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1个N沟道 耐压:40V 电流:20A
型号：20N04 编号：C7543828
封装：TO-252
品牌：HL(富海微)
Tphtei 20N04是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N04符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

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    ￥0.5052

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    ￥0.3996

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    ￥0.3468

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    ￥0.2585
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
    型号：60N02D 编号：C7437080
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：HL(富海微)
    60N02D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N02D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

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      ￥0.56639 ￥0.5962

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      ￥0.30134 ￥0.3172
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:100A
    型号：100N02 编号：C7437082
    封装：TO-252-3L
    品牌：HL(富海微)
    100N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。100N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整功能且可靠性通过认证。

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      ￥0.5975

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      ￥0.4723

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      ￥0.3065
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    N沟道 150V/10A
    型号：10N15 编号：C39673595
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 150阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):268-290连续漏极电流ID(A):10A

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      ￥0.6874

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      ￥0.3742

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      ￥0.3525
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:23A
    型号：25P04 编号：C22379654
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    25P04是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。25P04符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证电气自动测试（EAS）合格。

    • 5+

      ￥0.689985 ￥0.7263

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      ￥0.556795 ￥0.5861

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      ￥0.36651 ￥0.3858
  • 有货
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    N沟道100V快速开关MOSFET
    型号：S40N10 编号：C42461022
    封装：TO-252-3L
    品牌：HL(富海微)
    特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：PWM应用。 DC-DC转换器

    • 5+

      ￥0.913995 ￥0.9621

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      ￥0.48184 ￥0.5072

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      ￥0.453815 ￥0.4777
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:55A
    型号：60P03D 编号：C7471112
    封装：PDFN3.3x3.3-8L
    品牌：HL(富海微)

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      ￥0.9223

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      ￥0.7157

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      ￥0.4379
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:80A
    型号：80P02 编号：C22379649
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    80P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80P02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

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      ￥1.047755 ￥1.1029

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      ￥0.8227 ￥0.866

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      ￥0.60591 ￥0.6378

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      ￥0.52022 ￥0.5476
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    N沟道 30V/150A
    型号：150N03 编号：C39673593
    封装：TO-252-4R
    品牌：HL(富海微)
    MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 30阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.5-2.2连续漏极电流ID(A):150A

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      ￥1.303

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      ￥1.0107

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      ￥0.6595

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      ￥0.6177
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:65A
    型号：S65N06F 编号：C19100368
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：HL(富海微)
    特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能

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      ￥1.3829

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      ￥1.0955

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      ￥0.7501

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      ￥0.709
  • 有货
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    N沟道650V平面MOSFET
    型号：HL10N65RF 编号：C50331952
    封装：TO-220F
    品牌：HL(富海微)
    平面,N管,Vdss 650V,Id 10A,Rds 0.8Ω,Vth 3.7V,Ciss 1940pF

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      ￥1.72748 ￥1.8184

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      ￥0.936985 ￥0.9863

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      ￥0.885685 ￥0.9323
  • 有货
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    S70N10T
    型号：S70N10T 编号：C53134298
    封装：TO-220
    品牌：HL(富海微)
    SGT；N沟道；耐压:100V；电流:70A

    • 5+

      ￥2.165145 ￥2.2791

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      ￥1.715035 ￥1.8053

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      ￥1.522185 ￥1.6023

    • 500+

      ￥1.281455 ￥1.3489

    • 2000+

      ￥1.174295 ￥1.2361

    • 5000+

      ￥1.110075 ￥1.1685
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道650V超结功率MOSFET
    型号：21N65RT 编号：C42441708
    封装：TO-220
    品牌：HL(富海微)

    • 1+

      ￥3.8095 ￥4.01

    • 10+

      ￥3.382 ￥3.56

    • 50+

      ￥3.1635 ￥3.33

    • 100+

      ￥2.9545 ￥3.11

    • 500+

      ￥2.8215 ￥2.97

    • 1000+

      ￥2.755 ￥2.9
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:120V 电流:125A
    型号：S125N12HT 编号：C19271474
    封装：TO-220
    品牌：HL(富海微)
    阈值电压VGS:±20

