力特ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXTA96P085T-TRL 编号：C6280784

封装：TO-263AA

品牌：Littelfuse(美国力特)

特性：国际标准封装。雪崩额定。扩展正向偏置安全工作区（FBSOA）。快速本征二极管。低导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（QG）。易于安装。应用：高端开关。推挽放大器

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￥39.27
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￥34.15
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￥31.03
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￥28.41

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型号：SP3011-06UTG 编号：C207281

封装：UDFN-14(1.4x3.5)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3011集成了六路超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的USB 3.0端口提供保护。该高密度阵列能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8 kV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容使其非常适合保护任何高速信号引脚。

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￥2.64
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￥2.07
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￥1.83
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￥1.52
500+
￥1.29
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￥1.21

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型号：SP1001-05XTG 编号：C207269

封装：SOT-563

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大电平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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￥1.247
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￥0.99
150+
￥0.8798
500+
￥0.7424
3000+
￥0.6812

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型号：V33MLA1206NH 编号：C187727

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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￥1.4021
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￥1.1173
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￥0.9953
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￥0.843

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型号：SP3010-04UTG 编号：C126837

封装：UFDFN-10(1x2.5)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3010集成了4通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的器件能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8KV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

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￥2.0012
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￥1.6059
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￥1.4365
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￥1.2251
3000+
￥1.0761

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型号：SP720ABTG 编号：C434726

封装：SOIC-16

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP720是一个由SCR/二极管双极结构组成的阵列，用于为敏感输入电路提供ESD和过压保护。每个输入有2个SCR/二极管保护器件结构。总共14个可用输入可用于保护多达14条外部信号或总线线路。过压保护从IN（引脚1 - 7和9 - 15）到V+或V-。SCR结构设计为在高于V+（引脚16）一个+VBE二极管阈值或低于V-（引脚8）一个-VBE二极管阈值的阈值下快速触发。从IN输入来看，如果瞬态脉冲使输入电压升高到比V+高一个VBE的电压电平，则激活到V+的钳位。如果向IN输入施加一个比V-低一个VBE的负脉冲，则激活到V-的类似钳位。标准ESD人体模型（HBM）能力为：

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￥13.6
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￥11.69
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￥10.49
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￥9.26
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￥8.71
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￥8.47

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型号：SP4022-01FTG-C 编号：C720050

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4022系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件每IEC 61000 - 4 - 5第二版（tp = 8/20μs）可安全吸收高达15A的电流，性能不会下降，且每IEC61000 - 4 - 2国际标准可承受最小±30kV的ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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￥0.9412
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￥0.7735
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￥0.6897
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￥0.6269
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￥0.5766

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型号：SP1001-05JTG 编号：C207268

封装：SOT-363-6(SC-70)

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大电平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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￥1.5968
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￥1.2717
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￥1.1324
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￥0.9586

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型号：SP3003-04JTG 编号：C316003

封装：SC-70-6

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003具备超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，采用专有硅雪崩技术制造，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级，±8 KV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

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10+
￥1.6426
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￥1.2979
300+
￥1.1501

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型号：V56MLA1206NH 编号：C187750

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.9848
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￥1.5518
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￥1.3662
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型号：SP3304NUTG 编号：C207285

封装：DFN-10-EP(2.6x2.6)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3304N集成了4通道低电容二极管和一个额外的齐纳二极管，用于保护敏感的I/O引脚免受雷击浪涌事件和静电放电（ESD）的影响。这款坚固的器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第2版标准安全吸收高达20A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时依据IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最小ESD防护能力为±30kV。低负载电容使SP3304N非常适合保护高速信号引脚。

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￥2.67
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￥2.13
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￥1.89
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￥1.6
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￥1.47
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￥1.39

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型号：LC03-3.3BTG 编号：C315938

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款 LC03 - 3.3 系列产品可为诸如 10/100/1000 BaseT 以太网和 T3/E3 接口等应用提供过压保护。这款新型保护器将 TVS 二极管元件与二极管整流桥相结合，在一个封装内同时提供纵向和差分保护。

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￥9.41
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￥8.12
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￥7.41
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￥6.61
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￥6.26
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￥6.1

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型号：AQ3045-01ETG 编号：C3710326

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背 TVS 二极管，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。这些坚固的二极管可以安全地吸收高达 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最大水平（±30kV 接触放电）的重复 ESD 冲击，而不会降低性能。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的 ESD 保护，低负载电容使其非常适合保护高速数据线，如 HDMI、USB2.0、USB3.0 和 eSATA。

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￥1.0981
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￥0.8637
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￥0.7633
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￥0.638
2500+
￥0.5822
5000+
￥0.5487

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型号：AQ4021-01FTG-C 编号：C708873

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4021 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，用于单向或双向保护，以抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版标准安全吸收高达 25A 的浪涌电流（脉冲宽度 tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，具备最低 ±30kV 的 ESD 防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

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5+
￥1.2536
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￥1.0479
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￥0.9598
500+
￥0.8498

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型号：SP0504SHTG 编号：C207264

封装：SOT-23-6

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP0504S采用专有硅雪崩技术制造，配备超低电容的轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394。

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5+
￥1.4025
50+
￥1.1176
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￥0.9956
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￥0.8433

