3528光耦_厂家_价格_品牌_库存

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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型号：CA45-B-20V-10uF-K 编号：C503898

封装：CASE-B-3528-19(mm)

品牌：TORCH(火炬)

该产品采用环氧树脂模塑封装、密封性好、体积小、重量轻、电性能优良稳定、寿命长、可靠性高、贮存稳定性好,适用于电子、通讯等电子设备表面贴装直流和脉动电路。

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型号：MOC3041SM 编号：C22373366

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

MOC3041SM是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

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型号：TLP290(V4GBTP,SE 编号：C603060

封装：SO-4-175mil

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO4封装，保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合IC。

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型号：ACPL-217-56BE 编号：C18198798

封装：SOIC-4

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 217是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器，包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用4引脚SO封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750VRMS

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型号：ATM501-CuH-S 编号：C20612632

封装：S0P-5

品牌：AOTE(奥特)

ATM501由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等

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型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221

封装：SOP-4

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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型号：TLP183(GR-TPL,E 编号：C80194

封装：SOP-4-2.54mm

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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型号：LTV-847 编号：C10794

封装：DIP-16

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型号：4N35M 编号：C4069

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：HMHA2801AR2 编号：C258257

封装：SOP-4-1.27mm

HMHA281、HMHA2801 系列包括一个砷化镓红外发光二极管，用以驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的硅光电晶体管。引线间距为1.27mm。

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型号：MPS2733-1 编号：C41383943

封装：SOP-4

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款光耦合器，采用SOP-4封装，他具有集电极−发射极电压: 300V，稳定的传输电流，快速响应时间，被广泛应用于通信、计算机、工业控制、电源管理、医疗设备、汽车电子其凑的设计和良好的性能，在各种需要电气隔离和信号传输的场合都有应用

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型号：6N137S 编号：C2918951

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Slkor(萨科微)

6N137由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。其工作参数在 -55 °C 至 100 °C 的温度范围内得到保证。

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型号：ELM611 编号：C41371271

封装：SOP-5

品牌：AOTE(奥特)

ELM611内部有一个850nm的AlGaAS LED,其光学耦合到具有选通输出的超高速集成光电检测器。这些器件采用5引脚外形封装，符合标准封装外形。平替亿光ELM611、光宝LTV-M456；广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等

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型号：H11L1M 编号：C16587

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥3.14
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型号：MOC3052M 编号：C8965

封装：DIP-6

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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型号：TLP350F(UMW) 编号：C53109745

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：TLP352F(UMW) 编号：C53109738

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：MOCD213R2M 编号：C258244

封装：SO-8

MOCD213M 器件包含两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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型号：LTV-247-G-RT 编号：C7435541

封装：SOP-16

电流传输比 (CTR)：在IF = 5mA、VCE = 5V时最小值为50% 高输入-输出隔离电压，Viso = 3,750Vrms 采用双传输模塑技术安全认证：UL1577、VDE DIN EN60747-5-5、VDE 0884-5、CSA CA5A、FIMKO RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（2002/95/EC、2011/65/EU和2015/863） ESD通过HBM 8000V/MM 2000V MSL 1级无卤。

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型号：TLP185(GR-TPR,E 编号：C393884

封装：SOP-4-2.54mm

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：6N136M 编号：C9067

封装：DIP-8

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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型号：LTV-341W-TA1-H 编号：C262124

封装：SMD-6P

LTV - 341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。2

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￥3.08

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型号：QX173-CuH-S 编号：C49023636

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：100V，负载电流：1.25A

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C7493926

封装：SO6

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￥3.45
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型号：QX174-CuH-S 编号：C49023618

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：400V，负载电流：0.12A

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￥5.79
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￥4.69
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￥4.14
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型号：LTV-063L 编号：C571215

封装：SOP-8

该系列由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出侧之间提供了出色的交流和直流隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。使能功能允许对光探测器进行选通。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度。在3.3V时，保证的共模瞬态抗扰度高达10kV/μs。光耦合器的工作参数在-40°C至+85°C的温度范围内得到保证。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。

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￥3.03

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm