高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：TLP250H(F) 编号：C88151

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：LTV-0601 编号：C155202

封装：SOP-8

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 0601由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出端之间提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管

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型号：TLP250H(TP1,F) 编号：C3002258

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：HCPL-M453-500E 编号：C183328

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

这些小尺寸、高共模抑制比（CMR）、高速的二极管-晶体管光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形无需在印刷电路板（PCB）上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。这些二极管-晶体管光耦合器在发光二极管（LED）和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍

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型号：LTV-M601 编号：C123201

封装：SOP-5-175mil

品牌：LITEON(光宝)

该产品由高效的砷化铝镓发光二极管和高速光探测器组成。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在3.3/5V工作电压下，保证了10KV/μs的共模瞬态抗扰度规格。光耦合器的工作参数在-40℃至 + 85℃的温度范围内得到保证。

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：QCPL-A58JV-500E 编号：C3010671

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

是一款用于汽车应用的高压光电MOSFET，由AIGaAs红外发光二极管（LED）输入级与高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。光电MOSFET在通过输入LED的最小输入电流为7 mA时开启（触点闭合），在输入电压为0.4V或更低时关闭（触点断开）。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，适用于汽车和高温工业应用。采用16引脚SOIC封装。

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型号：6N137S 编号：C20612601

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

6N137S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等

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型号：TLP2361(V4-TPL,E 编号：C123773

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP2704(TP,E 编号：C393893

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度，SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。

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型号：ACPL-M483-500E 编号：C691954

封装：SO-5

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：ACSL-6400-00TE 编号：C2926376

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

是真正的隔离式多通道双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输及通信能力。具有 15Mbd 速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。提供 8 引脚和 16 引脚窄体 SOIC 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +100°C。

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￥17.6302 ￥17.99

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型号：ACSL-6400-50TE 编号：C2926377

封装：SOP-16

品牌：Broadcom(博通)

是真正隔离的、多通道和双向的高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输和通信能力。提供15Mbd速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。有8引脚和16引脚窄体SOIC封装，工作温度范围为 -40°C至 +100°C。

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￥34.44
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型号：6N137S(TA) 编号：C16496

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

6N137、EL2601和EL2611由一个红外发光二极管和一个高速集成光电探测器逻辑门通过光耦合组成，具有可选通输出。它采用8引脚双列直插式封装（DIP），还有宽引脚间距和贴片（SMD）封装可选。

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￥1.6206
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￥1.2424
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￥0.8207

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型号：TLP2301(TPL,E 编号：C261927

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由基于光电晶体管的高速探测器与GaAs红外发光二极管光耦合组成，采用SO6封装。通过几个kΩ电阻实现了早期开关特性，对应20 kbps的传输速率，填补了通用晶体管耦合器和对应1 Mbps的IC耦合器之间的空白。

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￥1.6782
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￥0.8348
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￥0.78

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型号：ACPL-P480-500E 编号：C74380

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含 GaAsP 发光二极管和内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，通过减少开关死区时间提高逆变器效率。

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￥5.83
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￥3.69
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￥2.63

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型号：HCPL2631M 编号：C899527

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥9.69
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￥7.02
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￥5.26

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型号：ISOM8610DFGR 编号：C32046157

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM8610 是一款具有光耦仿真器输入的 80V 单极常开开关。光耦仿真器输入可控制背对背 MOSFET，在次级侧无需使用任何电源。该器件是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件，无需重新设计 PCB 即可增强业界通用封装。与光耦合器相比，ISOM8610 光耦仿真器开关具有显著的可靠性和性能优势，例如更宽的温度范围和严格的过程控制，从而实现较小的器件间差异。由于没有要补偿的老化效应，因此仿真二极管输入级的功耗比存在 LED 老化效应并在器件使用寿命内需要更高偏置电流的光耦合器更低。ISOM8610 开关输出可在器件的使用寿命内仅通过阳极/阴极引脚的 0.8mA 电流来控制，从而实现系统节能。ISOM8610 是光耦仿真器开关，提供高达 3.75kV 的跨隔离栅隔离，是常用光继电器的引脚兼容直接替代产品。标准光耦合器使用 LED 作为输入级，而 ISOM8610 使用电流控制的仿真二极管作为输入级。输入级通过 TI 专有的基于二氧化硅 (SiO₂) 的隔离栅与驱动器级隔离，不仅能够提供可靠的隔离，而且还提供出色的性能。ISOM8610 可隔离高压信号，提供会随着时间推移而老化的传统光耦合器所不具备的性能、可靠性和灵活性优势。这些器件基于实现低功耗和高速运行的 CMOS 隔离技术，因此不受光耦合器中的磨损效应影响，这种磨损会随着温度、正向电流和器件使用年限的增加而降低性能。

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￥10.51
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型号：ACPL-C797-500E 编号：C691942

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - C797是一款1位二阶sigma - delta（Σ - Δ）调制器，它基于光耦合技术，可将模拟输入信号转换为具有电流隔离功能的高速数据流。ACPL - C797采用5V电源供电，搭配合适的数字滤波器时，动态范围可达80dB。其±200mV（满量程±320mV）的差分输入非常适合在诸如电机相电流测量等应用中直接连接到分流电阻或其他低电平信号源

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型号：H11L1M 编号：C16587

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥3.3
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￥1.88
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型号：AT0631-CuH-S 编号：C47355583

封装：SOP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT0631是一款双通道的高速光耦，其内部每个通道由一个 850nm 的 AlGaAs 发光二极管和一个集成检测器组成。内置屏蔽，可以保证至少 5000V/µs 的高共模抑制(CMR)能力。广泛应用于：接地回路消除、开关电源、计算机外围接口、数模，模数转化中的数字隔离、高速逻辑系统隔离。

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型号：HCPL-M600-500E 编号：C54062

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

这些小尺寸、高共模抑制比（CMR）、高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。它们在电气上等同于以下安华高（Avago）光耦合器（除了没有输出使能功能）。 SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形不需要在PCB上打“通孔”。

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型号：HCPL0600R2 编号：C500389

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。

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￥5.82
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型号：HCPL-070A-500E 编号：C692015

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动，典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行

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￥5.3116 ￥5.42
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￥4.8804 ￥4.98
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￥4.6844 ￥4.78

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型号：ASSR-1218-503E 编号：C6747780

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

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型号：ACPL-M61L-500E 编号：C44908

封装：SO-5-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

低功率数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在不同温度下，每通道最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功率光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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