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型号：V30MLA0603NH 编号：C2655583

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.4364
50+
￥1.1576
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￥1.0382
500+
￥0.8891

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型号：V42MLA1206NH 编号：C2655421

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

5+
￥1.5608
50+
￥1.2191
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￥1.0727
500+
￥0.8899

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型号：SP3002-04JTG 编号：C84558

封装：SOT-363-6(SC-70)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3002采用专有的硅雪崩技术制造，配备超低电容的轨到轨二极管和额外的齐纳二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够在IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级）下安全承受反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

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5+
￥1.6322
50+
￥1.3172
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￥1.1823
500+
￥1.0139

有货

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型号：AQ4020-01FTG-C 编号：C1973788

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4020 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版标准（tp = 8/20μs）安全吸收高达 30A 的电流，且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，最小静电放电能力为 ±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口以及其他高速数据接口。

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5+
￥1.6822
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￥1.3438
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￥1.1987
500+
￥1.0177

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型号：V5.5MLA0805NH 编号：C187747

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.6847
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￥1.343
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￥1.1965
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￥1.0138

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型号：SLVU2.8-4BTG 编号：C2763559

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLVU2.8 - 4 旨在保护低电压 CMOS 器件免受静电放电 (ESD) 和雷电感应瞬变的影响。每个低电压瞬态电压抑制器 (TVS) 都串联一个补偿二极管，为被保护线路呈现低负载电容。这些坚固的结构能够按照 IEC 61000 - 4 - 2 标准安全吸收 ±30kV（接触放电）的反复 ESD 冲击，并且每个结构都能在极低的钳位电压下安全耗散高达 40A（IEC 61000 - 4 - 5 第二版，tp = 8/20μs）的电流。

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1+
￥6.81
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￥5.63
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￥4.98
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￥4.24
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￥3.68
1000+
￥3.53

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型号：5.0SMDJ30A 编号：C2763589

封装：DO-214AB

品牌：Littelfuse(美国力特)

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发功率密度越来越高的电路保护元件。瞬态电压抑制二极管用于浪涌和静电放电保护应用，采用紧凑型芯片封装DO 214AB（SMC）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至170 V的选择，击穿电压最高可达209 V

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1+
￥7.95
10+
￥6.51
30+
￥5.72
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￥4.82
500+
￥4.42

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型号：SP4023-01FTG-C 编号：C720048

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4023系列分别将低电容转向二极管与一个或两个雪崩击穿二极管集成，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达12A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

数据手册

5+
￥1.2658
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￥1.0087
150+
￥0.8985
500+
￥0.7611

有货

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型号：SM24-02HTG 编号：C1847668

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SM系列瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。

数据手册

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￥0.506394 ￥0.8038
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￥0.375717 ￥0.7089
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￥0.287326 ￥0.6682
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￥0.265525 ￥0.6175
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￥0.255807 ￥0.5949
6000+
￥0.249959 ￥0.5813

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型号：AQ24CANA-02HTG 编号：C1974430

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ24CANA TVS二极管阵列旨在保护汽车控制器局域网（CAN）线路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和其他过电压瞬变造成的损坏。AQ24CANA能够承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平的反复ESD冲击，且性能不会下降，并能以极低的钳位电压安全耗散5A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5第二版）。

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5+
￥0.8349
50+
￥0.6719
150+
￥0.5903
500+
￥0.5292
3000+
￥0.4803

有货

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型号：AQ1003-01ETG 编号：C3704945

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

该TVS二极管采用专有的硅雪崩技术制造，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备的每个I/O引脚提供高级别的保护。这些坚固的TVS二极管可以安全地吸收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的重复ESD冲击，而不会出现性能下降。此外，TVS二极管可以在极低的钳位电压下安全地耗散7A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000-4-5第二版）。

5+
￥0.8474
50+
￥0.6818
150+
￥0.599
500+
￥0.5369
2500+
￥0.4872
5000+
￥0.4624

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型号：SP1001-04JTG 编号：C207267

封装：SC-70-5

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大电平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

数据手册

5+
￥1.1415
50+
￥0.9097
150+
￥0.8103
500+
￥0.6864

有货

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型号：SP1233-01ETG 编号：C1974681

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1233采用专有的硅雪崩技术制造的瞬态电压抑制（TVS）二极管，可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收±30kV（接触放电，符合IEC61000 - 4 - 2标准）的反复ESD冲击，且性能不会下降。此外，SP1233可提供高达20A的8/20浪涌额定值，且钳位电压较低。

数据手册

5+
￥1.2221
50+
￥0.9829
150+
￥0.8804
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￥0.7525
2500+
￥0.6956
5000+
￥0.6614

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型号：SP3003-04ATG 编号：C207279

封装：MSOP-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003采用专有的硅雪崩技术制造，具备超低电容的轨到轨二极管和一个额外的保护二极管，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大级别重复ESD冲击（4级，±8 kV接触放电和±75 kV空气放电），且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚（如HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394）的理想选择。

数据手册

5+
￥1.334705 ￥1.6895
50+
￥1.0281 ￥1.49
150+
￥0.828655 ￥1.4045
500+
￥0.765702 ￥1.2978
2500+
￥0.737677 ￥1.2503
4000+
￥0.720862 ￥1.2218

有货

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型号：V14MLA1206NH 编号：C2655569

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.824
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￥1.448
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