力特ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SLD8S33A 编号：C434725

封装：SMTO-263

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列瞬态电压抑制（TVS）二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它专为保护敏感电子设备而设计，可抵御雷电和感性负载开关电压瞬变事件，适用于严苛的汽车负载突降应用。

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型号：SM05-02HTG 编号：C116520

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SM系列瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。SM系列能够承受超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的反复ESD冲击，且性能不会下降。它能以极低的钳位电压安全泄放高达24A的8/20µs感应浪涌电流（符合IEC 61000 - 4 - 5第二版标准）。

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型号：AQ4020-01FTG 编号：C1975165

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4020 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版标准（tp = 8/20μs）安全吸收高达 30A 的电流，且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，最小静电放电能力为 ±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口以及其他高速数据接口。

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型号：V85MLA1210NH 编号：C2655545

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：SP4024-01FTG-C 编号：C316006

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4024系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达7A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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型号：AQ3118-01ETG 编号：C1974967

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ3118包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制（TVS）二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高达IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的反复ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置可为数据线提供对称的ESD保护。

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型号：SP4203-01FTG-C 编号：C3705092

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4203集成了低电容二极管，可为电子设备提供保护，防止其受到破坏性静电放电（ESD）的影响。这些坚固的瞬态电压抑制器（TVS）能够承受±30 kV的重复接触或空气ESD放电事件，且性能不会下降。这超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD接触和空气放电测试要求。此外，该TVS能够承受IEC 61000 - 4 - 5第二版中定义的高达10A的8/20浪涌电流事件，同时仍能提供低电压钳位水平。

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型号：RF3077-000 编号：C5342264

封装：DFN-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SESD系列超低电容二极管阵列可为高速串行接口提供保持信号完整性的单向ESD保护。丰富的封装选项，包括标准的1004 DFN 2.5 mmx1.0 mm布局、节省电路板空间的0802 DFN和1103 DFN，可最大程度降低走线布局复杂度，并节省大量PCB空间。0402 DFN可为PCB布局提供最大的灵活性。该系列的接触式ESD保护能力超过20 kV（IEC 61000 - 4 - 2），同时保持极低的泄漏电流和动态电阻，并提供多种流行的封装形式。SESD系列为信号完整性和易用性设定了更高的标准。

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型号：SP3222-02ETG 编号：C1979164

封装：SOD-883

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成2通道低电容二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而不会出现性能下降。低负载电容使其非常适合保护高速数据线，如DVI、USB2.0、USB3.0和eSATA。

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型号：V14MLA0805NH 编号：C2655725

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：SP0506BAATG 编号：C207265

封装：MSOP-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

该表面贴装阵列系列可抑制静电放电（ESD）和其他瞬态过电压事件。这些元件用于满足国际电气兼容性（IEC 瞬态抗扰度标准 IEC 61000 - 4 - 2 静电放电要求），可帮助保护数据、信号或控制线路上的敏感数字或模拟输入电路，其电压高达 5VDC。这些单片硅阵列由专为瞬态电压抑制（TVS）设计的特殊结构组成。这些结构的尺寸和形状经过专门设计，以实现瞬态保护。与压敏电阻（MOV）相比，该二极管阵列具有更低的钳位电压和更低的关态电容。

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型号：P6SMB27A 编号：C130399

封装：DO-214AA

品牌：Littelfuse(美国力特)

TVS瞬态抑制二极管

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型号：V5.5MLA0603NHAUTO 编号：C2655760

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。较宽的工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装。与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。与齐纳二极管相比，可在更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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型号：SM15-02HTG 编号：C1975435

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SM系列瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。

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型号：SP3004-04XTG 编号：C207280

封装：SOT-563

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3004 采用专有硅雪崩技术制造了超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，用于保护每个 I/O 引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够在 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准规定的最高级别（4 级）下安全吸收反复的 ESD 冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护 HDMI、DVI、USB2 等高速信号引脚的理想选择

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型号：SMBJ7.5CA 编号：C374028

封装：DO-214AA

品牌：Littelfuse(美国力特)

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供用于浪涌和静电放电 (ESD) 保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA (SMB) 尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供 5 V 至 495 V 的工作峰值反向电压选择，击穿电压高达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：SP3118-01ETG 编号：C1974784

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3118采用专有的硅雪崩技术制造了背对背瞬态电压抑制（TVS）二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些坚固的二极管能够安全地吸收高达IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的反复ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置提供对称的ESD保护。

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型号：SP1004U-ULC-04UTG 编号：C1975518

封装：DFN-10(1x2.5)

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款超低电容二极管阵列系列为高速串行接口提供了能保持信号完整性的单向静电放电（ESD）保护。SOD 883 和标准 2.4 mm×1.0 mm 封装选项可显著节省 PCB 布局空间，并降低走线布局复杂度。该元件在提供 20 kV 的空气和接触式 ESD 保护（IEC 61000 - 4 - 2）的同时，还能保持极低的漏电流和低动态电阻。由于其低关态电容，该系列与高速接口兼容，从而能保持高带宽信号的完整性。

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型号：SM36-02HTG 编号：C1847664

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SM系列瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。

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型号：SP3420-04UTG 编号：C5900232

封装：UDFN-10(1x2.5)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3420包含四个通道的超低电容、高等级ESD保护二极管，用于保护USB 3.1、DisplayPort、Thunderbolt和e-SATA等高数据速率接口。其典型电容为0.32pF，有助于确保信号完整性。该坚固的器件能够安全吸收IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高等级（4级，±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，性能不会下降，还能安全泄放6A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5第2版）。

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型号：V18MLA0805NH 编号：C179034

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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￥1.1052
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￥0.8774
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型号：AQ4024-01FTG-C 编号：C1975477

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，分别用于单向或双向保护，以防止ESD和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据IEC 61000-4-5第2版（tp = 8/20μs）安全吸收高达7A的电流而性能不会下降，并且根据IEC 61000-4-2国际标准，最低可承受±30kV的ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护电信端口，如xDSL和其他高压、高速传统接口。

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￥1.7024
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￥1.3281
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￥1.1678

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型号：SP1305-02HTG 编号：C1974930

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1305 TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击浪涌造成的损坏。SP1305能够承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平的反复ESD冲击，且性能不会下降，还能以极低的钳位电压安全耗散高达5A的8/20μs感应浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5，第2版）。

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￥2.1995
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￥1.7325
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￥1.5323
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型号：SP3530-01ETG 编号：C1974595

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款SP3530单向二极管采用专有的硅雪崩技术制造。它能为可能遭受静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这款耐用的元件能够安全地承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

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￥0.4108
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￥0.4024
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￥0.3967
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￥0.3911

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型号：AQ3522-01LTG 编号：C1236024

封装：SOD-523

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ3522集成了超低电容二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的组件能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

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￥0.4921
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￥0.4753

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型号：SP3213-01UTG 编号：C3712066

封装：DFN0603-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

双向 TVS 二极管，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供超低电容和高级别的保护。典型电容为 0.09pF，有助于确保最具挑战性的消费电子接口（如 USB 3.2、3.1、HDMI 2.1、2.0、DisplayPort、Thunderbolt 和 v-by-One）的信号完整性。可安全吸收 ±12kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的重复 ESD 冲击，性能不会下降，并能安全耗散 2A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5 第 2 版）。

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￥0.7835

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型号：V5.5MLA0402NR 编号：C126844

封装：0402

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，设计用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围，适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无引线表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件占用的空间小得多。

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￥1.97
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型号：LOC110S 编号：C2760150

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse(美国力特)

单线性光耦合器具有一个红外LED，与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈（输入）光电二极管用于生成控制信号，为LED驱动电流提供伺服机制，从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个（输出）光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。

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￥24.53
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型号：SP1326-01LTG 编号：C1975601

封装：SOD-523

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1326背对背二极管采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供了高等级的ESD（静电放电）保护。SP1326 TVS能够安全吸收±30 kV（接触和空气放电，符合IEC 61000 - 4 - 2标准）的反复ESD冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下安全耗散4A的8/20μs浪涌电流（符合IEC 61000 - 4 - 5第二版标准）。

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￥0.3647
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型号：SP1026-01UTG 编号：C316002

封装：UDFN

品牌：Littelfuse(美国力特)

背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高静电放电（ESD）保护水平。TVS 可安全吸收 ±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的重复静电放电冲击，而不会降低性能。此外，每个二极管都可以在极低的钳位电压下安全耗散 5A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5）。

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