力特ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SP1103C-01UTG 编号：C1976607

封装：DFN1610-2

SP1103C采用专利硅雪崩技术制造的瞬态电压抑制（TVS）二极管，对每个I/O引脚进行保护，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的防护。这些耐用的二极管能够安全地吸收±30kV（接触放电，符合IEC 61000 - 4 - 2标准）的重复ESD冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下，安全地耗散80A的8/20ms浪涌电流（符合IEC 61000 - 4 - 5第二版标准）。

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型号：SM12-02HTG 编号：C133185

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SM系列瞬态电压抑制二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击浪涌的损害。SM系列能够承受超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平的反复ESD冲击，且性能不会下降，并能以极低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5，第2版）。

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型号：AQ15-02HTG 编号：C1976961

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

A0x-02H TG系列TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。该AO×X系列能够安全吸收±30 kV的重复性ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准规定的接触放电和空气放电），且性能不会下降。此外，AQ05能够在低电压钳位水平下，安全传导符合IEC 61000-4-5第二版标准规定的33A 8/20浪涌电流。

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型号：AQ36-02HTG 编号：C1977430

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

A0x-02H TG系列TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。该AO×X系列能够安全吸收±30 kV的重复性ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准规定的接触放电和空气放电），且性能不会下降。此外，AQ05能够在低电压钳位水平下，安全传导符合IEC 61000-4-5第二版标准规定的33A 8/20浪涌电流。

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型号：SP4044-04ATG 编号：C1975848

封装：MSOP-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4044将低电容二极管与额外的齐纳二极管集成在一起，以保护每个I/O引脚免受静电放电（ESD）和高浪涌事件的影响。这款坚固的器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达24A的电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），性能不会下降，并且按照IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最小静电放电抗扰度为±30kV。其低负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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型号：V3.5MLA0603NH 编号：C2655533

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：103JG1F 编号：C5346112

封装：DO-35

品牌：Littelfuse(美国力特)

Littelfuse低成本玻璃封装热敏电阻采用超稳定芯片制造，这些芯片被密封在玻璃（DO 35二极管样式）封装中。这样制成的器件即使在恶劣的环境或热条件下，也能展现出出色的长期可靠性和稳定性。它们尺寸统一，采用轴向引脚配置，特别适合与自动插装设备配合使用

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型号：SLD8S18A 编号：C3705315

封装：SMTO-263

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列TVS二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它旨在保护敏感电子设备，使其免受雷电和感性负载开关电压瞬变事件的影响，适用于严苛的汽车负载突降应用。

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型号：SP723ABG 编号：C2760754

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP723是一个由可控硅整流器（SCR）/二极管双极结构组成的阵列，用于对敏感输入电路进行静电放电（ESD）和过压保护。每个输入配备2个SCR/二极管保护器件结构。共有6个可用输入，最多可用于保护6条外部信号线或总线

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型号：HE3621A0510 编号：C1519207

封装：SIP,19.1x5.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款UL封装的微型干簧继电器，具有常开触点，能够在10W功率下切换高达200Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈，并有外部磁屏蔽和二极管抑制线圈等选项。

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型号：V18MLA1210NH 编号：C2655806

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：SP3031-01ETG 编号：C207283

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

VRWM=5V VC=7.5V IPP=2A TVS二极管阵列

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型号：V5.5MLA0805LNH 编号：C2655726

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：SP3422-04UTG 编号：C1974549

封装：DFN-5(0.6x1)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3422集成了4通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的元件能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V-by-One、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

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型号：103JG1K 编号：C5342233

封装：DO-35

品牌：Littelfuse(美国力特)

玻璃封装热敏电阻采用超稳定芯片制造，密封在玻璃（DO-35二极管样式）封装中。即使在恶劣的环境或热条件下，也具有出色的长期可靠性和稳定性。其尺寸均匀且轴向引线配置，特别适合与自动插入设备配合使用。

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型号：V9MLA0805LNH 编号：C3260701

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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￥6.78
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￥4.95
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￥4.21

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型号：SP3025-04HTG 编号：C5346089

封装：SOT-23-6L

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3025-04HTG是一款低电容TVS二极管阵列，旨在为高速差分数据线提供针对ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）、EFT（电快速瞬变）和雷电感应浪涌的保护。它采用SOT23 - 6L封装，每个器件最多可保护4个通道，可承受高达30A（IEC 61000 - 4 - 5第2版）的电流和高达±30kV的ESD（IEC 61000 - 4 - 2）。SP3025-04HTG具有低电容和低钳位电压的特性，使其非常适合用于高速数据接口，如笔记本电脑、交换机等设备中的1GbE应用。

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￥7.29
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￥6.01
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￥5.38

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型号：SC1115-01UTG 编号：C3700113

封装：DFN-2(1x1.6)

品牌：Littelfuse(美国力特)

雪崩击穿二极管采用专有的硅雪崩技术制造，可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管可以安全地承受±30kV（接触和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准）的反复ESD冲击，而不会出现性能下降。此外，每个二极管可以在极低的钳位电压下安全耗散80A（SC1105）的8/20μs浪涌电流（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

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￥0.8208
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￥0.8014
150+
￥0.7885

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型号：V30MLA0805LNH 编号：C2655525

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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￥1.0062
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￥0.7956
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￥0.7054
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型号：AQ1210-01ETG 编号：C3712221

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ1210-01ETG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高水平的ESD（静电放电）保护。AQ1210-01ETG TVS可以安全吸收重复的±30 kV ESD（接触放电和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准），而不会出现性能下降。此外，每个TVS可以安全耗散15A 8/20us浪涌事件（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

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￥2.191
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￥1.7275
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￥1.5289

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型号：SP0544TUTG 编号：C80234

封装：UDFN-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP0544T集成了4通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的器件能够安全吸收超过IEC61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

1+
￥2.47
10+
￥2.42
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￥2.39

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型号：AQ4021-01FTG 编号：C1976053

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4021 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，用于单向或双向保护，以抵御 ESD 和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第 2 版标准（tp = 8/20μs）安全吸收高达 25A 的电流，且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，最低可承受 ±30kV 的 ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

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￥3.78
10+
￥3.05
30+
￥2.69

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型号：IXTQ69N30P 编号：C27756225

封装：TO-3P

品牌：Littelfuse(美国力特)

特性：国际标准封装。快速本征二极管。雪崩额定。低导通电阻和栅极电荷。低封装电感。高功率密度。应用：DC-DC转换器。电池充电器

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￥76
10+
￥75.6
30+
￥75.34

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型号：IXTX40P50P 编号：C5773480

封装：-

品牌：Littelfuse(美国力特)

特性：国际标准封装。坚固的PolarPTM工艺。雪崩额定。快速本征二极管。低封装电感。易于安装。应用：高端开关。推挽放大器

1+
￥176.24
10+
￥172.01

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型号：SP4021-01FTG 编号：C316004

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4021 系列组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。根据 IEC 61000 - 4 - 5 标准（脉冲宽度 tp = 8/20μs），这些器件能够安全吸收高达 25A 的浪涌电流而性能不下降，并且符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，具备最低 ±30kV 的 ESD 防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等通信端口以及其他高速数据接口。

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10+
￥0.760955
3000+
￥0.6118

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型号：V12MLA0805LNH 编号：C2655532

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.8912
50+
￥1.4976
150+
￥1.3289
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￥1.1184
2500+
￥1.0247
5000+
￥0.9685

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型号：V18MLA0603NHAUTO 编号：C3262702

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常应用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使该系列适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

5+
￥2.2687
50+
￥1.8336
150+
￥1.6471

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型号：V30MLA0603NHAUTO 编号：C3263832

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常应用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使该系列适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

1+
￥2.78
10+
￥2.21
30+
￥1.97

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型号：V14MLA0805LNHAUTO 编号：C2655589

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。较宽的工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装。与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。与齐纳二极管相比，可在更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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1+
￥2.98
10+
￥2.34
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￥2.06

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型号：V26MLA0603NH 编号：C2655584

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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