力特ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-882

AQ1205-01ETG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高水平的ESD（静电放电）保护。AQ1205-01ETG TVS可以安全地吸收重复的±30 kV ESD冲击（接触放电和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准），而不会出现任何性能下降。此外，它还可以安全地耗散7A 8/20us浪涌事件（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

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型号：SP1011-04UTG 编号：C1975078

封装：UDFN-6(1x1.3)

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的雪崩击穿二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为高速信号引脚保护的理想选择。

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型号：SRDA05-4BTG 编号：C1973111

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SRDA05集成了低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，以保护I/O引脚免受ESD和雷电感应浪涌事件的影响。该耐用设备可根据IEC61000-4-5标准（脉冲宽度tp = 8/20μs）安全吸收高达30A的电流，且性能不会下降，同时符合IEC61000-4-2国际标准，具有至少±30kV的ESD防护能力。其低负载电容使其非常适合用于高速接口保护。

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型号：V42MLA1206NHAUTO 编号：C2655692

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。较宽的工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装。与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。与齐纳二极管相比，可在更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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型号：V48MLA1210NH 编号：C2760142

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件占用的空间小得多。

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型号：SP7538PUTG 编号：C1976609

封装：UDFN-9(3.8x1)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP7538P集成了8通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的器件能够安全吸收超过国际标准IEC 61000 - 4 - 2规定的最大电平（±8kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0、IEEE 1394。

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型号：SP3374NUTG 编号：C1973296

封装：DFN3020-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3374NUTG是一款低电容TVS二极管阵列，旨在为高速差分数据线提供针对ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）、EFT（电快速瞬变）和雷电感应浪涌的保护。它采用μDFN封装（3.0 × 2.0mm），每个器件最多可保护4个通道或2个差分对，可承受高达40A（IEC 61000 - 4 - 5第2版）的浪涌电流和高达30kV的ESD（IEC 61000 - 4 - 2）。“直连式”设计可最大程度减少信号失真、降低电压过冲，并简化PCB设计。SP3374NUTG具有低电容和低钳位电压的特性，非常适合用于高速数据接口，如笔记本电脑、交换机等设备中的1GbE应用。

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型号：FDA215S 编号：C5373318

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse(美国力特)

FDA215 是一款双光伏 MOSFET 驱动器，它采用一对光耦合 LED 来驱动两个光电二极管阵列。当向 LED 施加输入电流时，发出的光会激活光电二极管阵列，并在输出端产生电压。光电二极管阵列能够产生足以驱动高功率 MOSFET 晶体管的浮动源电压和电流

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型号：HE722A2410 编号：C1524824

封装：DIP,7.2x19.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款采用DIN封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。

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￥35.95
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型号：SLD6S26A 编号：C1517898

封装：SMTO-263

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD6S单向TVS二极管系列采用引脚改进型SMTO263封装。该系列产品旨在保护敏感电子设备，使其免受ESD、EFT、10/1000浪涌事件以及用于严苛汽车负载突降应用的感性负载开关电压瞬变事件的影响。

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￥42.67
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￥37.02
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￥33.58

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型号：V42MLA1206H 编号：C187738

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：HE721C0510 编号：C142934

封装：DIP,7.2x19.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款DIL封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。它提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。

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￥41.74
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型号：HE721C1210 编号：C27044

封装：DIP,19.1x7.2mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

HE700是一款采用DIL封装的微型干簧继电器，提供常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。该继电器有5V、12V和24V线圈可选，并带有二极管抑制功能，还可选择配备磁屏蔽。

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型号：SP1002-02JTG 编号：C1973167

封装：SC-70-5

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的背对背齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够在IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大级别（4级，±8 KV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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￥1.5771
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型号：V18AUMLA1210NH 编号：C179031

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

多层瞬态浪涌抑制器专为抑制汽车中破坏性的瞬态电压而设计。最常见的瞬态情况由大电感能量放电引起。汽车中的电子系统，如防抱死制动系统、直接点火系统、发动机控制、安全气囊控制系统、雨刮电机控制等，容易受到这些电压瞬变的损害，因此需要保护。AUML瞬态抑制器具有与温度无关的抑制特性，可在 -55℃ 至 125℃ 范围内提供保护。该抑制器由半导体陶瓷制成，在小封装中提供坚固的保护和出色的瞬态能量吸收能力。这些器件采用陶瓷无引脚芯片形式，消除了引脚电感，确保对瞬态浪涌的快速响应速度。与硅 TVS 二极管相比，这些抑制器所需的空间和焊盘明显更小，为设计人员提供了更大的电路板布局灵活性。

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￥4.33
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￥3.5
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￥3.09
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￥2.3

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型号：SP1006-01UTG 编号：C1665891

封装：UDFN-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地承受±30kV（接触放电，IEC 81000 - 4 - 2）的反复ESD冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下，安全地消散5A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5，第2版）

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型号：SP4022-01FTG 编号：C1974804

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4022系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件每IEC 61000 - 4 - 5第二版（tp = 8/20μs）可安全吸收高达15A的电流，性能不会下降，且每IEC61000 - 4 - 2国际标准可承受最小±30kV的ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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￥0.762
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￥0.74295
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￥0.71755

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型号：SP3003-02XTG 编号：C207278

封装：SOT-553

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003具备超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，采用专有硅雪崩技术制造，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8 KV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

