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首页 > 热门关键词 > HL二极管
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沟槽,单P,-150V/-1.6A
型号：2P15S 编号：C47665721
封装：SOP-8
品牌：HL(富海微)
工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-150，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):650/700，连续漏极电流ID(A):-1.6A

  • 5+

    ￥0.717155 ￥0.7549

  • 50+

    ￥0.571235 ￥0.6013

  • 150+

    ￥0.498275 ￥0.5245

  • 500+

    ￥0.443555 ￥0.4669

  • 3000+

    ￥0.39976 ￥0.4208

  • 6000+

    ￥0.37791 ￥0.3978
  • 有货
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    P沟道，30V快速开关MOSFET
    型号：50P03F 编号：C42461025
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：HL(富海微)
    特性：100% EAS保证。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.779

    • 50+

      ￥0.6158

    • 150+

      ￥0.5342

    • 500+

      ￥0.473

    • 2500+

      ￥0.424

    • 5000+

      ￥0.3995
  • 有货
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    耐压:200V 电流:9A
    型号：9N20 编号：C39673596
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):225 连续漏极电流ID(A):9A

    • 5+

      ￥0.787265 ￥0.8287

    • 50+

      ￥0.687515 ￥0.7237

    • 150+

      ￥0.644765 ￥0.6787

    • 500+

      ￥0.591375 ￥0.6225

    • 2500+

      ￥0.567625 ￥0.5975

    • 5000+

      ￥0.553375 ￥0.5825
  • 有货
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:23A
    型号：3020 编号：C21882494
    封装：TO-252-4L
    品牌：HL(富海微)
    3020 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。3020 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%通过环境适应性筛选（EAS），并经过全面功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥0.7951

    • 50+

      ￥0.6197

    • 150+

      ￥0.532

    • 500+

      ￥0.4662

    • 2500+

      ￥0.4136

    • 5000+

      ￥0.3873
  • 有货
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    N沟道650V平面MOSFET
    型号：HL4N65R 编号：C50331907
    封装：TO-252-3L
    品牌：HL(富海微)
    平面,N管,Vdss 650V,Id 4A,Rds 2.2Ω,Vth 3.5V,Ciss 518pF

    • 5+

      ￥0.806835 ￥0.8493

    • 50+

      ￥0.642675 ￥0.6765

    • 150+

      ￥0.560595 ￥0.5901

    • 500+

      ￥0.499035 ￥0.5253

    • 2500+

      ￥0.44973 ￥0.4734

    • 5000+

      ￥0.425125 ￥0.4475
  • 有货
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    90N04
    型号：90N04 编号：C53134294
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    沟槽；N沟道；耐压:40V；电流:90A

    • 5+

      ￥0.829255 ￥0.8729

    • 50+

      ￥0.660535 ￥0.6953

    • 150+

      ￥0.576175 ￥0.6065

    • 500+

      ￥0.512905 ￥0.5399

    • 2500+

      ￥0.46227 ￥0.4866

    • 5000+

      ￥0.437 ￥0.46
  • 有货
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    沟槽,单N,100V/35A
    型号：35N10 编号：C47665718
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    工艺:沟槽，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):0.8～1.6，导通电阻RDS(ON) (mΩ):25/26，连续漏极电流ID(A):35A

    • 5+

      ￥0.851675 ￥0.8965

    • 50+

      ￥0.678395 ￥0.7141

    • 150+

      ￥0.591755 ￥0.6229

    • 500+

      ￥0.526775 ￥0.5545

    • 2500+

      ￥0.474715 ￥0.4997

    • 5000+

      ￥0.44878 ￥0.4724
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：120N03F 编号：C19271466
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：HL(富海微)
    120N03F 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。120N03F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，并经过全面功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥0.910005 ￥0.9579

    • 50+

      ￥0.72808 ￥0.7664

    • 150+

      ￥0.650085 ￥0.6843

    • 500+

      ￥0.552805 ￥0.5819

    • 2500+

      ￥0.491435 ￥0.5173

    • 5000+

      ￥0.465405 ￥0.4899
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道30V快速开关MOSFET
    型号：40N10 编号：C42461021
    封装：TO-252-3L
    品牌：HL(富海微)
    特性：超低栅极电荷。 有环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥0.913995 ￥0.9621

