HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：6800B 编号：C7499837

封装：SOT-23-6

品牌：HL(富海微)

6800B采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

10+
￥0.2398
100+
￥0.187
300+
￥0.1606
3000+
￥0.1408
6000+
￥0.125
9000+
￥0.1171

有货

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型号：2012S 编号：C7437076

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

2012S 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。2012S 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

10+
￥0.4005
100+
￥0.3142
300+
￥0.271
3000+
￥0.2296
6000+
￥0.2037
9000+
￥0.1907

有货

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型号：20N04 编号：C7543828

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei 20N04是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N04符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.5052
50+
￥0.3996
150+
￥0.3468
500+
￥0.3072
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

有货

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型号：100N02 编号：C7437082

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

100N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。100N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整功能且可靠性通过认证。

5+
￥0.5975
50+
￥0.4723
150+
￥0.4097
500+
￥0.3628
2500+
￥0.3253
5000+
￥0.3065

有货

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型号：10N15 编号：C39673595

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 150阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):268-290连续漏极电流ID(A):10A

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
2500+
￥0.3742
5000+
￥0.3525

有货

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型号：60P03D 编号：C7471112

封装：PDFN3.3x3.3-8L

品牌：HL(富海微)

5+
￥0.9223
50+
￥0.7157
150+
￥0.6271
500+
￥0.5166
2500+
￥0.4674
5000+
￥0.4379

有货

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型号：150N03 编号：C39673593

封装：TO-252-4R

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 30阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.5-2.2连续漏极电流ID(A):150A

5+
￥1.303
50+
￥1.0107
150+
￥0.8854
500+
￥0.7291
2500+
￥0.6595
5000+
￥0.6177

有货

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型号：S65N06F 编号：C19100368

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

5+
￥1.3829
50+
￥1.0955
150+
￥0.9723
500+
￥0.8185
2500+
￥0.7501
5000+
￥0.709

有货

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型号：80N03D 编号：C7471103

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

80N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N03D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%保证具有雪崩耐量（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.6529
50+
￥0.5089
150+
￥0.4369
500+
￥0.3829
2500+
￥0.3397
5000+
￥0.318

有货

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型号：100N03 编号：C7499843

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

特性：绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：电池开关应用。硬开关和高频电路

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
150+
￥0.4556
500+
￥0.4034
2500+
￥0.3617
5000+
￥0.3408

有货

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型号：302 编号：C7499835

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：HL(富海微)

302 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。302 符合 RoHS 标准且为绿色产品，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.7399
50+
￥0.5767
150+
￥0.4951
500+
￥0.4339
2500+
￥0.3849
5000+
￥0.3604

有货

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型号：120P03T 编号：C42460933

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。 100%保证EAS。有环保器件可选。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：DC-DC转换器。同步整流应用

5+
￥2.35
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￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

有货

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型号：S25P06 编号：C41406796

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):39，连续漏极电流ID(A):-25A

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591
2500+
￥0.4116
5000+
￥0.3878

有货

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型号：80N02F 编号：C7437081

封装：DFN5x6

品牌：HL(富海微)

80N02F是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N02F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易雪崩击穿（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.8477
50+
￥0.6701
150+
￥0.5813
500+
￥0.5147
2500+
￥0.4614
5000+
￥0.4348

有货

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型号：HD60P03 编号：C2149762

封装：TO-252-2

品牌：HL(豪林)

数据手册

5+
￥0.947019 ￥1.0183
50+
￥0.669561 ￥0.8067
150+
￥0.522607 ￥0.7159
500+
￥0.439971 ￥0.6027
2500+
￥0.403179 ￥0.5523
5000+
￥0.381133 ￥0.5221

有货

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型号：HD5N50(BEO) 编号：C2688920

封装：TO-252-2

品牌：HL(豪林)

数据手册

1+
￥0.65466 ￥2.1822
10+
￥0.34572 ￥1.7286
30+
￥0.15342 ￥1.5342
100+
￥0.12916 ￥1.2916
500+
￥0.11836 ￥1.1836
1000+
￥0.11188 ￥1.1188

有货

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型号：MMBT4403 编号：C5187628

封装：SOT-23

品牌：HL(豪林)

数据手册

1+
￥0.0751
10+
￥0.0589
60+
￥0.0481
120+
￥0.0427

有货

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型号：1209 编号：C7431433

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

ESD：6K 峰值电流：3.5A

20+
￥0.2217
200+
￥0.1737
600+
￥0.1497
3000+
￥0.1317
9000+
￥0.1173
21000+
￥0.11

有货

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型号：2SB562 C 编号：C2688975

封装：TO-92L

品牌：HL(豪林)

10+
￥0.2822
100+
￥0.2246
500+
￥0.1886

有货

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型号：AO3401 编号：C5187811

封装：SOT-23

品牌：HL(豪林)

数据手册

1+
￥0.2916
10+
￥0.2311
30+
￥0.2009

有货

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型号：D965 R 编号：C5187613

封装：TO-92

品牌：HL(豪林)

数据手册

1+
￥0.2873
10+
￥0.2272
30+
￥0.1971

有货

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型号：HT13003 编号：C237244

封装：TO-126C

品牌：HL(豪林)

数据手册

2+
￥0.3213
20+
￥0.3141
60+
￥0.2986

有货

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型号：1H05 编号：C237256

封装：SOT-23

品牌：HL(豪林)

N沟道,100V,5A,234mΩ@10V

数据手册

10+
￥0.3935
100+
￥0.3095
300+
￥0.2676

有货

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型号：HD1H15A(AEE) 编号：C2688960

封装：TO-252-2

品牌：HL(豪林)

数据手册

1+
￥0.6303
10+
￥0.4959
30+
￥0.4287

有货

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型号：HD50N06D 编号：C2149761

封装：TO-252-2

品牌：HL(豪林)

数据手册

2+
￥0.6899
20+
￥0.5421
60+
￥0.4682

有货

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型号：HR13003 编号：C237249

封装：TO-126

品牌：HL(豪林)

数据手册

1+
￥0.3728
10+
￥0.3644
30+
￥0.3588

有货

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型号：20P02 编号：C7499849

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

20P02是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。20P02具备完整的功能可靠性，符合RoHS标准和绿色产品要求。

5+
￥0.585
50+
￥0.4698
150+
￥0.4122
500+
￥0.369
3000+
￥0.3224
6000+
￥0.3051

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型号：S15P06S 编号：C41406797

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):33，连续漏极电流ID(A):-15A

5+
￥0.8248
50+
￥0.652
150+
￥0.5656
500+
￥0.5008
3000+
￥0.449
6000+
￥0.423

订货

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型号：C945 编号：C237265

封装：TO-92-3

品牌：HL(豪林)

数据手册

1+
￥0.9399
10+
￥0.7551
30+
￥0.6627

有货

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型号：HL20N04 编号：C2688965

封装：SOT-89-3

品牌：HL(豪林)

数据手册

1+
￥1.1647
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￥0.9228
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￥0.8191

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