HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：3P06L 编号：C39673592

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):115 连续漏极电流ID(A):-3A

10+
￥0.3208
100+
￥0.2536
300+
￥0.22

有货

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型号：1208 编号：C7431432

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

ESD：8K 峰值电流：3.0A

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357
1000+
￥0.2087
4000+
￥0.1871
8000+
￥0.1763

有货

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型号：2020S 编号：C42461026

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保器件。出色的CdV/dt效应衰减。 100%保证EAS。先进的高单元密度沟槽技术。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

10+
￥0.3895
100+
￥0.3079
300+
￥0.2671
3000+
￥0.2365

有货

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型号：HL8837 编号：C50331903

封装：DFN-8(2x2)

品牌：HL(富海微)

持续电流1.5A，峰值电流2A，VM电压-0.3~12V, VCC电压2~ 5V, SOT23-6

10+
￥0.4331
100+
￥0.3443
300+
￥0.2999

有货

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型号：40N02D 编号：C7437079

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

40N02D 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N02D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
500+
￥0.3061
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

有货

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型号：100N03 编号：C7499843

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

特性：绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：电池开关应用。硬开关和高频电路

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
150+
￥0.4556
500+
￥0.4034
2500+
￥0.3617
5000+
￥0.3408

有货

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型号：80N02 编号：C7437083

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

80N02是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.7103
50+
￥0.5615
150+
￥0.4871
500+
￥0.4313
2500+
￥0.3866
5000+
￥0.3643

有货

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型号：S15P06S 编号：C41406797

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):33，连续漏极电流ID(A):-15A

5+
￥0.8248
50+
￥0.652
150+
￥0.5656

有货

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型号：S40N10 编号：C42461022

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：PWM应用。 DC-DC转换器

5+
￥0.9396
50+
￥0.7329
150+
￥0.6444
500+
￥0.5339

有货

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型号：10P10 编号：C21882491

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

10P10是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。10P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥1.0565
50+
￥0.8296
150+
￥0.7323
500+
￥0.611

有货

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型号：120P03T 编号：C42460933

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。 100%保证EAS。有环保器件可选。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：DC-DC转换器。同步整流应用

5+
￥1.24
50+
￥1.21
150+
￥1.19

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型号：65N06 编号：C18164388

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

65N06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。65N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥1.2906
50+
￥1.0134
150+
￥0.8946
500+
￥0.7464
2500+
￥0.6804
5000+
￥0.6408

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型号：S70N10T 编号：C53134298

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

SGT；N沟道；耐压:100V；电流:70A

5+
￥2.2791
50+
￥1.8053
150+
￥1.6023
500+
￥1.3489

有货

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型号：8N65R 编号：C42441704

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

1+
￥2.79
10+
￥2.19
30+
￥1.93
100+
￥1.6

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型号：9928 编号：C21882487

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

9928采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

10+
￥0.4121
100+
￥0.3257
300+
￥0.2826

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型号：4061H 编号：C7431437

封装：SOT23-6

品牌：HL(富海微)

耐压：30V 功能：电池防反接、OVP、双灯

5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614
500+
￥0.32
3000+
￥0.2869
6000+
￥0.2703

有货

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型号：4056A 编号：C7431438

封装：ESOP-8

品牌：HL(富海微)

耐压：12V 功能：电源、电池防反接、双灯

5+
￥0.5387
50+
￥0.4747
150+
￥0.4427
500+
￥0.4187
2500+
￥0.3995
4000+
￥0.3899

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型号：4056V 编号：C7431439

封装：ESOP-8

品牌：HL(富海微)

耐压：12V 功能：电源、电池防反接、OVP、双灯

5+
￥0.5412
50+
￥0.4752
150+
￥0.4422
500+
￥0.4175
2500+
￥0.3977
4000+
￥0.3878

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型号：HL10N65RF 编号：C50331952

封装：TO-220F

品牌：HL(富海微)

平面,N管,Vdss 650V,Id 10A,Rds 0.8Ω,Vth 3.7V,Ciss 1940pF

5+
￥1.8184
50+
￥1.4404
150+
￥1.2784
500+
￥1.0763

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型号：HL116 编号：C50331904

封装：SOT-23-6L

品牌：HL(富海微)

持续电流0.5A，峰值电流0.8A，VM电压-0.3~12V, VCC电压-0.7~ 5.5V,DFN2x2-8L

20+
￥0.2341
200+
￥0.1861
600+
￥0.1621

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型号：80N02F 编号：C7437081

封装：DFN5x6

品牌：HL(富海微)

80N02F是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N02F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易雪崩击穿（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.4597
50+
￥0.449
150+
￥0.4419
500+
￥0.4348

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型号：30P10M 编号：C7471109

封装：DFN2X2-6L

品牌：HL(富海微)

30P10M 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30P10M 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备全面的功能可靠性。

5+
￥0.5672
50+
￥0.4472
150+
￥0.3872
500+
￥0.3422
3000+
￥0.3062
6000+
￥0.2881

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型号：S25P06 编号：C41406796

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):39，连续漏极电流ID(A):-25A

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185

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型号：80N06T 编号：C47665448

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):60，阈值电压VGS:±25，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.3，连续漏极电流ID(A):80A

5+
￥1.9396
50+
￥1.5364
150+
￥1.3636
500+
￥1.148

有货

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型号：650SJ320 编号：C21882499

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

使用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供具有低栅极电荷的出色导通电阻。该超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求，符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备全功能可靠性。

1+
￥2.32
10+
￥2.27
30+
￥2.23
100+
￥2.2

有货

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型号：S125N12HT 编号：C19271474

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

阈值电压VGS:±20

1+
￥4.54
10+
￥3.67
50+
￥3.14
100+
￥2.71
500+
￥2.46
1000+
￥2.32

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型号：HL1117-3.3V 编号：C42372064

封装：SOT-223

品牌：HL(富海微)

输出类型：固定，最大输入电压：18V，输出电压：3.3V，输出电流：1A，电源纹波抑制比：65db@120Hz，压差：1.1V@1A，待机电流：2mA

20+
￥0.239
200+
￥0.191
600+
￥0.167

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型号：4060 编号：C7431434

封装：SOT23-5

品牌：HL(富海微)

耐压：12V 功能：电池防反接、单灯

10+
￥0.3895
100+
￥0.3079
300+
￥0.2671
3000+
￥0.2365
6000+
￥0.212
9000+
￥0.1998

有货

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型号：4061 编号：C7431436

封装：SOT23-6

品牌：HL(富海微)

耐压：12V 功能：电源、电池防反接、双灯

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828
3000+
￥0.2504
6000+
￥0.2245
9000+
￥0.2115

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型号：HL4N65RF 编号：C50331950

封装：TO-220F

品牌：HL(富海微)

平面,N管,Vdss 650V,Id 4A,Rds 2.3Ω,Vth 3.4V,Ciss 525pF

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
150+
￥0.8523
500+
￥0.7175

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