HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：10N06 编号：C18164384

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

10N06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。10N06符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

10+
￥0.413535 ￥0.4353
100+
￥0.326895 ￥0.3441
300+
￥0.283575 ￥0.2985
3000+
￥0.251085 ￥0.2643
6000+
￥0.22515 ￥0.237
9000+
￥0.212135 ￥0.2233

有货

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型号：30N02 编号：C7437086

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

30N02 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30N02 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

10+
￥0.4142
100+
￥0.323
300+
￥0.2774
2500+
￥0.2432
5000+
￥0.2158
10000+
￥0.2021

有货

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型号：4410 编号：C7471105

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4410 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4410 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.44935 ￥0.473
50+
￥0.355205 ￥0.3739
150+
￥0.308085 ￥0.3243
500+
￥0.27284 ￥0.2872
3000+
￥0.244625 ￥0.2575
6000+
￥0.23047 ￥0.2426

有货

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型号：20P02D 编号：C7499850

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

20P02D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20P02D符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

5+
￥0.480985 ￥0.5063
50+
￥0.380285 ￥0.4003
150+
￥0.32984 ￥0.3472
500+
￥0.29203 ￥0.3074
2500+
￥0.26182 ￥0.2756
5000+
￥0.246715 ￥0.2597

有货

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型号：30G20D 编号：C21882495

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

30G20D 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备完整的功能可靠性。

5+
￥0.48298 ￥0.5084
50+
￥0.42408 ￥0.4464
150+
￥0.39463 ￥0.4154
500+
￥0.37259 ￥0.3922
2500+
￥0.35492 ￥0.3736
5000+
￥0.346085 ￥0.3643

有货

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型号：80N03 编号：C7471102

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

80N03是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.490105 ￥0.5159
50+
￥0.394345 ￥0.4151
150+
￥0.346465 ￥0.3647
500+
￥0.310555 ￥0.3269
2500+
￥0.270845 ￥0.2851
5000+
￥0.256405 ￥0.2699

有货

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型号：4435B 编号：C7431441

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4435B是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4435B符合RoHS标准和绿色产品要求。

5+
￥0.544255 ￥0.5729
50+
￥0.439375 ￥0.4625
150+
￥0.386935 ￥0.4073
500+
￥0.347605 ￥0.3659
3000+
￥0.283385 ￥0.2983
6000+
￥0.26771 ￥0.2818

有货

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型号：20N06 编号：C18164385

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

5+
￥0.60325 ￥0.635
50+
￥0.48013 ￥0.5054
150+
￥0.41857 ￥0.4406
500+
￥0.3724 ￥0.392
2500+
￥0.321385 ￥0.3383
5000+
￥0.30286 ￥0.3188

有货

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型号：S50P06 编号：C41406793

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):20，连续漏极电流ID(A):-50A

5+
￥0.913235 ￥0.9613
50+
￥0.797525 ￥0.8395
150+
￥0.747935 ￥0.7873
500+
￥0.685995 ￥0.7221
2500+
￥0.658445 ￥0.6931
5000+
￥0.641915 ￥0.6757

有货

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型号：80N07 编号：C42372068

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):70，阈值电压VGS:±20，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5/7，连续漏极电流ID(A):80A

5+
￥0.93024 ￥0.9792
50+
￥0.820515 ￥0.8637
150+
￥0.77349 ￥0.8142
500+
￥0.71478 ￥0.7524
2500+
￥0.624435 ￥0.6573
5000+
￥0.60876 ￥0.6408

有货

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型号：13P15 编号：C47665723

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-150，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):270，连续漏极电流ID(A):-13A

5+
￥1.036545 ￥1.0911
50+
￥0.821085 ￥0.8643
150+
￥0.728745 ￥0.7671
500+
￥0.61351 ￥0.6458
2500+
￥0.56221 ￥0.5918
5000+
￥0.53143 ￥0.5594

有货

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型号：80P04 编号：C20071221

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

80P04是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80P04符合RoHS标准和绿色产品要求，经全面功能可靠性认证，百分百保证符合EAS标准。

5+
￥1.6059
50+
￥1.2531
150+
￥1.1019
500+
￥0.9133
2500+
￥0.8293
5000+
￥0.7788

有货

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型号：11N65R 编号：C42441705

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超级结技术。更低的导通电阻×面积性能，以提高导通效率。由于极低的品质因数，效率更高。符合JEDEC工业级应用标准。应用：PWM应用。负载开关

1+
￥2.2135 ￥2.33
10+
￥1.9285 ￥2.03
30+
￥1.8145 ￥1.91
100+
￥1.6625 ￥1.75
500+
￥1.596 ￥1.68
1000+
￥1.558 ￥1.64

有货

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型号：200N04T 编号：C53134296

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

沟槽；N沟道；耐压:40V；电流:200A

1+
￥2.4415 ￥2.57
10+
￥1.938 ￥2.04
50+
￥1.7195 ￥1.81
100+
￥1.4535 ￥1.53
500+
￥1.33 ￥1.4
1000+
￥1.254 ￥1.32

有货

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型号：13N65RT 编号：C42441707

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保型产品可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%保证EAS。采用先进的沟槽栅超级结技术。应用：功率因数校正（PFC）。开关电源（SMPS）

