力特ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

SM712 TVS二极管阵列旨在保护具有非对称工作电压（-7V至12V）的RS - 485应用免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。SM712能够承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大电平的反复ESD冲击，且性能不会下降，还能以极低的钳位电压安全耗散高达19A的8/20μs感应浪涌电流（IEC61000 - 4 - 5第二版）。

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型号：HE3621A1210 编号：C151692

封装：SIP,19.1x5.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是SIL封装的微型干簧继电器，具有常开触点，能够在10W下切换高达200Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈，并有外部磁屏蔽和二极管抑制线圈选项。

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型号：SP0502BAHTG 编号：C207261

封装：SOT-23

品牌：Littelfuse(美国力特)

该表面贴装阵列系列可抑制静电放电（ESD）和其他瞬态过电压事件。这些元件用于满足国际电气兼容性（IEC 瞬态抗扰度标准 IEC 61000 - 4 - 2 静电放电要求），可帮助保护数据、信号或控制线路上的敏感数字或模拟输入电路，其电压高达 5VDC。这些单片硅阵列由专为瞬态电压抑制（TVS）设计的特殊结构组成。这些结构的尺寸和形状经过专门设计，以实现瞬态保护。与压敏电阻（MOV）相比，该二极管阵列具有更低的钳位电压和更低的关态电容。

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型号：SRV05-4HTG-D 编号：C1975211

封装：SOT-23-6

品牌：Littelfuse(美国力特)

SRV05-4HTG-D将低电容轨到轨二极管与一个额外的齐纳二极管集成在一起，以保护每个I/O引脚免受ESD和高浪涌事件的影响。这款坚固的器件可根据IEC 61000-4-5第2版（tP = 8/20μs）安全吸收10A浪涌电流，且性能不会下降，还能根据IEC 61000-4-2承受最小±30kV的ESD。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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型号：SP3522-01ETG 编号：C1976555

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3522集成了超低电容的阴极对阴极硅雪崩二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。该耐用组件能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8 kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

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型号：V5.5MLA0603NH 编号：C118414

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：SP1003-01ETG 编号：C207270

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个 I/O 引脚，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地承受 ±30kV（接触放电，符合 IEC 61000-4-2 标准）的反复 ESD 冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下安全耗散 7A 的 8/20μs 浪涌电流（符合 IEC61000-4-5 标准）。

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型号：V30MLA1210NH 编号：C179069

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：SP4021-01FTG-C 编号：C720051

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4021 系列元件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些元件每 IEC 61000 - 4 - 5 标准（tp = 8/20μs）可安全吸收高达 25A 的浪涌电流而性能不下降，且每 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准可承受最小 ±30kV 的 ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

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型号：SP4020-01FTG 编号：C1972938

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4020 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，用于单向或双向保护，以抵御 ESD 和雷电感应浪涌事件。根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版（tp = 8/20μs），这些器件可安全吸收高达 30A 的电流而性能不下降，并且根据 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，其最小 ESD 为 ±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护电信端口，如以太网和其他高速数据接口。

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型号：SP3003-02JTG 编号：C151302

封装：SC-70-5

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003具备超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，采用专有硅雪崩技术制造，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级，±8 KV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

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型号：V26MLA1206NH 编号：C2655892

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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