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￥13.0086
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￥10.915661
500+
￥9.065549
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￥7.631712

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型号：LOC110 编号：C5440420

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

单线性光耦合器具有一个红外LED，与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈（输入）光电二极管用于生成控制信号，为LED驱动电流提供伺服机制，从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个（输出）光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。

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￥21.79
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￥18.97
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￥17.29
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￥15.6
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￥14.81
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型号：SP720APP 编号：C5342243

封装：PDIP-16

品牌：Littelfuse(美国力特)

是用于静电放电和过压保护的SCR/二极管双极结构阵列，可保护敏感输入电路。每个输入有2个保护SCR/二极管器件结构，共有14个可用输入，可保护多达14条外部信号或总线线路。过压保护从IN（引脚1-7和9-15）到V+或V-。SCR结构设计为在高于V+（引脚16）一个+VBE二极管阈值或低于V-（引脚8）一个-VBE二极管阈值的阈值下快速触发。如果瞬态脉冲使输入电压升高到比V+高一个VBE的电压水平，则会激活到V+的钳位；如果向IN输入施加比V-低一个VBE的负脉冲，则会激活到V-的类似钳位。标准静电放电人体模型（HBM）能力如下。

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￥22.15
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￥19.23
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￥17.5
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￥15.74
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￥14.93
1000+
￥14.57

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型号：V26MLA0805NHAUTO 编号：C3262487

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常应用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使该系列适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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￥0.3819
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￥0.3036
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￥0.2645
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￥0.2351

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型号：1.5SMC6.8A 编号：C116952

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬变二极管1.5SMC6.8A/UNIDO-214AB/SMC

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单价：
￥0.98394 / 个

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型号：SP1333-01UTG 编号：C3704931

封装：DFN0603-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1333背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供了高等级的ESD（静电放电）保护。SP1333 TVS能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8KV接触放电）规定的最大接触放电水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置为数据线提供对称的ESD保护。此外，SP1333可提供高达5A的8/20浪涌额定值，且钳位电压低。

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￥3.37
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￥2.68
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￥2.39
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￥2.02
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￥1.86
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￥1.76

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型号：SP1008-01WTG 编号：C207273

封装：0201

品牌：Littelfuse(美国力特)

VRWM=6V VC=12V IPP=2A TVS二极管阵列

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￥0.59325
50+
￥0.56952
1000+
￥0.54579

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型号：AQ3102-02HTG 编号：C3704297

封装：SOT-23-3L

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成2通道低电容转向二极管和一个额外的齐纳二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的汽车电子设备提供保护。可以安全地吸收高于IEC 61000-4-2国际标准（4级，2kV接触放电）规定的最大接触水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。低关态电容使其非常适合保护高速信号线，如USB2.0或USB 3.0和1Gb以太网，具有极低的动态电阻，可保护最敏感的先进芯片组免受ESD瞬变影响。

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￥5.13
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￥4.2
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￥3.73
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￥3.27
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￥3
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￥2.85

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型号：SP3312TUTG 编号：C720052

封装：DFN-8L(1x2)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3312T集成了4通道（2个差分对）低电容二极管，用于保护敏感的I/O引脚免受雷击浪涌事件和ESD的影响。这款坚固的器件可根据IEC61000 - 4 - 5标准（tp = 8/20μs）安全吸收高达15A的电流，且性能不会下降，同时符合IEC61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。低负载电容使SP3312T非常适合保护高速信号引脚。

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50+
￥10.813401
200+
￥9.073644
500+
￥7.535739
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￥6.343862

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型号：SLD8S26A 编号：C720172

封装：SMTO-263

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列瞬态电压抑制（TVS）二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它专为保护敏感电子设备而设计，可抵御雷电和感性负载开关电压瞬变事件，适用于严苛的汽车负载突降应用。

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￥18.9275
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￥16.1025
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￥10.4525
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￥8.53376
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￥7.84672

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型号：SP1312-01WTG 编号：C1978688

封装：01005

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1312双向瞬态电压抑制器（TVS）采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供了高等级的静电放电（ESD）保护。SP1312 TVS能够安全地吸收±24 kV的反复ESD冲击（符合IEC 61000 - 4 - 2标准中定义的接触放电和空气放电），且性能不会下降。此外，每个TVS都能安全地消散符合IEC 61000 - 4 - 5第二版标准定义的3A 8/20浪涌事件。

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单价：
￥0.32798 / 个

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型号：AQ4022-01FTG 编号：C468894

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4022系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可防护ESD和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版（tp = 8/20μs）安全吸收高达15A的电流，且性能不会下降，同时根据IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最低ESD防护能力为±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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5+
￥0.9294
50+
￥0.911
150+
￥0.8987
500+
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型号：SP0402U-ULC-02ETG 编号：C3706990

封装：DFN1006-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款超低电容二极管阵列系列为高速串行接口提供保持信号完整性的单向 ESD 保护。SOD 883 和标准 2.4 mm×1.0 mm 封装选项可显著节省 PCB 布局空间并降低走线布局复杂度。该元件可提供 20 kV 的空气和接触式 ESD 保护（IEC 61000 - 4 - 2），同时保持极低的漏电流和低动态电阻。由于其关态电容低，该系列与高速接口兼容，从而保持高带宽信号完整性。

单价：
￥0.64538 / 个

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