高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

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型号：SI8711BD-B-IMR 编号：C19408659

封装：LGA-8(10x12.5)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥42
200+
￥16.76
500+
￥16.2
1000+
￥15.93

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型号：SI8712BD-B-IMR 编号：C19547174

封装：LGA-8(10x12.5)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥42
200+
￥16.76
500+
￥16.2
1000+
￥15.93

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型号：SI8712BD-B-IM 编号：C19307810

封装：LGA-8(10x12.5)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥44.75
192+
￥17.86
480+
￥17.26
960+
￥16.97

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型号：SI8711BD-B-IM 编号：C19543708

封装：LGA-8(10x12.5)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥44.75
192+
￥17.86
480+
￥17.26
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型号：SI8712AD-B-IM 编号：C19359535

封装：LGA-8(10x12.5)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥49.63
192+
￥19.81
480+
￥19.14
960+
￥18.82

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型号：PS9117A-V-F3-NTY-AX 编号：C20056132

封装：SO-5

品牌：California Eastern Laboratories

1+
￥21.02
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￥8.39
500+
￥8.11
1000+
￥7.97

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型号：PS8501L3-AX 编号：C17508099

封装：SMD-8P

品牌：California Eastern Laboratories

1+
￥55.58
200+
￥22.18
500+
￥21.44
1000+
￥21.07

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型号：6N137M 编号：C2841483

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷（AlGaAS）发光二极管（LED）组成，该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构，因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内，可保证耦合参数

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5+
￥1.9948
50+
￥1.5099
135+
￥1.3021
495+
￥1.0428
2880+
￥0.9273
4320+
￥0.858

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型号：HCPL0600 编号：C891326

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。

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1+
￥9.54
10+
￥7.93
50+
￥7.05
100+
￥6.05
500+
￥5.61

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型号：HCPL0638 编号：C891330

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制。

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1+
￥28.67
10+
￥24.59
50+
￥20.24

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型号：HCPL0637 编号：C891329

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。这些器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由采用 CMOS 工艺的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制。

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1+
￥25.44
10+
￥22.19
50+
￥18.52

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型号：FOD8012A 编号：C891163

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8012A 是一款半工、双向、高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar, 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此高速逻辑门极光耦合器与布置为双向配置的 2 个光耦合沟道进行高度集成，采用紧凑的 8 引脚小型封装。每个光耦合器沟道都包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、15ns 脉冲宽度失真）。

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单价：
￥21.19296 / 个

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型号：TLP109(TPL,E 编号：C406798

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款适合表面贴装的小外形耦合器，由高输出功率红外发射二极管与高速光电二极管-晶体管芯片光耦合而成。采用SO6封装，保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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1+
￥2.95
10+
￥2.26
30+
￥1.93
100+
￥1.63
500+
￥1.55
1000+
￥1.5

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型号：6N137S(TA) 编号：C16496

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

6N137、EL2601和EL2611由一个红外发光二极管和一个高速集成光电探测器逻辑门通过光耦合组成，具有可选通输出。它采用8引脚双列直插式封装（DIP），还有宽引脚间距和贴片（SMD）封装可选。

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25+
￥1.7332
250+
￥1.3533
1000+
￥1.1678
2000+
￥1.0024
12000+
￥0.9569
25000+
￥0.9296

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型号：6N137SDM 编号：C15825

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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1+
￥5.09
10+
￥4.37
30+
￥3.87
100+
￥3.45
500+
￥2.46
1000+
￥2.38

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型号：TLP350(TP1,F) 编号：C5003

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥5.17
10+
￥4.3
30+
￥3.69
100+
￥3.18
500+
￥3.02
1500+
￥2.93

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型号：HCPL-316J-500E 编号：C27553

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

具有集成去饱和 (VCE) 检测和故障状态反馈的2.5A栅极驱动光耦合器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施，同时满足全球安全和监管要求。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定 (UVLO)、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将完整的、带故障保护和反馈的隔离式IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中。TTL输入逻辑电平允许直接与微控制器接口，光隔离功率输出级驱动功率额定值高达150A和1200V的IGBT。高速内部光链路可最大限度地减少微控制器和IGBT之间的传播延迟，同时允许两个系统在工业电机驱动器和其他功率开关应用中常见的非常大的共模电压差下运行

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1+
￥11.96
10+
￥10.39
30+
￥9.28
100+
￥8.27
500+
￥7.81
850+
￥7.62

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型号：6N137S-TA1-L 编号：C92651

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

6N137-L由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管

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5+
￥2.2934
50+
￥1.8321
150+
￥1.607
1000+
￥1.3495
2000+
￥1.2943
5000+
￥1.2611

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型号：6N137S 编号：C5123515

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷（AlGaAS）发光二极管（LED）组成，该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构，因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内，可保证耦合参数

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5+
￥1.9623
50+
￥1.5271
150+
￥1.3406
1000+
￥1.0451
2000+
￥0.9414
5000+
￥0.8793

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型号：H11L1S(TA) 编号：C78589

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

由GaAs红外发光二极管和高速集成电路探测器光耦合组成。输出探测器集成施密特触发器，提供迟滞以实现抗噪和脉冲整形。采用6引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选。

数据手册

5+
￥2.0757
50+
￥1.6467
150+
￥1.4628
1000+
￥1.2496
2000+
￥1.1474
5000+
￥1.0861

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型号：ACPL-064L-500E 编号：C38485

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

超低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗极低，每个通道的IDD电流在整个温度范围内最大为1.3 mA。输入电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了最低20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3 V和5 V电源电压下工作，在-40°C至+105°C的宽温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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1+
￥9.89
10+
￥8.29
30+
￥7.41
100+
￥5.5
500+
￥5.05
1500+
￥4.85

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型号：TLP2309(TPL,E 编号：C85066

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1Mbit高速光耦，支持5V和3.3V供电

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1+
￥3.22
10+
￥2.52
30+
￥2.23
100+
￥1.85
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

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型号：TLP5701(TP,E 编号：C74960

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个GaAlAs红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比，TLP5701在尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准

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1+
￥3.46
10+
￥2.76
30+
￥2.42
100+
￥2.08
500+
￥1.87
1500+
￥1.77

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型号：TLP250H(F) 编号：C88151

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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1+
￥6.52
10+
￥5.29
50+
￥4.3
100+
￥3.69
500+
￥3.33
1000+
￥3.14

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型号：H11L1SR2M 编号：C20082

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥3.44
10+
￥2.69
30+
￥2.38
100+
￥1.98
500+
￥1.68
1000+
￥1.57

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型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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