HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：20P02D 编号：C7499850

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

20P02D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20P02D符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

5+
￥0.5063
50+
￥0.4003
150+
￥0.3472
500+
￥0.3074
2500+
￥0.2756
5000+
￥0.2597

有货

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型号：20P02 编号：C7499849

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

20P02是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。20P02具备完整的功能可靠性，符合RoHS标准和绿色产品要求。

5+
￥0.5559
50+
￥0.4407
150+
￥0.3831
500+
￥0.3399
3000+
￥0.2933
6000+
￥0.2761

有货

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型号：3P10 编号：C22468082

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V):-100 阈值电压VGS:±20 Vth(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):180/210 连续漏极电流ID(A):-3A

5+
￥0.6622
50+
￥0.5182
150+
￥0.4462
500+
￥0.3922

有货

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型号：50N04F 编号：C7543823

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HL(富海微)

Tphtei o50N04F是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N04F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
150+
￥0.4556
500+
￥0.4034
2500+
￥0.3617
5000+
￥0.3408

有货

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型号：30N04 编号：C7499840

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei o2n 0N04是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30N04符合RoHS和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
2500+
￥0.3742
5000+
￥0.3525

有货

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型号：60N04B 编号：C7543826

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei o60N04B是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N04B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面功能可靠性认证。

5+
￥0.7024
50+
￥0.5584
150+
￥0.4864
500+
￥0.4324
2500+
￥0.3742
5000+
￥0.3525

有货

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型号：80N02 编号：C7437083

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

80N02是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.7103
50+
￥0.5615
150+
￥0.4871
500+
￥0.4313
2500+
￥0.3866
5000+
￥0.3643

有货

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型号：120N03F 编号：C19271466

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

120N03F 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。120N03F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，并经过全面功能可靠性认证。

5+
￥0.9333
50+
￥0.7317
150+
￥0.6453
500+
￥0.5375
2500+
￥0.4695
5000+
￥0.4407

有货

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型号：S50P06 编号：C41406793

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):20，连续漏极电流ID(A):-50A

5+
￥0.9613
50+
￥0.8395
150+
￥0.7873
500+
￥0.7221

有货

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型号：2300A 编号：C7437077

封装：SOT23

品牌：HL(富海微)

2300A 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2300A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.1456
200+
￥0.1135
600+
￥0.0956
3000+
￥0.0849
9000+
￥0.0756
21000+
￥0.0706

有货

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型号：2319 编号：C18164392

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2319 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2319 符合 RoHS 标准，是经过全面功能可靠性认证的绿色产品。

20+
￥0.2201
200+
￥0.1699
600+
￥0.1421
3000+
￥0.1207
9000+
￥0.1063
21000+
￥0.0985

有货

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型号：3415E 编号：C22458779

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V):-20 阈值电压VGS:±10 Vth(V):-0.4～-1导通电阻RDS(ON) (mΩ):29/40 连续漏极电流ID(A):-5A ESDRating:2500V HBM

20+
￥0.2292
200+
￥0.1812
600+
￥0.1572
3000+
￥0.1392

有货

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型号：2318 编号：C7543824

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

特性：绿色设备可用。出色的CdV/dt效应衰减。超低栅极电荷。先进的沟槽MOS技术。应用：大多数同步降压转换器应用

10+
￥0.2521
100+
￥0.1993
300+
￥0.1729
3000+
￥0.1531
6000+
￥0.1372
9000+
￥0.1293

有货

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型号：6005 编号：C39673590

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):40-45 连续漏极电流ID(A):5A

10+
￥0.2531
100+
￥0.2003
300+
￥0.1739

有货

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型号：12N03M 编号：C42461023

封装：DFN2x2-6L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保型器件。出色的Cdv/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.2933
100+
￥0.2309
300+
￥0.1997

有货

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型号：10N10Q 编号：C42461024

封装：SOT-89-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保型器件。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.3271
100+
￥0.2599
300+
￥0.2263
1000+
￥0.2011
5000+
￥0.1809
10000+
￥0.1708

有货

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型号：20N02 编号：C7437087

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

20N02 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N02 符合 RoHS 标准和绿色产品要求。100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证

10+
￥0.4097
100+
￥0.3238
300+
￥0.2809
2500+
￥0.2487
5000+
￥0.223
10000+
￥0.2101

有货

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型号：30N02 编号：C7437086

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

30N02 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30N02 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

10+
￥0.4142
100+
￥0.323
300+
￥0.2774
2500+
￥0.2432
5000+
￥0.2158
10000+
￥0.2021

有货

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型号：10N06 编号：C18164384

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

10N06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。10N06符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

10+
￥0.4353
100+
￥0.3441
300+
￥0.2985
3000+
￥0.2643
6000+
￥0.237
9000+
￥0.2233

有货

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型号：30N03D 编号：C19271464

封装：PDFN(3x3)

品牌：HL(富海微)

阈值电压VGS:±20

10+
￥0.4543
100+
￥0.3583
300+
￥0.3103
1000+
￥0.2743
5000+
￥0.2355
10000+
￥0.2211

有货

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型号：4410 编号：C7471105

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4410 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4410 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.473
50+
￥0.3739
150+
￥0.3243
500+
￥0.2872
3000+
￥0.2575
6000+
￥0.2426

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型号：4886D 编号：C7543830

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

4886D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4886D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过有效雪崩耐量（EAS）保证，且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.492
50+
￥0.432
150+
￥0.402
500+
￥0.3795
2500+
￥0.3615
5000+
￥0.3525

有货

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型号：30G20D 编号：C21882495

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

30G20D 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备完整的功能可靠性。

5+
￥0.5084
50+
￥0.4464
150+
￥0.4154
500+
￥0.3922
2500+
￥0.3736

有货

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型号：4805 编号：C30170166

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型P漏源电压(Vdss) (V): -30阈值电压VGS:±20V th(V):-1～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):18/25 连续漏极电流ID(A):-9.5A

5+
￥0.6759
50+
￥0.5343
150+
￥0.4635
500+
￥0.4104

有货

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型号：5N20 编号：C39673585

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):450 连续漏极电流ID(A):5.5A

5+
￥0.6874
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￥0.5434
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￥0.4714
500+
￥0.4174

有货

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型号：9958 编号：C39673594

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P+P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):70-90连续漏极电流ID(A):-8A

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869

有货

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型号：80N07 编号：C42372068

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):70，阈值电压VGS:±20，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5/7，连续漏极电流ID(A):80A

5+
￥0.9606
50+
￥0.8451
150+
￥0.7956
500+
￥0.7338

有货

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型号：S30P06F 编号：C41406795

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):31，连续漏极电流ID(A):-30A

5+
￥1.0785
50+
￥0.8517
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￥0.7545
500+
￥0.6332

有货

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型号：80P02 编号：C22379649

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

80P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80P02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥1.1029
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￥0.866
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￥0.7645
500+
￥0.6378

有货

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型号：120P03 编号：C20071222

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

120P03 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。120P03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的功能可靠性认证。

5+
￥1.852
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￥1.4438
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￥1.2689
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￥1.0506
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￥0.9493
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