    • 1+

      ￥4.313 ￥4.54

    • 10+

      ￥3.4865 ￥3.67

    • 50+

      ￥2.983 ￥3.14

    • 100+

      ￥2.5745 ￥2.71

    • 500+

      ￥2.337 ￥2.46

    • 1000+

      ￥2.204 ￥2.32
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:80V 电流:400A
    型号：S400N08TL 编号：C19100372
    封装：TOLL-8L
    品牌：HL(富海微)
    特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能

    • 1+

      ￥7.695 ￥8.1

    • 10+

      ￥6.3935 ￥6.73

    • 30+

      ￥5.681 ￥5.98

    • 100+

      ￥4.8735 ￥5.13

    • 500+

      ￥4.332 ￥4.56

    • 1500+

      ￥4.1705 ￥4.39
  • 有货
    • 立即购买
    28V耐压具有OVP功能线性锂电池充电芯片
    型号：4060H 编号：C7431435
    封装：SOT23-5
    品牌：HL(富海微)
    耐压：30V 功能：电池防反接、OVP、单灯

    • 10+

      ￥0.283005 ￥0.2979

    • 100+

      ￥0.223725 ￥0.2355

    • 300+

      ￥0.194085 ￥0.2043

    • 3000+

      ￥0.171855 ￥0.1809

    • 6000+

      ￥0.15409 ￥0.1622

    • 9000+

      ￥0.14516 ￥0.1528
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:8A
    型号：9928 编号：C21882487
    封装：SOP-8
    品牌：HL(富海微)
    9928采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

    • 10+

      ￥0.391495 ￥0.4121

    • 100+

      ￥0.309415 ￥0.3257

    • 300+

      ￥0.26847 ￥0.2826

    • 3000+

      ￥0.23769 ￥0.2502

    • 6000+

      ￥0.213085 ￥0.2243

    • 9000+

      ￥0.20083 ￥0.2114
  • 有货
    • 立即购买
    1A 线性防反接锂电池充电芯片
    型号：4056A 编号：C7431438
    封装：ESOP-8
    品牌：HL(富海微)
    耐压：12V 功能：电源、电池防反接、双灯

    • 5+

      ￥0.511765 ￥0.5387

    • 50+

      ￥0.450965 ￥0.4747

    • 150+

      ￥0.420565 ￥0.4427

    • 500+

      ￥0.397765 ￥0.4187

    • 2500+

      ￥0.379525 ￥0.3995

    • 4000+

      ￥0.370405 ￥0.3899
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
    型号：80N03D 编号：C7471103
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：HL(富海微)
    80N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N03D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%保证具有雪崩耐量（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥0.6529

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      ￥0.5089

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      ￥0.4369

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      ￥0.3829

    • 2500+

      ￥0.3397

    • 5000+

      ￥0.318
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:100A,耐压:30V
    型号：100N03 编号：C7499843
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    特性：绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：电池开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥0.6644

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      ￥0.5252

    • 150+

      ￥0.4556

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      ￥0.4034

    • 2500+

      ￥0.3617

    • 5000+

      ￥0.3408
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：302 编号：C7499835
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：HL(富海微)
    302 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。302 符合 RoHS 标准且为绿色产品，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥0.7399

    • 50+

      ￥0.5767

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      ￥0.4951

    • 500+

      ￥0.4339

    • 2500+

      ￥0.3849

    • 5000+

      ￥0.3604
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道650V平面MOSFET
    型号：HL4N65RF 编号：C50331950
    封装：TO-220F
    品牌：HL(富海微)
    平面,N管,Vdss 650V,Id 4A,Rds 2.3Ω,Vth 3.4V,Ciss 525pF

    • 5+

      ￥1.151685 ￥1.2123

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      ￥0.912285 ￥0.9603

    • 150+

      ￥0.809685 ￥0.8523

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      ￥0.681625 ￥0.7175

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      ￥0.624625 ￥0.6575

    • 5000+

      ￥0.590425 ￥0.6215
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
    型号：S60N10 编号：C7471099
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    S60N10 是高性能沟槽 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S60N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥1.449035 ￥1.5253

