力特ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-523

该分立 TVS 二极管采用专有的硅雪崩技术制造，可保护电子设备 5/0 引脚免受破坏性静电放电 (ESD) 的影响。这些坚固的 TVS 能够承受 ±30 kV 级别的重复接触或空气 ESD 放电事件，而不会出现任何性能下降。这超过了 IEC 61000-4-2 的 ESD 接触和空气放电测试要求。此外，TVS 能够承受 IEC 61000-4-5 第二版中定义的 8/20 浪涌电流事件，最高可达 7A，并且仍能提供低电压钳位水平。

5+
￥0.8998
50+
￥0.7198
150+
￥0.6298
500+
￥0.5623

有货

立即购买

型号：SP1002-01JTG 编号：C316001

封装：SC-70-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的背对背齐纳二极管对每个 I/O 引脚进行保护，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的防护。这些耐用的二极管能够在 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准规定的最高等级（4 级，±8kV 接触放电）下安全吸收反复的 ESD 冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使它们非常适合用于保护高速信号引脚

数据手册

5+
￥1.1301
50+
￥0.8781
150+
￥0.7701

有货

立即购买

型号：AQ4023-01FTG-C 编号：C3708453

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4023系列分别将低电容转向二极管与一个或两个雪崩击穿二极管集成，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些元件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达12A的浪涌电流（脉冲持续时间tp = 8 / 20μs），且性能不会下降，同时根据IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最低ESD防护能力为±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护电信端口，如+DSL以及其他高压、高速传统接口

5+
￥1.5778
50+
￥1.2661
150+
￥1.1325

有货

立即购买

型号：SP03-6BTG 编号：C2766089

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款新型宽带保护组件可为诸如10/100/1000 BaseT以太网、TVE3 DS3接口、ADSL2+和VDSL2+等应用提供过压保护。这款新型保护器将TVS二极管元件与二极管整流桥相结合，在一个封装中同时提供纵向和差分保护。这种创新设计使得该器件的电容负载特性相对于其两端的信号电压呈对数线性关系

数据手册

1+
￥8.01
10+
￥6.63
30+
￥5.87

有货

立即购买

型号：SP03-3.3BTG 编号：C2833073

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款新型宽带保护组件可为诸如10/100/1000 BaseT以太网、T3/E3 DS3接口、ADSL2+和VDSL2+等应用提供过压保护。该新型保护器将TVS二极管元件与二极管整流桥相结合，在一个封装中同时提供纵向和差分保护。这种设计创新使得电容负载特性相对于器件两端的信号电压呈对数线性关系。这减少了典型固态保护解决方案所导致的互调（IM）失真。应用原理图提供了连接信息。

数据手册

1+
￥8.51
10+
￥7.07
30+
￥6.28

有货

立即购买

型号：SLVU2.8-8BTG 编号：C1847673

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLVU2.8 - 8旨在保护低电压CMOS器件免受静电放电（ESD）和雷击引起的瞬态影响。每个低电压瞬态电压抑制器（TVS）都串联一个补偿二极管，以向受保护线路呈现低负载电容。这些坚固的结构可根据IEC 61000 - 4 - 2标准安全吸收±30kV（接触放电）的反复ESD冲击，并且能在极低的钳位电压下安全耗散高达30A（IEC 61000 - 4 - 5第2版，tp = 8/20μs）的电流。

数据手册

1+
￥9.44
10+
￥7.82
30+
￥6.93

有货

立即购买

型号：SP1005-01WTG 编号：C207271

封装：0201

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1005包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高水平（4级，±8 kV接触放电和±15 kV空气放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。当存在交流信号时，背对背配置可为数据线提供对称的ESD保护。

数据手册

1+
￥0.19775
50+
￥0.18984
1000+
￥0.18193

我要订货

型号：SC1333-01ETG 编号：C3709801

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

SC1333-01ETG背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供了高ESD（静电放电）保护等级。SC1333-01ETG TVS能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8kV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置为数据线提供对称的ESD保护。此外，SC1333-01ETG可提供高达5A的8/20μs浪涌额定值，且钳位电压较低。

