330375

封装：SSOP-16

品牌：Slkor(萨科微)

SL214N 是一款由发光二极管和光电晶体管组成的四通道光电耦合器。引脚封装（SSOP16）。

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型号：MOC3082SR2M 编号：C899862

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：OPY214S 编号：C46532095

封装：SOP-4

品牌：ARK(方舟微)

SSR RELAY SPST-NO 130MA 400V

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型号：AAA3528LSEEZGKQBKS 编号：C5547384

封装：SMD2835

品牌：Kingbright

超红色源色器件采用基于GaAs衬底的AlGaInP发光二极管。绿色源色器件采用基于蓝宝石的InGaN发光二极管。蓝色源色器件采用InGaN发光二极管。静电放电和电涌可能会损坏LED。建议在操作LED时使用腕带或防静电手套。所有设备、仪器和机器必须接地

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型号：TP3120 编号：C47326391

封装：DIP-8

品牌：拓朴微

集成电路

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型号：QX175-CuH-S 编号：C52164477

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：200V，负载电流：0.18A

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型号：ACPL-M50L-500E 编号：C54677

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

单通道（SO-5封装）、双通道（SO-8封装）、单通道（拉伸SO-6封装）和双通道（拉伸SO-8封装）是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这种数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在温度范围为-40至105°C，VCM = 1500V时，最小共模瞬态抗扰度为15kV/μs

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