驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-6

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用：AC电机驱动器。AC电机启动器

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￥1.308
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￥1.0356
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￥0.9026
520+
￥0.7569
2080+
￥0.6921

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型号：AT4N29-CuH-S 编号：C22396213

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AT4N29是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

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￥1.46142 ￥1.6238
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￥1.15524 ￥1.2836
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￥1.02402 ￥1.1378
1000+
￥0.86031 ￥0.9559
2000+
￥0.78741 ￥0.8749
5000+
￥0.74358 ￥0.8262

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型号：FOD817B3SD 编号：C327483

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥1.5819
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￥1.2728
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￥1.1404
1000+
￥0.9248
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￥0.8512
5000+
￥0.807

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型号：FOD814ASD 编号：C258231

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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￥2.117
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￥1.6835
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￥1.4978
1000+
￥1.266
2000+
￥1.1628
5000+
￥1.1008

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型号：EG1397 编号：C20416232

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1397是一款应用在半桥拓扑中的高性能控器，如串联谐振、并联谐振和LLC谐振控制器。它集成650V半桥驱动器，较少的外围器件，可以简化布图。EG1397采用独特的架构，包括最高500kHz压控振荡器，具有灵活性的控制模式，可实现可靠稳定的谐振模式电源。EG1397具有完善的保护功能，可配置设置以适用更宽的应用范围。其中包括：过流保护自恢复、欠压保护、软启动、光耦开路和短路保护功能。可配置死区时间可以防止上下桥MOS管同时导通，适用不同功率场合。

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￥3.39
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￥2.98
30+
￥2.78
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￥2.58

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型号：APV1122S 编号：C42444429

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：APSEMI(先进光)

特性：高速开关：释放时间为 0.1 ms，可在紧急情况下快速关闭 MOSFET 或其他负载。节省空间：内置控制电路，无需外部电阻，有助于使基板更紧凑。应用：MOSFET 驱动器。电子电路的电源 (Vcc)

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￥3.58
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￥2.87
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￥2.51
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￥2.15
500+
￥1.94
1000+
￥1.83

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型号：KAQY214 编号：C136415

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

KAQY214系列性能稳定，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用镓铝砷（GaAlAs）发光二极管进行驱动控制，并使用集成单片管芯作为开关输出

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￥3.63
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￥2.94
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￥2.59
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￥2.25
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￥2.04
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￥1.93

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型号：TLP2748(D4-TP,E 编号：C725711

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm（最大值）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA，低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出，另有缓冲输出版本。

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￥5.34
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￥4.26
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￥3.72
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￥3.18
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￥2.86

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型号：MP4026GJ-Z 编号：C5129845

封装：TSOT-23-6

品牌：MPS(芯源)

是一款原边控制的离线 LED 控制器，适用于隔离式单功率级照明应用，采用小型 TSOT23-6 封装，可实现高功率因数和精确的 LED 电流控制。专有实电流控制方法可根据原边信息精确控制 LED 电流，具有良好的线路和负载调节能力。原边控制消除了副边反馈组件和光耦合器，显著简化了 LED 照明系统设计。集成了功率因数校正功能，并工作在谷底开关模式以降低 MOSFET 开关损耗。具备多种保护功能，可大大提高系统的可靠性和安全性，包括过压保护、短路保护、原边过流保护、欠压保护、逐周期电流限制、VCC 欠压锁定和自动重启过温保护。

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￥10.5683
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￥9.4899
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￥8.1925

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型号：TLP250(F) 编号：C4078

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

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1+
￥15.82
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￥13.32
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￥11.76
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型号：ADUM1402ARWZ 编号：C579385

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

基于iCoupler技术的四通道数字隔离器，结合高速CMOS和单片空心变压器技术，性能优于光耦合器等替代产品。避免使用LED和光电二极管，消除了与光耦合器相关的设计难题，如不确定的电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响。无需外部驱动器和其他分立元件，在可比信号数据速率下，功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一。提供四种独立的隔离通道，具有多种通道配置和数据速率，电源电压范围为2.7V至5.5V，可与低电压系统兼容，并实现隔离屏障上的电压转换功能

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1+
￥26.34
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￥22.47
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￥20.16
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￥17.83

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型号：ADUM1400BRWZ 编号：C579382

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

基于iCoupler技术的四通道数字隔离器，结合高速CMOS和单片空心变压器技术，性能优于光耦合器等替代产品。避免使用LED和光电二极管，消除了与光耦合器相关的设计难题，如不确定的电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响。无需外部驱动器和其他分立元件，在可比信号数据速率下，功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一。提供四种独立的隔离通道，具有多种通道配置和数据速率，电源电压范围为2.7V至5.5V，可与低电压系统兼容，并实现隔离屏障上的电压转换功能

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￥30.33
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￥26.14
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￥23.64

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型号：ADUM3210WARZ 编号：C660778

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

是基于iCoupler技术的双通道数字隔离器。结合高速CMOS和单片变压器技术，该隔离组件性能优于光耦合器等替代产品。避免使用LED和光电二极管，消除了与光耦合器相关的设计难题，消除了光耦合器在电流传输比不确定、非线性传递函数以及温度和寿命影响方面的问题，具有简单的数字接口和稳定的性能特点。无需外部驱动器和其他分立组件，在可比信号数据速率下，功耗是光耦合器的十分之一到六分之一

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￥32.66
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￥28.1
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￥25.39
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￥22.66

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型号：HCPL-7710-500E 编号：C6570033