5+
￥0.7955
50+
￥0.6328
150+
￥0.5514

有货

立即购买

型号：AQ3522-01FTG 编号：C1512966

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ3522-01FTG集成了超低电容二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的元件能够安全吸收超过IEC 61000-4-2国际标准（4级，±8kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护V-By-One、HDMI、USB3.0和USB2.0等高速度信号引脚。

数据手册

5+
￥1.2002
50+
￥0.9528
150+
￥0.8468

有货

立即购买

型号：V14MLA0805LNH 编号：C2655524

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

数据手册

5+
￥1.2035
50+
￥0.9677
150+
￥0.8667
500+
￥0.7406
2500+
￥0.6844
5000+
￥0.6507

订货

我要订货

型号：V68MLA1206NH 编号：C187755

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

数据手册

5+
￥1.2125
50+
￥1.1866
150+
￥1.1693

有货

立即购买

型号：AQ05-02HTG 编号：C1976978

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

A0x-02H TG系列TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。该AO×X系列能够安全吸收±30 kV的重复性ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准规定的接触放电和空气放电），且性能不会下降。此外，AQ05能够在低电压钳位水平下，安全传导符合IEC 61000-4-5第二版标准规定的33A 8/20浪涌电流。

数据手册

3000+
￥0.6726
6000+
￥0.6555
9000+
￥0.6327
18000+
￥0.6213

我要订货

型号：SP1001-04XTG 编号：C1973878

封装：SOT-553

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的雪崩击穿二极管可保护每个 I/O 引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高于 IEC 61000 4 2 国际标准（4 级，±8kV 接触放电）规定的最大电平的重复性 ESD 冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择

数据手册

1+
￥3.09
10+
￥2.46
30+
￥2.19

有货

立即购买

型号：V5.5MLA1206NH 编号：C3260391

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

1+
￥7.27
10+
￥5.95
30+
￥5.22

有货

立即购买

型号：SLD8S24A 编号：C720173

封装：SMTO-263

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列瞬态电压抑制（TVS）二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它专为保护敏感电子设备而设计，可抵御雷电和感性负载开关电压瞬变事件，适用于严苛的汽车负载突降应用。

数据手册

5+
￥10.54
50+
￥8.88
150+
￥7.85

有货

立即购买

型号：SLD8S36A 编号：C468899

封装：SMTO-263

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列瞬态电压抑制（TVS）二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它专为保护敏感电子设备而设计，可抵御雷电和感性负载开关电压瞬变事件，适用于严苛的汽车负载突降应用。

数据手册

1+
￥11.45
10+
￥9.79
30+
￥8.88

有货

立即购买

型号：SLD8S15A 编号：C1976661

封装：SMTO-263

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列TVS二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它旨在保护敏感电子设备，使其免受雷电和感性负载开关电压瞬变事件的影响，适用于严苛的汽车负载突降应用。

数据手册

1+
￥14.772 ￥49.24
10+
￥8.544 ￥42.72
30+
￥3.875 ￥38.75
100+
￥3.542 ￥35.42

有货

立即购买

型号：V18MLA0402NR 编号：C3260800

封装：0402

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

5+
￥0.2836
50+
￥0.2776
150+
￥0.2736

有货

立即购买

型号：V18MLA0603NH 编号：C179033

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

数据手册

10+
￥0.4494
100+
￥0.3643
300+
￥0.3218
2500+
￥0.2899
5000+
￥0.2644
10000+
￥0.2516
20000+
￥0.249
40000+
￥0.2472

订货

我要订货

型号：SP3522-01UTG 编号：C3715418

封装：DFN0603-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3522集成了超低电容的阴极对阴极硅雪崩二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。该耐用组件能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8 kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

5+
￥1.3567
50+
￥1.0719
150+
￥0.9499

有货

立即购买

型号：AQ36CANA-02HTG 编号：C20349319

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ36CANA-02HTG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高ESD（静电放电）保护等级。AQ36CANA-02HTG TVS可以安全吸收重复的±30kV ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准中的接触放电和空气放电），而不会降低性能。此外，它还可以安全耗散符合IEC 61000-4-5第二版标准的8A 8/220μs浪涌事件。