    • 50+

      ￥1.137815 ￥1.1977

    • 150+

      ￥1.004435 ￥1.0573

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      ￥0.837995 ￥0.8821

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      ￥0.719435 ￥0.7573
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    N沟道，70V快速开关MOSFET
    型号：80N07T 编号：C42441710
    封装：TO-220
    品牌：HL(富海微)
    特性：100% EAS保证。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：功率因数校正（PFC）。 开关电源（SMPS）

    • 5+

      ￥1.89487 ￥1.9946

    • 50+

      ￥1.48789 ￥1.5662

    • 150+

      ￥1.31347 ￥1.3826

    • 500+

      ￥1.095825 ￥1.1535

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      ￥0.998925 ￥1.0515

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      ￥0.940785 ￥0.9903
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    P沟道，30V快速开关MOSFET
    型号：120P03T 编号：C42460933
    封装：TO-220
    品牌：HL(富海微)
    特性：超低栅极电荷。 100%保证EAS。 有环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：DC-DC转换器。 同步整流应用

    • 5+

      ￥2.35

    • 50+

      ￥1.85

    • 150+

      ￥1.63

    • 500+

      ￥1.36

    • 2500+

      ￥1.24

    • 5000+

      ￥1.17
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    N沟道650V快速开关MOSFET
    型号：8N65R 编号：C42441704
    封装：TO-252-3L
    品牌：HL(富海微)

    • 1+

      ￥2.679 ￥2.82

    • 10+

      ￥2.109 ￥2.22

    • 30+

      ￥1.862 ￥1.96

    • 100+

      ￥1.5485 ￥1.63

    • 500+

      ￥1.4155 ￥1.49

    • 1000+

      ￥1.33 ￥1.4
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    耐压:650V 电流:11A
    型号：650SJ320 编号：C21882499
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    使用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供具有低栅极电荷的出色导通电阻。该超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求，符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备全功能可靠性。

    • 1+

      ￥3.9805 ￥4.19

    • 10+

      ￥3.211 ￥3.38

    • 30+

      ￥2.8215 ￥2.97

    • 100+

      ￥2.432 ￥2.56

    • 500+

      ￥2.204 ￥2.32

    • 1000+

      ￥2.09 ￥2.2
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    600mA 线性防反接锂电池充电芯片
    型号：4061 编号：C7431436
    封装：SOT23-6
    品牌：HL(富海微)
    耐压：12V 功能：电源、电池防反接、双灯

    • 10+

      ￥0.39178 ￥0.4124

    • 100+

      ￥0.3097 ￥0.326

    • 300+

      ￥0.26866 ￥0.2828

    • 3000+

      ￥0.23788 ￥0.2504

    • 6000+

      ￥0.213275 ￥0.2245

    • 9000+

      ￥0.200925 ￥0.2115
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    28V耐压具有OVP功能线性锂电池充电芯片
    型号：4061H 编号：C7431437
    封装：SOT23-6
    品牌：HL(富海微)
    耐压：30V 功能：电池防反接、OVP、双灯

    • 5+

      ￥0.50065 ￥0.527

    • 50+

      ￥0.39577 ￥0.4166

    • 150+

      ￥0.34333 ￥0.3614

    • 500+

      ￥0.304 ￥0.32

    • 3000+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 6000+

      ￥0.256785 ￥0.2703
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    1A 线性全保护锂电池充电芯片
    型号：4056V 编号：C7431439
    封装：ESOP-8
    品牌：HL(富海微)
    耐压：12V 功能：电源、电池防反接、OVP、双灯

    • 5+

      ￥0.51414 ￥0.5412

    • 50+

      ￥0.45144 ￥0.4752

    • 150+

      ￥0.42009 ￥0.4422

    • 500+

      ￥0.396625 ￥0.4175

    • 2500+

      ￥0.377815 ￥0.3977

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