1+
￥2.5935 ￥2.73
10+
￥2.299 ￥2.42
50+
￥2.1565 ￥2.27
100+
￥2.0045 ￥2.11
500+
￥1.919 ￥2.02
1000+
￥1.881 ￥1.98

有货

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型号：S80P06G 编号：C41406790

封装：TO-263

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):9，连续漏极电流ID(A):-80A

1+
￥3.2965 ￥3.47
10+
￥2.622 ￥2.76
30+
￥2.3275 ￥2.45
100+
￥1.9665 ￥2.07
500+
￥1.805 ￥1.9
800+
￥1.7005 ￥1.79

有货

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型号：320N04TL 编号：C47665724

封装：TOLL-8L

品牌：HL(富海微)

工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.3～2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):0.75/1.1，连续漏极电流ID(A):320A

1+
￥3.4865 ￥3.67
10+
￥2.831 ￥2.98
30+
￥2.4985 ￥2.63
100+
￥2.1755 ￥2.29
500+
￥1.976 ￥2.08
1000+
￥1.881 ￥1.98

有货

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型号：S110P06T 编号：C41406788

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.6～-2.4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5，连续漏极电流ID(A):-110A

1+
￥4.29
10+
￥3.43
50+
￥3
100+
￥2.57
500+
￥2.31
1000+
￥2.18

有货

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型号：BSS84 编号：C53134295

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

沟槽；P沟道；耐压:-60V；电流:-170mA

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666
6000+
￥0.0594
24000+
￥0.0531
51000+
￥0.0498

有货

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型号：2305A 编号：C20071223

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2305A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2305A符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

20+
￥0.1626
200+
￥0.1222
600+
￥0.0998
3000+
￥0.0968
9000+
￥0.0851
21000+
￥0.0788

有货

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型号：2320A 编号：C7437078

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2320A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2320A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

20+
￥0.169
200+
￥0.1312
600+
￥0.1102
3000+
￥0.0938
9000+
￥0.0829
21000+
￥0.077

有货

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型号：HL8205A 编号：C47665727

封装：TSSOP-8

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:N+N，漏源电压(Vdss) (V):20，阈值电压VGS:±12，Vth(V):0.4～1，导通电阻RDS(ON) (mΩ):18.5/23，连续漏极电流ID(A):6A

20+
￥0.1728
200+
￥0.1323
600+
￥0.1098
5000+
￥0.1075
10000+
￥0.0958
20000+
￥0.0895

有货

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型号：3400A 编号：C7431446

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3400A是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3400A符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

20+
￥0.1992
200+
￥0.1533
600+
￥0.1278
3000+
￥0.121
9000+
￥0.1077
21000+
￥0.1006

有货

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型号：3415E 编号：C22458779

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V):-20 阈值电压VGS:±10 Vth(V):-0.4～-1导通电阻RDS(ON) (mΩ):29/40 连续漏极电流ID(A):-5A ESDRating:2500V HBM

20+
￥0.21774 ￥0.2292
200+
￥0.17214 ￥0.1812
600+
￥0.14934 ￥0.1572
3000+
￥0.13224 ￥0.1392
9000+
￥0.11856 ￥0.1248
21000+
￥0.111625 ￥0.1175

有货

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型号：2309 编号：C7431450

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2309 是高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2309 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.2242
200+
￥0.1762
600+
￥0.1522
3000+
￥0.1287
9000+
￥0.1143
21000+
￥0.107

有货

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型号：6G02L 编号：C47665725

封装：SOT-23-6L

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:N+P，漏源电压(Vdss) (V):20/-20，阈值电压VGS:±12，Vth(V):±0.4～±1.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):17/30，连续漏极电流ID(A):6.3A/-4.1A

20+
￥0.228285 ￥0.2403
200+
￥0.179075 ￥0.1885
600+
￥0.151715 ￥0.1597
3000+
￥0.13528 ￥0.1424
9000+
￥0.12103 ￥0.1274
21000+
￥0.11343 ￥0.1194

有货

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型号：12N03M 编号：C42461023

封装：DFN2x2-6L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保型器件。出色的Cdv/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.283005 ￥0.2979
100+
￥0.223725 ￥0.2355
300+
￥0.194085 ￥0.2043
3000+
￥0.171855 ￥0.1809
6000+
￥0.15409 ￥0.1622
9000+
￥0.14516 ￥0.1528

有货

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型号：4606A 编号：C7431452

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4606A是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4606A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具备抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

10+
￥0.3373
100+
￥0.2659
300+
￥0.2302
3000+
￥0.1959
6000+
￥0.1745
9000+
￥0.1638

有货

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型号：40N02 编号：C7437085

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

40N02是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.45714 ￥0.4812
50+
￥0.36138 ￥0.3804
150+
￥0.3135 ￥0.33
500+
￥0.27759 ￥0.2922
2500+
￥0.248805 ￥0.2619
5000+
￥0.23446 ￥0.2468

有货

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型号：4886D 编号：C7543830

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

4886D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4886D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过有效雪崩耐量（EAS）保证，且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.4674 ￥0.492
50+
￥0.4104 ￥0.432
150+
￥0.3819 ￥0.402
500+
￥0.360525 ￥0.3795
2500+
￥0.343425 ￥0.3615
5000+
￥0.334875 ￥0.3525

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