1+
￥3.62
10+
￥3.56
30+
￥3.51

有货

立即购买

型号：V60MLA1210NH 编号：C3263715

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

1+
￥3.7
10+
￥3.61
30+
￥3.56

有货

立即购买

型号：AQ3102-02JTG 编号：C3705570

封装：SC-70-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成2通道低电容转向二极管和一个额外的齐纳二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的汽车电子设备提供保护。能够安全吸收高于IEC 61000-4-2国际标准（4级，2kV接触放电）规定的最大接触水平的重复ESD冲击，且性能不会下降。低关态电容使其非常适合保护高速信号线，如USB2.0、USB 3.0和1Gb以太网，具有极低的动态电阻，可保护最敏感的先进芯片组免受ESD瞬变影响。

1+
￥8.8
10+
￥7.36
30+
￥6.56

有货

立即购买

型号：SP4045-04ATG 编号：C1973399

封装：MSOP-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4045将低电容二极管与额外的齐纳二极管集成在一起，以保护每个I/O引脚免受ESD和高浪涌事件的影响。这款耐用的器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达24A的电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。其低负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

数据手册

1+
￥8.95
10+
￥7.71
30+
￥7.04

有货

立即购买

型号：SP4065-08ATG 编号：C1975717

封装：MSOP-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成了低电容二极管和一个额外的齐纳二极管，以保护每个I/O引脚免受ESD和高浪涌事件的影响。该强大的器件可根据IEC 61000-4-5第2版（tp = 8/20μs）安全吸收高达20A的电流而不会导致性能下降，并且根据IEC 61000-4-2国际标准，其最小ESD为±30kV。其低负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚。

1+
￥9.38
10+
￥7.82
30+
￥6.97

有货

立即购买

型号：SP721ABTG 编号：C17272510

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

是用于静电放电 (ESD) 和过压保护的 SCR/二极管双极结构阵列，可保护敏感输入电路。每个输入有 2 个保护 SCR/二极管器件结构，共有 6 个可用输入，可保护多达 6 条外部信号或总线线路。过压保护范围是从 IN（引脚 1-3 和引脚 5-7）到 V+ 或 V-。SCR 结构设计用于在高于 V+（引脚 8）一个 +VBE 二极管阈值或低于 V-（引脚 4）一个 -VBE 二极管阈值的阈值下快速触发

1+
￥16.6
10+
￥16.26
30+
￥16.03

有货

立即购买

型号：SP721APP 编号：C5373324

封装：PDIP-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

是用于静电放电 (ESD) 和过压保护的 SCR/二极管双极结构阵列，可保护敏感输入电路。每个输入有 2 个保护 SCR/二极管器件结构，共有 6 个可用输入，可保护多达 6 条外部信号或总线线路。过压保护范围是从 IN（引脚 1-3 和引脚 5-7）到 V+ 或 V-。SCR 结构设计用于在高于 V+（引脚 8）一个 +VBE 二极管阈值或低于 V-（引脚 4）一个 -VBE 二极管阈值的阈值下快速触发

数据手册

1+
￥18.69
10+
￥16.22
50+
￥14.68

有货

立即购买

型号：HE721C1200 编号：C1519209

封装：DIP,19.1x7.2mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款采用DIN封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。

数据手册

1+
￥28.34
10+
￥24.28
30+
￥21.87

有货

立即购买

型号：SMBJ11CA 编号：C374026

封装：DO-214AA

品牌：Littelfuse(美国力特)

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供用于浪涌和静电放电 (ESD) 保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA (SMB) 尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供 5 V 至 495 V 的工作峰值反向电压选择，击穿电压高达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

数据手册

1+
￥0.452
50+
￥0.43392
1000+
￥0.41584

我要订货

型号：SP4023-01FTG 编号：C720049

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4023系列分别将低电容转向二极管与一个或两个雪崩击穿二极管集成，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达12A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

数据手册

1+
￥0.8955
10+
￥0.8776
30+
￥0.8657

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示