    • 50+

      ￥0.717725 ￥0.7555

    • 150+

      ￥0.633555 ￥0.6669

    • 500+

      ￥0.52858 ￥0.5564

    • 2500+

      ￥0.48184 ￥0.5072

    • 5000+

      ￥0.453815 ￥0.4777
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：10P10 编号：C21882491
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    10P10是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。10P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥1.003675 ￥1.0565

    • 50+

      ￥0.78812 ￥0.8296

    • 150+

      ￥0.695685 ￥0.7323

    • 500+

      ￥0.58045 ￥0.611

    • 2500+

      ￥0.52915 ￥0.557

    • 5000+

      ￥0.498275 ￥0.5245
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：50N10 编号：C7471107
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)

    • 5+

      ￥1.039205 ￥1.0939

    • 50+

      ￥0.907535 ￥0.9553

    • 150+

      ￥0.851105 ￥0.8959

    • 500+

      ￥0.780615 ￥0.8217

    • 2500+

      ￥0.749265 ￥0.7887

    • 5000+

      ￥0.730455 ￥0.7689
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道650V超结功率MOSFET
    型号：11N65RT 编号：C42441706
    封装：TO-220
    品牌：HL(富海微)

    • 1+

      ￥2.4415 ￥2.57

    • 10+

      ￥2.166 ￥2.28

    • 50+

      ￥2.0235 ￥2.13

    • 100+

      ￥1.8905 ￥1.99

    • 500+

      ￥1.805 ￥1.9

    • 1000+

      ￥1.767 ￥1.86
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:120A
    型号：S120N15T 编号：C19271475
    封装：TO-220
    品牌：HL(富海微)
    120N15T 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。 120N15T 符合 RoHS 和绿色产品标准，并拥有 100% EAS 保证，且全功能可靠性已获认证。

    • 1+

      ￥4.94

    • 10+

      ￥3.99

    • 50+

      ￥3.72

    • 100+

      ￥3.25

    • 500+

      ￥2.97

    • 1000+

      ￥2.82
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道650V超结功率MOSFET
    型号：24N65RT 编号：C42441709
    封装：TO-220
    品牌：HL(富海微)
    特性：更低的导通电阻×面积性能，以提高导通效率。 由于极低的品质因数（FOM），效率更高。 符合JEDEC工业级应用标准。 采用先进的沟槽栅超级结技术。应用：功率因数校正（PFC）。 开关电源（SMPS）

    • 1+

      ￥5.2725 ￥5.55

    • 10+

      ￥4.7595 ￥5.01

    • 50+

      ￥4.4745 ￥4.71

    • 100+

      ￥4.161 ￥4.38

    • 500+

      ￥4.0185 ￥4.23

    • 1000+

      ￥3.952 ￥4.16
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V 300mA 6V
    型号：6206A33 编号：C23377923
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HL(富海微)
    最大输入电压：6V；输出电压：3.3V；最大输出电流：300mA

    • 50+

      ￥0.0994

    • 500+

      ￥0.0778

    • 3000+

      ￥0.0618

    • 6000+

      ￥0.0546

    • 24000+

      ￥0.0483

    • 51000+

      ￥0.045
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:5.2A
    型号：2312A 编号：C7431442
    封装：SOT23
    品牌：HL(富海微)
    2312A 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2312A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

    • 20+

      ￥0.1344

    • 200+

      ￥0.1047

    • 600+

      ￥0.0882

    • 3000+

      ￥0.0783

    • 9000+

      ￥0.0697

    • 21000+

      ￥0.0651
  • 有货
    • 立即购买
    HL7550L
    型号：HL7550L 编号：C50331909
    封装：SOT-89-3
    品牌：HL(富海微)
    24V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±2%，固定输出电压 5V

    • 20+

      ￥0.164825 ￥0.1735

    • 200+

      ￥0.128915 ￥0.1357

    • 1000+

      ￥0.108965 ￥0.1147

    • 2000+

      ￥0.096995 ￥0.1021

    • 8000+

      ￥0.08664 ￥0.0912

    • 20000+

      ￥0.081035 ￥0.0853
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V 150mA 24V
    型号：7533 编号：C20071225
    封装：SOT-89-3
    品牌：HL(富海微)
    30V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±2%，固定输出电压 3.3V

    • 20+

      ￥0.1973

    • 200+

      ￥0.1541

    • 1000+

      ￥0.1277

    • 2000+

      ￥0.1133

    • 10000+

      ￥0.1008

    • 20000+

      ￥0.0941
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：3415A 编号：C20539233
    封装：SOT-23
    品牌：HL(富海微)
    3415A是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。3415A符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。

