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DK5V100R25S是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。
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  • 同步整流 DK5V100R15S是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了100V功率NMOS管,采用SM-7封装(兼容TO-277封装),只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚,可取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管
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  • 同步整流 DK5V60R10S是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了60V功率NMOS管,采用SM-7封装(兼容TO-277封装)。
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  • 同步整流 DK5V100R20S是一款简单高效率的同步整流芯片,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。DK5V100R20S采用SM-7封装(兼容TO-277封装)。
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  • DK5V100R10SL是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了100V功率NMOS管,只有A,K两个功能引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚,可取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。采用TO-252封装。
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  • DK5V45R10ST1是一款简单高效率的同步整流芯片,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了45V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。DK5V45R10ST1采用TO-220F封装。
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  • DK5V100R10M是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了100V功率NMOS管,采用SM-10封装。
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  • DK5V45R15 是同步二极管芯片。可使电源实现高效率的输出。
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  • DK5V100R15M是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。
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  • DK5V45R25P是一款简单高效率的同步整流芯片。芯片内部集成了45V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。DK5V45R25P采用SOP-8封装。
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  • DK5V45R10 是同步二极管芯片。可使电源实现高效率的输出。
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  • 同步整流 DK5V45R15S是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。
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  • DK5V100R15ST1是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了100V功率NMOS管,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚,可取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管
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  • 同步整流 DK5V85R25S是一款简单高效率的同步整流芯片,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了85V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管DK5V85R25S采用SM-7封装(兼容TO-277封装)。
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  • DK5V120R15ST1是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了120V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。采用TO-220F封装。
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  • DK5V45R25 是同步二极管芯片。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。
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  • DK5V120R15M是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了120V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管DK5V120R15M采用SM-10封装。
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  • 同步整流 DK5V45R20S是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了45V功率NMOS管,采用SM-7封装(兼容TO-277封装)。
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