HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：3400A 编号：C7431446

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3400A是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3400A符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

20+
￥0.1992
200+
￥0.1533
600+
￥0.1278
3000+
￥0.121
9000+
￥0.1077
21000+
￥0.1006

有货

立即购买

型号：7550 编号：C20071226

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

30V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±2%，固定输出电压 5V

20+
￥0.2203
200+
￥0.1716
1000+
￥0.1414
2000+
￥0.1252
10000+
￥0.1111
20000+
￥0.1036

有货

立即购买

型号：6800B 编号：C7499837

封装：SOT-23-6

品牌：HL(富海微)

6800B采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

10+
￥0.2398
100+
￥0.187
300+
￥0.1606
3000+
￥0.1408
6000+
￥0.125
9000+
￥0.1171

有货

立即购买

型号：4N10L 编号：C42372073

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1～2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):120/156，连续漏极电流ID(A):4A

20+
￥0.2438
200+
￥0.1925
600+
￥0.164

有货

立即购买

型号：30P09L 编号：C42441701

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保器件。出色的Cdv/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。负载开关

10+
￥0.2933
100+
￥0.2309
300+
￥0.1997

有货

立即购买

型号：S12N10 编号：C19100370

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei S12N10是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S12N10符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.4696
50+
￥0.3733
150+
￥0.3252
500+
￥0.2891
2500+
￥0.2502
5000+
￥0.2357

有货

立即购买

型号：20N04 编号：C7543828

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei 20N04是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N04符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.5052
50+
￥0.3996
150+
￥0.3468
500+
￥0.3072
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

有货

立即购买

型号：4435B 编号：C7431441

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4435B是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4435B符合RoHS标准和绿色产品要求。

5+
￥0.5426
50+
￥0.4322
150+
￥0.377
500+
￥0.3356
3000+
￥0.3025
6000+
￥0.2859

有货

立即购买

型号：50N04 编号：C7543827

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei o50N04是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。

5+
￥0.592
50+
￥0.463
150+
￥0.3984
500+
￥0.35
2500+
￥0.2952
5000+
￥0.2758

有货

立即购买

型号：1P15L 编号：C42461027

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保器件。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。负载开关

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
150+
￥0.4556
500+
￥0.4034

有货

立即购买

型号：15P06 编号：C22379655

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

15P06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。15P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
2500+
￥0.3742

有货

立即购买

型号：10N15 编号：C39673595

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 150阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):268-290连续漏极电流ID(A):10A

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174

有货

立即购买

型号：4616 编号：C21882493

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4616是具备极高单元密度的高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4616符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.7506
50+
￥0.5933
150+
￥0.5147
500+
￥0.4557

有货

立即购买

型号：2P15S 编号：C47665721

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-150，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):650/700，连续漏极电流ID(A):-1.6A

5+
￥0.7549
50+
￥0.6013
150+
￥0.5245
500+
￥0.4669
3000+
￥0.4208

有货

立即购买

型号：3020 编号：C21882494

封装：TO-252-4L

品牌：HL(富海微)

3020 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。3020 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%通过环境适应性筛选（EAS），并经过全面功能可靠性认证。

5+
￥0.7951
50+
￥0.6197
150+
￥0.532
500+
￥0.4662

有货

立即购买

型号：4N50 编号：C7499838

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

特性：绿色环保器件。出色的CdV/dt效应抑制能力。 100% EAS保证。先进的VD MOSFET。应用：同步降压转换器

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869
2500+
￥0.4365
5000+
￥0.4113

有货

立即购买

型号：HL4N65R 编号：C50331907

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

平面,N管,Vdss 650V,Id 4A,Rds 2.2Ω,Vth 3.5V,Ciss 518pF

5+
￥0.8493
50+
￥0.6765
150+
￥0.5901
500+
￥0.5253

有货

立即购买

型号：90N04 编号：C53134294

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

沟槽；N沟道；耐压:40V；电流:90A

5+
￥0.8729
50+
￥0.6953
150+
￥0.6065
500+
￥0.5399
2500+
￥0.4866

有货

立即购买

型号：40N10 编号：C42461021

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.9396
50+
￥0.7329
150+
￥0.6444
500+
￥0.5339

有货

立即购买

型号：S65N06F 编号：C19100368

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

5+
￥1.3829
50+
￥1.0955
150+
￥0.9723
500+
￥0.8185
2500+
￥0.7501
5000+
￥0.709

有货

立即购买

型号：80N07T 编号：C42441710

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS保证。提供绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：功率因数校正（PFC）。开关电源（SMPS）

5+
￥1.9946
50+
￥1.5662
150+
￥1.3826
500+
￥1.1535

有货

立即购买

型号：HL12N65RF 编号：C50331953

封装：TO-220F

品牌：HL(富海微)

平面,N管,Vdss 650V,Id 12A,Rds 0.65Ω,Vth 2.9V,Ciss 2124pF

5+
￥2.0609
50+
￥1.6325
150+
￥1.4489
500+
￥1.2198

有货

立即购买

型号：200N04T 编号：C53134296

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

沟槽；N沟道；耐压:40V；电流:200A

1+
￥2.57
10+
￥2.04
50+
￥1.81
100+
￥1.53
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

有货

立即购买

型号：S160N06HG 编号：C47665717

封装：TO-263

品牌：HL(富海微)

工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):60，阈值电压VGS:±20，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/3，连续漏极电流ID(A):160A

1+
￥3.5
10+
￥2.77
30+
￥2.46
100+
￥2.07

有货

立即购买

型号：24N65RT 编号：C42441709

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

特性：更低的导通电阻×面积性能，以提高导通效率。由于极低的品质因数（FOM），效率更高。符合JEDEC工业级应用标准。采用先进的沟槽栅超级结技术。应用：功率因数校正（PFC）。开关电源（SMPS）

1+
￥5.55
10+
￥5.01
50+
￥4.71
100+
￥4.38

有货

立即购买

型号：S150P06T 编号：C41406786

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.6，连续漏极电流ID(A):-150A

1+
￥7.03
10+
￥5.84
50+
￥5.03
100+
￥4.29

有货

立即购买

型号：HL7550L 编号：C50331909

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

24V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±2%，固定输出电压 5V

20+
￥0.1221
200+
￥0.1063
1000+
￥0.0976
2000+
￥0.0923

有货

立即购买

型号：30P07L 编号：C42441700

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保器件。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。负载开关

10+
￥0.2406
100+
￥0.1902
300+
￥0.165
3000+
￥0.1461

有货

立即购买

型号：4060H 编号：C7431435

封装：SOT23-5

品牌：HL(富海微)

耐压：30V 功能：电池防反接、OVP、单灯

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043
3000+
￥0.1809
6000+
￥0.1622
9000+
￥0.1528

有货

立即购买

型号：2010S 编号：C7437075

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

2010S是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。2010S符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

10+
￥0.3208
100+
￥0.2536
300+
￥0.22
3000+
￥0.1948
6000+
￥0.1746
9000+
￥0.1645

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示