    • 20+

      ￥0.21318 ￥0.2244

    • 200+

      ￥0.16701 ￥0.1758

    • 600+

      ￥0.14136 ￥0.1488

    • 3000+

      ￥0.121695 ￥0.1281

    • 9000+

      ￥0.108395 ￥0.1141

    • 21000+

      ￥0.101175 ￥0.1065
  • 有货
    • 立即购买
    5V 150mA 24V
    型号：7550 编号：C20071226
    封装：SOT-89-3
    品牌：HL(富海微)
    30V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±2%，固定输出电压 5V

    • 20+

      ￥0.2153

    • 200+

      ￥0.1667

    • 1000+

      ￥0.1365

    • 2000+

      ￥0.1203

    • 10000+

      ￥0.1063

    • 20000+

      ￥0.0987
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:4A
    型号：2319 编号：C18164392
    封装：SOT-23
    品牌：HL(富海微)
    2319 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2319 符合 RoHS 标准，是经过全面功能可靠性认证的绿色产品。

    • 20+

      ￥0.219925 ￥0.2315

    • 200+

      ￥0.17233 ￥0.1814

    • 600+

      ￥0.145825 ￥0.1535

    • 3000+

      ￥0.12559 ￥0.1322

    • 9000+

      ￥0.111815 ￥0.1177

    • 21000+

      ￥0.104405 ￥0.1099
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:4A
    型号：4N10L 编号：C42372073
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HL(富海微)
    MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1～2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):120/156，连续漏极电流ID(A):4A

    • 20+

      ￥0.23161 ￥0.2438

    • 200+

      ￥0.182875 ￥0.1925

    • 600+

      ￥0.1558 ￥0.164

    • 3000+

      ￥0.12844 ￥0.1352

    • 9000+

      ￥0.11438 ￥0.1204

    • 21000+

      ￥0.10678 ￥0.1124
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
    型号：6800B 编号：C7499837
    封装：SOT-23-6
    品牌：HL(富海微)
    6800B采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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      ￥0.2398

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    双P沟道，20V快速开关MOSFET
    型号：4953B 编号：C42461019
    封装：SOP-8
    品牌：HL(富海微)
    特性：超低栅极电荷。 提供绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池开关。 负载开关

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      ￥0.30476 ￥0.3208

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      ￥0.24092 ￥0.2536

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      ￥0.156275 ￥0.1645
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:8A
    型号：2010S 编号：C7437075
    封装：SOP-8
    品牌：HL(富海微)
    2010S是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。2010S符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

    • 10+

      ￥0.30476 ￥0.3208

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    单通道马达驱动
    型号：1208 编号：C7431432
    封装：SOP-8
    品牌：HL(富海微)
    ESD：8K 峰值电流：3.0A

    • 10+

      ￥0.34485 ￥0.363

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      ￥0.27645 ￥0.291

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    N沟道20V快速开关MOSFET
    型号：2020S 编号：C42461026
    封装：SOP-8
    品牌：HL(富海微)
    特性：超低栅极电荷。 提供环保器件。 出色的CdV/dt效应衰减。 100%保证EAS。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能

    • 10+

      ￥0.370025 ￥0.3895

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      ￥0.292505 ￥0.3079

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      ￥0.18981 ￥0.1998
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
    型号：2012S 编号：C7437076
    封装：SOP-8
    品牌：HL(富海微)
    2012S 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。2012S 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

    • 10+

      ￥0.4005

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      ￥0.3142

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      ￥0.2037

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      ￥0.1907
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    低压H桥驱动器
    型号：HL8837 编号：C50331903
    封装：DFN-8(2x2)
    品牌：HL(富海微)
    持续电流1.5A，峰值电流2A，VM电压-0.3~12V, VCC电压2~ 5V, SOT23-6

    • 10+

      ￥0.411445 ￥0.4331

    • 100+

      ￥0.327085 ￥0.3443

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      ￥0.284905 ￥0.2999

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      ￥0.25327 ￥0.2666

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      ￥0.227905 ￥0.2399

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      ￥0.21527 ￥0.2266
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
    型号：5N50 编号：C7499839
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    特性：绿色环保器件。 出色的dV/dt效应抑制能力。 100%保证EAS。 先进的VD MOSFET。应用：大多数同步降压转换器应用

    • 5+

      ￥0.50065 ￥0.527

    • 50+

      ￥0.39577 ￥0.4166

    • 150+

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      ￥0.304 ￥0.32

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