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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￥35.12
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￥29.83
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￥26.68
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￥23.0202 ￥23.49
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￥21.5796 ￥22.02
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￥20.9328 ￥21.36

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型号：FOD8333R2 编号：C898492

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8333 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器，可驱动高达 1,200 V 和 150 A 的中型功率 IGBT。适用于电机控制变频器应用和高性能电力系统中 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8333 为您提供必要的保护功能，避免发生故障，从而确保 IGBT 不会由于热逃逸而损坏。

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￥37.92
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￥33.23
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￥25.98
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￥23.58

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型号：AT4N33-CuH-S 编号：C20612710

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AT4N33是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.03923 ￥1.1547
50+
￥0.82152 ￥0.9128
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￥0.72819 ￥0.8091
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￥0.61173 ￥0.6797
2000+
￥0.55989 ￥0.6221
5000+
￥0.52884 ￥0.5876

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型号：AT4N31-CuH-D 编号：C22396202

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N31是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.07172 ￥1.1908
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￥0.84717 ￥0.9413
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￥0.75096 ￥0.8344
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￥0.6309 ￥0.701
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￥0.57744 ￥0.6416
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￥0.54531 ￥0.6059

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型号：AT4N31-CuH-S 编号：C22396212

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AT4N31是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.07172 ￥1.1908
50+
￥0.84717 ￥0.9413
150+
￥0.75096 ￥0.8344
1000+
￥0.6309 ￥0.701
2000+
￥0.57744 ￥0.6416
5000+
￥0.54531 ￥0.6059

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型号：AT4N32-CuH-S 编号：C22396211

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AT4N32是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.1475 ￥1.275
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￥0.90711 ￥1.0079
150+
￥0.80406 ￥0.8934
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￥0.67545 ￥0.7505
2000+
￥0.61821 ￥0.6869
5000+
￥0.58392 ￥0.6488

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型号：AT4N32-CuH-D 编号：C22396201

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N32是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.19079 ￥1.3231
50+
￥0.94131 ￥1.0459
130+
￥0.83439 ￥0.9271
520+
￥0.70101 ￥0.7789
2470+
￥0.64161 ￥0.7129
6500+
￥0.60588 ￥0.6732

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型号：AT4N29-CuH-D 编号：C22396203

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N29是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.36395 ￥1.5155
50+
￥1.0782 ￥1.198
130+
￥0.95571 ￥1.0619
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￥0.80289 ￥0.8921
2470+
￥0.73485 ￥0.8165
6500+
￥0.69408 ￥0.7712

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型号：GP8645H 编号：C49420387

封装：DIP-7

品牌：HaloChip(华众芯)

是一款AC/DC功率控制开关，可应用于充电器和适配器。芯片采用原边反馈和控制，无需光耦和TL431即可实现4%的恒压恒流精度。在恒流工作中采用PFM控制，在恒压工作中采用PFM/PWM多种模式复合控制。此外，集成了输出线缆补偿功能，从而有利于减小开关损耗并简化系统EMI设计，优化输出特性。提供软启动，音频噪音消除技术以及多种保护功能，诸如自动重启，逐周期电流限制，VCC过压欠压保护，管脚开路短路保护，驱动钳位保护等。

5+
￥1.4099
50+
￥1.1075
150+
￥0.9779
500+
￥0.8162
2000+
￥0.7442
4000+
￥0.701

有货

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型号：FOD817C300 编号：C124472

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.4291
50+
￥1.1416
200+
￥0.8682
500+
￥0.7144
2000+
￥0.646
4000+
￥0.6049

有货

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型号：AT4N30-CuH-S 编号：C22396214

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AT4N30是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.46142 ￥1.6238
50+
￥1.15524 ￥1.2836
150+
￥1.02402 ￥1.1378
1000+
￥0.86031 ￥0.9559
2000+
￥0.78741 ￥0.8749
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￥0.74358 ￥0.8262

有货

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型号：AT4N30-CuH-D 编号：C22396204

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N30是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.46142 ￥1.6238
50+
￥1.15524 ￥1.2836
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￥1.02402 ￥1.1378
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￥0.86031 ￥0.9559
2470+
￥0.78741 ￥0.8749
6500+
￥0.74358 ￥0.8262

有货

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型号：FOD817C3SD 编号：C241831

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.6598
50+
￥1.3465
150+
￥1.2123
1000+
￥1.0298
2000+
￥0.9552
5000+
￥0.9104

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型号：FOD817BSD 编号：C139543

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.6852
50+
￥1.3505
150+
￥1.2071
1000+
￥0.9986
2000+
￥0.9189
5000+
￥0.871

有货

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型号：APV1123S 编号：C42444440

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：APSEMI(先进光)

特性：高速开关：释放时间为 0.1 ms，可在紧急情况下快速关闭 MOSFET 或其他负载。节省空间：内置控制电路，无需外部电阻，有助于使基板更紧凑。应用：MOSFET 驱动器。电子电路电源 (Vcc)

1+
￥4.02
10+
￥3.26
30+
￥2.88
100+
￥2.5
500+
￥2.27
1000+
￥2.15

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型号：LTV-480P-TA1-H 编号：C2918481

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 480 - H系列高速光电耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使得这些光电耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥3.79
30+
￥3.33
100+
￥2.88
500+
￥2.61
1000+
￥2.47

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型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

数据手册

1+
￥5.03
10+
￥4.01
50+
￥3.5
100+
￥3
500+
￥2.7
1000+
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